Diskussion:Czochralski-Verfahren

Verunreinigungen

Hallo,

ich würde noch etwas den Artikel hinzufügen. Die Schmelze kann auch mit Stoffen der III. oder V.HG (Hauptgruppe des Periodensystemes) verunreinigt werden damit das Silizium schon positiv oder negativ dotiert werden. Damit ändert sich die elektrische Leitfähigkeit des Silizium welche Vorraussetzung der Halbleiterei ist.(nicht signierter Beitrag von 141.44.122.98 (Diskussion) )

Just do it! It's a Wiki! Außerdem wird es tatsächlich so gemacht. --Kuebi [∩ · Δ] 11:57, 24. Sep. 2009 (CEST)

Und es lässt sich auch nicht verhindern ;-) --Cepheiden 12:22, 24. Sep. 2009 (CEST)

Etwas aufwendiger wurde die übrigens schon in den 1950er (evtl auch früher) gemacht. Dort wurde das Dotierungsprofil von Bipolartransistoren beim Ziehen des Kristalls "eingeprägt". Es wurde also nicht wie es heute meistens gemacht wird ein Kristall mit einer einheitlichen Vordotierung gezogen (ein leichter Konzentrationsgradient im Ingot lässt sich nur schwer verhindern), sondern es wurden p-dotierte und n-dotierte Zonen in einem Kristall erstellt. Das fertige Bauelement wurde nach dem dem Aussägen aus dem Kristall Wachstumstransitor (engl.: grown-junction transistor) genannt (Etwas Information zum Thema). --Cepheiden 08:42, 25. Sep. 2009 (CEST)

Füllfaktor

Hallo Cepheiden, deine Einführung des Begriffs Füllfaktor in diesem Zusammenhang halte ich als Begriffsfindung. Deine letzte Bearbeitung von 08:22, 1. Apr. 2010 war zudem voller formaler und inhaltlicher Fehler. Formulierungen in Klammern wie "(siehe auch Wafer)" halte ich grundsätzlich für schlechter, als den Sachverhalt kalr auszuformulieren: "... in dünne Scheiben geschnitten, die Wafer genannt werden". Deine Formulierung "die daraus hergestellten Solarmodule können dichter gepackt werden" ist falsch: Nicht die Solarmodule können dichter gepackt werden (Passen dann mehr Module in einen Verpackungskarton?), sondern die Fläche der Module kann besser mit Solarzellen ausgenutzt werden. Bitte überlege etwas vorsichtiger, was du ändern möchtest und wo dabei eine Verbesserung liegen soll. --Wiki4you 09:58, 1. Apr. 2010 (CEST)

P.S. Auch der Satz "In der Photovoltaik werden Wafer für die Herstellung von monokristallinen Solarzellen verwendet." ist nicht ganz richtig, denn in der Photovoltaik werden auch Wafer für die Herstellung von polykristallinen Solarzellen verwendet. --Wiki4you 10:14, 1. Apr. 2010 (CEST)

Ja, und es gibt auch Wafer die nicht aus Silizium sind. Willst du jetzt diverse streitbare Formulierungen rauskramen und Schuldzuweisungen machen oder wie soll ich das hier vestehen? --Cepheiden 10:25, 1. Apr. 2010 (CEST)

Nein, es ging nur um den Unterschied poly und monokristallinen Wafern. Aus beiden werden Solarzellen gefertigt. --Wiki4you 10:59, 1. Apr. 2010 (CEST)

