Diskussion:P-n-Übergang/Archiv

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[[Diskussion:P-n-Übergang/Archiv#Thema 1]]

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https://de.wikipedia.org/wiki/Diskussion:P-n-%C3%9Cbergang/Archiv#Thema_1

diffusion im ersten abschnitt

also die löcher können doch nicht diffundieren, es handelt sich hierbei doch schliesslich um ortfeste ionen, die z.b. nur drei statt vier elektronen haben und deshalb ein positives potenzial im gitter verursachen. die überschüssigen elektronen aus dem n-leiter besetzen diese und es kommt so zu einer neutralisierung.

allgemein würde ich hier eher den begriff der elektrischen anziehungskraft verwenden, anstatt die diffusion zu bemühen.

(nicht signierter Beitrag von 217.80.191.197 (Diskussion) 15:39, 24. Jan. 2006 (CET))

Doch, die Löcher können auch diffundieren, nämlich indem sie durch benachbarte Elektronen besetzt werden, welche dann widerum Löcher (also positiv geladene, zunächst ortsfeste Ionen) zurücklassen. Natürlich sind die Ionen weiterhin ortsfest, man kann aber mit beweglichen Löchern rechnen. --Jdiemer 16:45, 24. Jan 2006 (CET)

Also die Erklärung ist tatsächlich falsch. Es gibt gar keine Löcher. Ein Wandern ist auch nicht möglich durch Absorption des Nachbarelektrons, das würde lediglich zu einem lokalen Potentialausgleich führen. Der Artikel erklärt falsch, drum auch die wiederholten Fragen, siehe unten. Korrekt(nicht quantenmechanisch erklärt) wäre, zu schreiben, daß im reinen Halbleiterkristall an mehreren Stellen freie Elektronen vorhanden sind (durch Ionisation), so daß die Reichweite zwischen den ionisierten Gitteratomen für die Elektronen ausreicht, um einen elektrischen Strom über den ganzen Kristall zu führen!! Das Modell der Löcherleitung wurde für eine vereinfachte mathematische Behandlung eingeführt und eignet sich nicht für eine Anschauliche Erklärung, es führt zu Widersprüchen, besonders dann bei der Erklärung des Transistors. Die Tatsache, daß die Löcherleitung seit über 60 Jahren jeder von jedem abschreibt, macht sie nicht wahr. --NorbertR. 12:24, 21. Mär. 2008 (CET)

Die Behauptung, daß die Ladungstrennung durch die Diffusionskraft entstehe ist auch Unsinn, das wäre so, als würde man einem Kranken erklären, daß er krank sei, weil er Fieber habe. Für die Diffusion muß eine Ursache genannt werden und das fehl im Artikel. Der ganze Abschnitt ist eine obskure Theorienfindung. Die Ursache der Drift ist die unterschiedliche Elektronegativität der Fremdatome im Kristallverband! --NorbertR. 21:10, 21. Mär. 2008 (CET)

Die Diffusion ist auch als solche definiert, daß sie einen Ausgleich schafft, sie kann nicht umgekehrt, von sich aus, zu einer Potentialdifferenz führen. Das wäre ein klarer Verstoß gegen den 2.Hauptsatz . --NorbertR. 20:25, 22. Mär. 2008 (CET)

Also, nur mal am Rande, der Begriff "Löcher" steht als Synonym für das Quasiteilchen Defektelektron. Diese z.T. theoretischen Teilchen existieren evtl. nicht wirklich, sind aber für die eingesetzten physikalischen Modelle notwendig, um beobachtete Sachverhalte zu erklären! Im Text steht im übrigen nichts von Ladungstrennung sondern genau das Gegenteil. Aufgrund der Diffusion wanderen einige der freien Ladungen von ihrem Ausgangsgebiet in das andere. Der Abschnitt war evtl spachlich nicht wirklich gut, das hat sich aber mit deinen Änderungen auch nicht wirklich verbessert, im Gegenteil. Wie kommst du eigentlich darauf, dass die Elektronegativität der Dotanden die Hauptursache für die Drift ist? Ich bitte dich deine Erklärung für die Vorgänge an der p-n-Grenzfläche hier vorher zur Diskussion zu stellen. Derzeit äußerst du nur Kritik die kaum von dir begründet wird. Wenn du sagst was falsch ist solltest du auch schreiben wie es deiner Meinung nach richtig ist, wie du zu dieser Meinung kommst und evtl Quellen nennen. P.S. Sprachlich ist der Artikel allerdings wirklich überarbeitungswürdig. Grüße --Cepheiden 10:34, 23. Mär. 2008 (CET)

