Diskussion:Gunndiode

Typo

Was sollen die "Abstand-Bindestrich-Abschand"-Konstrukte? IMHO ist das so nicht üblich, und mühsam (zB Trennung. Deshalb habe ich diese korrigiert. mbs 16:11, 25. Jul 2004 (CEST)

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IMHO ist nicht das Dotierprofil für den negativen Differenziellen Widerstand verantwortlich. Vielmehr ist das eine Eigenschaft der speziellen Halbleitermaterialien. Deshalb kann eine Gunn Diode auch nicht aus Silizium hergestellt werden. Das Dotierprofil hat nur den Sinn, dass die "Elektronen-Welle" immer auf einer Seite und nicht zufällig irgendwo startet. Dadurch ist die Frequenz relativ konstant.

Liege ich damit richtig? [Benutzer:wber|wber]] 19:11, 15. Dez 2004 (CET)

Ja, du liegst richtig. Die Mobilität der Ladungsträger ist im Satelitenminimum kleiner als im absoluten Minimum des Leitungsbandes (nicht signierter Beitrag von 132.187.51.141 (Diskussion | Beiträge) 14:31, 3. Mär. 2010 (CET))

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Zum Beitrag von wber:

Das ist richtig. Der NDW hängt vom Material ab, nicht von der Anordnung. Der NDW tritt bei betimmten Materialien auf, wenn man das Material noch zusätzlich dotiert, kann man den NDW noch verändern. Ich glaube aber nicht, dass man im Artikel den Eindruck bekommt, dass das von der Struktur abhängt. Da schaut man am besten bei NDW selbst.

Benutzer: Sebastian, Verfasser.

Zum Hauptbeitrag:

Außer dass die Gunn-Diode (Quanteneffekt, Wechsel von Elektronen vom Hauptminimum in ein Nebenminimum mit geringerer Elektronenbeweglichkeit) "unter bestimmten Umständen einen NDW aufweist, mit dem Mikrowelle erzeugt werden kann", besteht weder zur Tunnel-Diode (Quanteneffekt, Tunneleffekt) noch zur IMPATT-Diode (Lawinen+Laufzeit-Effekt) irgendeine Verwandtschaft. Auch gibt es kein Halbleitermaterial, das den Gunn-Effekt bis 10THz aufweist. Nach derzeitigem Stand der Technik kann mit Indium Phosphid gerade mal um die 140GHz erzeugt werden. Nützt man nur die wegen des pulsförmigen Stroms entstehenden Oberwellen, dann erreicht man mit großen technischen Schwierigkeiten 280GHz mit etwa 10mW. 10THz sind technologisch gar nicht machbar, da die erforderliche Laufstrecke der Stromimpulse duch den Halbleiter sehr klein wäre(Schichtdicke und Größe der Halbleiterprobe). Zur Erzeugung der Mikrowellenleistung und zur Beeinflussung der Schwingfrequenz wird ein Resonator benötigt, der bei 10THz mit ausreichender Güte schlichtweg nicht realisierbar ist. Die Ausgangsleistung von leistungsoptimierten Gunn-Dioden sinkt mit 1/f^2, so dass aus dieser Sicht bei 10THz ca. 10µw erreichbar wären.

Helmut Barth

Begriff "Gunn-Diode" und "Gunn-Element"

Anstelle des Begriffs Gunn-Diode sollte man besser den Begriff Gunn-Element verwenden. Dieses Bauelement ist keine Diode (auch wenn diese Bezeichnung immer wieder verwendet wird). Das Gunn-Element besitz keinen pn-Übergang wie eine Diode.

Siegfried

eine Diode im weiteren Sinn ist ein Bauteil mit zwei Anschlüssen. Es gibt zum Beispiel auch bipolare Suppressordioden, die sich in beiden Stromrichtungen gleich verhalten.--Ulfbastel 15:18, 11. Jul 2006 (CEST)

Erster Teil gilt auch für einen Kondensator und einen Widerstand. Eine bipolare Suppressordiode besteht aus zwei Dioden in einem Gehäuse, von denen nur die beiden äußeren Anschlüsse (Anoden) nach außen geführt werden. Der Begriff "-diode" bezieht sich imho nur auf das Vorhandensein eines pn-Überganges. Der ist aber anscheinend bei einem Gunn-Element nicht gegeben. --Dipl-Ingo (Diskussion) 19:07, 24. Okt. 2012 (CEST)

Diode - Gunndiode oder Gunnelement

habe mal die Unterscheidungen zur Diode rausgenommen, weil eine Diode nicht zwingend ein Stromventil bezeichnet, sondern ein Bauteil mit zwei Anschlüssen (daher ist die Bezeichnung Gunndiode nicht falsch)--Ulfbastel 15:15, 11. Jul 2006 (CEST)

Jahreszahl

Der Gunn-Effekt wurde 1963 entdeckt. Dies gilt als gesichert, da ich mehrer Webseiten gefunden habe, die das bestätigen. Im Artikel stand aber, die Gunn-Diode wurde 1963 entwickelt. Zwischen der Entdeckung und Entwicklung besteht ein Unterschied. Deshalb habe ich den Artikel ersteinmal so geändert, dass dieser inhaltlich stimmt. Ich habe ein Buch, da steht die Gunn-Diode in einer Zeittafel bei 1964. Ob sie in diesem Jahr entwickelt oder zum ersten Mal produziert wurde entzieht sich meiner Kenntnis. Im Web ist darüber nix eindeutiges zu finden. Da ich nur dieses eine Buch habe und keine weitere Quelle, habe ich die Jahreszahl 1964 außen vor gelassen. - Appaloosa 01:50, 1. Dez. 2006 (CET)

Funktion

Der Abschnitt Funktion muss dringend überarbeitet werden, weil er so, wie er dort steht, falsch ist. Es gibt zwar mehrere Energiebänder, aber für die Funktion ist nur das Leitungsband verantwortlich, das ein Hauptminimum und mehrere Nebenminima enthält. Die Elektronen können dann bei genügend hohen elektrischen Feldern aus dem Hauptminimum (nicht aus dem Valenzband!) in ein Nebenminimum gestreut. Dort haben sie eine höhere effektive Masse, was zu einer geringeren Beweglichkeit und damit Stromfluss führt. Weil die gestreuten Elektronen sich langsamer bewegen, kommt es zu einem Stau (negative Raumladung), der in dem Bereich davor (in Richtung der Anode) zu einem Mangel an Elektronen führt (positive Raumladung). Das elektrische Feld über dieser Dipol-Domäne ist in derselben Richtung wie das Feld durch die außen angelegte Spannung, die konstant bleibt und daher zu einer Reduzierung des elektrischen Feldes außerhalb der Domäne führt. Im stabilen Zustand bewegt sich die Domäne (grüne Scheibe in der Schrägansicht) mit derselben Geschwindigkeit wie die Elektronen im äußeren Bereich bis sie sich an der Anode auflöst. z. B.: [1] (nicht signierter Beitrag von Hugo Schneckerich (Diskussion | Beiträge) 14:50, 18. Dez. 2015 (CET))