Aber hier ging es doch zum einen um das Czochralski-Verfahren und zum anderen um pseudoqadratische Wafer, gibt es diese auch aus polykristallinem Material? --Cepheiden 11:14, 1. Apr. 2010 (CEST)

wohl nicht, da Polysilizium wohl immer in rechteckige Formen gegossen wird. Der oben zitierte Satz ist unter der Randbedingung, dass es hier nur um CZ-Wafer geht richtig. Solche Randbedingungen kann man jedoch beim Lesen schnell aus dem Auge verlieren und spätestens wenn der Satz ausserhalb des Artikels zitiert wird gibt es ein Problem. Ich hoffe, du siehst meinen Punkt. Man hätte in dem Satz besser von CZ-Wafern sprechen müssen. Mehr Genauigkeit mit wenig mehr Worten ist immer gut. Missinterpetierbarkeit ist ein Feind der WP. --Wiki4you 11:30, 1. Apr. 2010 (CEST)

(BK)

Hallo, mit dem Füllfaktor geb ich dir recht, ich habe das nun in Flächennutzung geändert. Ist das in Ordnung für dich?

• Was die Klammer angeht, da kommst du 7 jahre zuspät, denn diese ist seit der ersten Version im Artikel [1]. Bisher scheint es dich nicht gestört zu haben.
• Ich dachte erst du hättest den Artikelversion einfach wiederhergestellt. Entschuldige bitte. Da war ich etwas vorschnell
• Ansonsten hoffe ich auf konstruktive Zusammenarbeit und gelobe Besserung. --Cepheiden 10:21, 1. Apr. 2010 (CEST)

Mit der "siehe auch Wafer"-Klammer hast du Recht, da habe ich nicht richtig hingeschaut, Entschuldigung. Du hattest nur die integrierte Schaltungen-Klammer (wieder) eingefügt. Ansonsten denke ist, ist alles ok jetzt. Ich glaube es geht uns beide um die Sache (um einen guten Artikel), da kommen wir sicher klar. Viele Grüsse, --Wiki4you 10:59, 1. Apr. 2010 (CEST)

Liquid Encapsulated Czochralski

Hallo, im Artikel fehlt meiner Meinung nach noch die ein oder andere Information speziellen Czochalski-Verfahren. Vor allem das "Liquid Encapsulated Czochralski" (LEC) bei dem über der eigentlichen Schmelze eine Schicht aus B₂O₃ verhindert, das flüchtige Bestandteile ausgasen. Es wäre schön, wenn das ergänzt werden könnte. Ich müsste mich leider erst einlesen. --Cepheiden 12:44, 1. Apr. 2010 (CEST)

Ostwald-Miers-Bereich

Der Ostwald-Miers-Bereich ist der Temperaturbereich unterhalb der Schmelztemperatur. Entweder dieser Satz wird richtig formuliert, oder die Klammereinfügung muss weg. (nicht signierter Beitrag von Elozoz (Diskussion | Beiträge) 15:37, 9. Aug. 2013 (CEST))

Hans von Wartenberg

Wer hat den denn ins Spiel gebracht? Und die Quelle? Schlage die Löschung dieses Abschnitts vor. --Elozoz 15.12.2014 (15:21, 15. Dez. 2014 (CET), Datum/Uhrzeit nachträglich eingefügt, siehe Hilfe:Signatur)

Ui, das ist schon lange drin [2]. Aber du hast Recht die Aussage benötigt mal eine Prüfung hinsichtlich Relevanz und zusammen mit dem zweiten Teil eine Quelle. --Cepheiden (Diskussion) 19:51, 15. Dez. 2014 (CET)

CZ

Die weit unten einmalig verwendete Abkürzung CZ ist nicht erläutert. Vermutlich: "= (via) CZochralski(-Verfahren) hergestellt". Ist sie üblich, braucht man sie? Wenn dann in der Einleitung oder weit oben erläutern. --Helium4 (Diskussion) 13:22, 18. Mär. 2015 (CET)

Ja, sie ist wohl üblich, wie auch die Langform „Czochralski-Sizium“. Durch Einfügen von zwei Buchstaben klarer gemacht. --UvM (Diskussion) 15:28, 18. Mär. 2015 (CET)

Sie ist üblich, CZ und FZ (Floating Zone). MfG --17387349L8764 (Diskussion) 21:57, 4. Dez. 2022 (CET)