Habe ich doch oben erklärt, also nochmals: Diffusion durch Temperatur z.B. ist ungerichtet und kann keine dauernde Potentialdifferenz aufbauen, nur Rauschen. Erst eine Ursache führt zur überlagerten Drift und im darauf folgenden stationären Zustand zur Raumladungszone. Das Modell mit den pos. Ladungsträger wurde für die math. Behandlung eingeführt, zur Bearbeitung mussten aber den pos. Ladungsträgern spezielle Eigenschaften errechnet werden. Leider sind dann in der populärwissenschaftlichen- und Ingenieur-Literatur die math. Modelle wieder rückwärts für die Erklärung im Kristall verwendet worden, was nicht zulässig ist, wenn nicht darauf hingewiesen wird, daß das Modell nicht die realen Verhältnisse beschreibt, sondern nur die math. Behandlung vereinfachen soll. Das ist etwa so wie die ingenieursmässige Berechnung vom Zeitbereich im Bildbereich, es liegt eine Transformation dazwischen. Wie es richtig ist steht auch oben. Z.B. ein Donator mit 5 Valenzelektronen wird im Diamantgitter abgebunden und verhält sich danach wie ein Atom mit einem Valenzelektron, dieses kann bei Raumtemp. bereits ionisiert werden. Beim Akzeptor ist es ähnlich, ein Wirtsgitteratom (z.B. Si) hat ein Elektron aus der Bindung frei, verhält sich also ebenso, als hätte es ein einzelnes Valenzelektron, dieses hat aber eine Ionisierungsschwelle, die ca. 3x höher liegt als beim Donator, es hat also eine höhere Elektronegativität. Der Ladungsschwerpunkt wird also durch eine Drift des Donatorvalenzelektrons zum Akzeptoratom verschoben. Es hilft dir ev. sich daran zu erinnern, daß es sich immer noch um eine chemische Reaktion handelt, auch wenn die Halbleitertechnik immer "physikalisch" abgehandelt wird (sieht anscheinend besser aus). Auch ist es hilfreich, sich daran zu erinnern, daß definitif keine pos. Ladungsträger verschoben werden, dieser Ansatz sollte für eine kritische Hinterfragung die Schwelle eigentlich sehr niedrig legen. Oder nicht? --NorbertR. 11:10, 2. Apr. 2008 (CEST)

Hallo, also die Ladungsträgerdiffusion wird zwar durch die Temperatur unterstützt, aber wie du sagtest, ist dies nicht der Grund für die Potentialdifferenz. Der Grund ist der Konzentrationsausgleich, der ebenfalls als Diffusion bezeichnet wird. Der Vorgang ist vergleichbar dem Konzentrationsausgleich zwischen einer hochkonzentrierten Zuckerlösung über die eine Schicht Wasser "aufgebracht" wird. Mit der Zeit werden die beiden Schichten sich durch Diffusion durchmischen. Triebkraft ist hier der Konzentrationsgradient, daher wird es sowohl in der Chemie als auch in der Physik als gewöhnliche oder Konzentrationsdiffusion bezeichnet; Im Gegensatz zu der Temperatur verursachten Diffusion, der Thermodiffusion. Analog ist es beim p-n-Übergang mit den Elektronen. Nur dass sich hier durch die Ladungsverschiebung ein Gegenfeld aufbaut, die dadurch verursachte Ladungsträgerverschiebung nennt man Drift. Oder siehst du das anders?

Dass keine realen positiven Ladungen verschoben werden weiss ich. Ich sagte ja das sind Modellvorstellungen. Es wäre natürlich ein Gewinn für den Artikel, wenn die wirklich realen Vorgänge beschrieben werden würden. Ich sehe aber keinen Grund die Vorgänge nicht mit gültigen Modellen zu beschreiben. Gültig in dem Sinne, dass sie die realen Vorgänge ausreichend genau beschreiben. Immerhin besteht die Physik nur aus mehr oder weniger guten Modellvorstellungen, durch die Wahrnehmung des Menschen geht es ja auch nicht anders. --Cepheiden 13:22, 2. Apr. 2008 (CEST)

Ja, genau das sagte ich; Eine Bewegung ( leider hier Diffusion genannt ) der Elektronen unter gerichteter äusserer Krafteinwirkung (Potentialdifferenz) nennt man Drift (Eine extra thermische Diffusion ist nicht notwendig, eine chemische Reaktion und das haben wir ja hier im Kristallverband vor uns, leitet sich selbst ein, wenn die Reaktionspartner sich nahe genug kommen). Aufgrund mehrerer Rückfragen auf dieser Seite ist klar, daß die Erklärung mit den pos. Ladungsträgern ja eben das Verständnisproblem verursacht, eine gesunde Reaktion. Die Sache ist nämlich die: Wird das nicht-reale Modell bei der realen Beschreibung weiterverwendet, ergeben sich bereits bei der Erklärung der Richtwirkung Widersprüche (Ganz zu schweigen, später beim Bipolartransistor). Die Meisten geben auf und lernen den vorgesetzten Brei auswendig und retten sich damit hinüber. Ein 14-jähriger Schüler der sich hier die Info für einen Vortrag holt, wird das an der Tafel einfach nachkauen und wenn eine kritische Frage kommt, etwas daherstammeln, kurz schwitzen und froh sein, wenn man ihn weiter in der Ruhe lässt. Kennen wir doch alle, oder? Schade? --NorbertR. 21:34, 2. Apr. 2008 (CEST)

Jupp, aber du könntest es ändern ;-). Was Drift und Diffusion angeht. Das ist Definitionssache. Fakt ist aber das der natürliche ausgleich von Konzentrationsunterscheiden Konzentrationsdiffusion und nicht Konzentrationsdrift genannt wird. Diffusion sind im Allgemeinen Ausgleichsprozesse, wie die Konzentrationsdiffusion. Sicher könnte man den Vorgang unter der Betrachtung, dass sie gerichtet ist auch Drift nennen, der Fakt, dass es ein Ausgleichprozess ist überwiegt aber meiner meinung nach. Die Definitionen sind da wie so oft nicht konkret genug. In dem konkreten Fall sollte man auf jeden Fall die Ursache der Bewegung richtigstellen, ob nur Drift oder Diffusion? Naja. Die Standardliteratur sagt Diffusion. --Cepheiden 22:08, 2. Apr. 2008 (CEST)

Hepp, genau das hatte ich im (bemängelten) einleitenden Absatz gemacht. Im nächsten Abschnitt geht das nicht mehr so einfach, die Widersprüche würden gnadenlos offenbar und ich müsste den status quo ratzekahl rausputzen. Die Chancen, daß das in 100mS revertiert würde stehen 1000000:1. Zumindest steht der Ansatz hier in der Diskussion, sollte also nicht archiviert werden. Von den anderen Artikeln reden wir noch gar nicht mal. Der eine Satz der im Bipolartransistor die ganze Funktion erklärt ist ein rhetorische Meisterwerk. Hmm.. --NorbertR. 22:23, 2. Apr. 2008 (CEST)

Ich musst edas ersteinmal wieder rückgaängigmachen, es können schlehct zwei Versionen im Artikel stehen. Lass den Artikel also bitte mit der Modellbeschreibung so bestehen bis du den Artikel komplett überarbeitet hast. Bitte vergiss entsprechende Quellenangaben und Belege nicht. Immerhin willst du die Vorgänge anders als die Standardliteratur beschreiben. --Cepheiden 22:57, 2. Apr. 2008 (CEST)

Habe mal, wie gewünscht, Literatur nachgetragen, von der ich glaube, daß andere sie in höheren Büchereien finden können. Ich denke eine leichte "Spannung" hält der Artikel aus. Die unteren Abschnitte werde ich allerdings nicht umbauen, ohne ein Minimum an kollektiver Zustimmung, sonst gibt das nur einen sinnlosen Editwar. --NorbertR. 09:58, 3. Apr. 2008 (CEST)

Ja, das ist klar. Hier empfiehlt es sich eine temporäre Artikelseite unterhalb deines Benutzernamensraumes anzulegen, z.b. Benutzer:NorbertR./p-n-Übergang. Ich werd mal selbst nach der literatur schauen. Derzeit denk ich auch noch im "Modell". grüße --Cepheiden 10:56, 3. Apr. 2008 (CEST)

Habe nochmals Diffusion studiert, es ist immer nur von Konzentrationsausgleich die Rede wie auch in meinem Literaturhinweis, im P-n-Übergang wird sie aber zur Konzentrationsanreicherung zitiert (p + n Seite), hat aber die Funktion der Auflösung, wenn die Elektronen-Konzentrationen zur Umgebung, z.B. Elektronenanhäufung im p-Halbleiter höher ist, hat also erstmal gar nichts mit dem PN-Übergang zu tun und wirkt zweitens wenn schon gegenläufig, ist also tatsächlich falsch zitiert worden. --NorbertR. 12:26, 3. Apr. 2008 (CEST)

Öhm ich bin etwas verwirrt durch das Geschriebene. Der Konzentrationsausgleich hat auch immer eine Konzentrationsanreicherung in einem vorher schwach konzentriertem Gebiet zur Folge, so ist es auch am p-n-Übergang. Wo ist falsch zitiert worden? bin verwirrt. P.S. Chemiker bezeichnen übrigens auch die Teilchenbewegung verursacht durch ein äußeres Feld als Diffusion (nachzulesen im Römpp Lexikon Chemie, in dem Drift nicht erwähnt wird) --Cepheiden 14:55, 3. Apr. 2008 (CEST)

Konzentrationsausgleich ins schwach konzentrierte Gebiet ist schon ok. Aber eine weitere Diffusion zum selbsttätigen Aufbau eines entgegengesetzten Ungleichgewicht ist nicht möglich (Perpetuum mobile, Entropie...). Das mit deinem Chemiebuch ist allerdings ein dicker Hund. Ich nehme an es steht ein konkretes Beispiel drin, wenn das auch anderswo so steht müsste der Artikel diffusion überarbeitet werden??--NorbertR. 07:47, 12. Apr. 2008 (CEST)

Habe deinen Literaturhinweis in der Bücherei gefunden. "Römpp-Lexikon Chemie", 10. Aufl. 1997 steht tatsächlich "und äussere Feldeinwirkung" aber in "Römpps chemisches Wörterbuch", Franckhsche Verlagsbuchhandlung 1969 und "Verständliche Chemie", Arnold Arni, S.224, Wileg-VCH 1998, ISBN 3-527-29542-9 steht hingegen ausdrücklich "ohne äussere Einwirkung", also durch Entropiezunahme. Ich denke da hat sich irgend ein Professor einfach zuviel zugestanden. Arnold Arni z.B. ist ein ziemlich renommierter Schulbuchautor. --NorbertR. 12:56, 12. Apr. 2008 (CEST)

unklare Skizzen!

Mir ist völlig unklar warum man in einem n- dotierten Halbleitermaterial größere positive Teilchen darstellt werden. Es könnten eventuell Protonen sein, aber diese bewegen sich nicht. Außerdem ist ein n-dotiertes Halbleitermaterial nach außen hin gesehen eher negativ geladen (wegen den Elektronen, die zuviel sind).(nicht signierter Beitrag von 89.55.212.126 (Diskussion) 10:21, 5. Mär. 2006 (CET))

Wie ich das sehe bedeuten in den Skizzen die großen Kringel Ortsfeste Ladungen (der Atomrümpfe), während die kleinen Kringel die beweglichen Elektronen bzw. Löcher darstellen. Das steht auch so im Artikel: "Hierbei stellen die kleinen +/- Symbole bewegliche Ladungsträger (Majoritätsladungsträger, Elektronen bzw. Defektelektronen) dar, während die großen die ionisierten Dotieratome symbolisieren."

BTW: Ein Halbleiter ist nach außen hin NEUTRAL, auch wenn er dotiert ist! Schließlich werden die "zusätzlichen" Elektronen durch entsprechende zusätzliche Protonen kompensiert. --Jdiemer 10:51, 5. Mär 2006 (CET)

Hallo, ich glaube auch dass die Zeichnung falsch beschriftet ist, ich glaube P- und N-Bereich wurden vertauscht kann das sein? Mfg Netzmeister NM 09:57, 3. Mai 2006 (CEST)

Ne, Zeichnungen stimmen schon. Im p-Halbleiter bleiben nach Rekombination die negativen Ladungsrümpfe zurück und umgekehrt im n-Halbleiter die p-Rümpfe (in der Sperrschicht). Glaube, die Bilder sollten dann wohl bleiben, weil sie es gut erklären. Auch wenn ich die großen Teilchen auch etwas verwirrend finde (dass man Majoritätsträger klein und Minoritätsträger groß darstellt.. wirkt auch so, als hätte eines mehr Ladung).Degreen 14:29, 5. Mai 2006 (CEST)

Fermi-Energie

Das Fermienergie und damit das Ferminiveau ergibt sich direkt aus dem elektrochemischen Potential

$\mu _{e}$ und der elektrischen Energie $\phi$:
$E_{F}=\mu _{e}-e\cdot \phi _{e}$

Diesen Textabschnitt habe ich gerade entfernt, da ich mir nicht sicher bin ob dies so richtig ist. Zumindest die genutzten Symbole und die dazugehörige Erklärung ist falsch. $\mu$ ist normalerweise die Ladungsträgerbeweglichkeit. Und wenn φ einer Energie ist dann kann e·φ keine Energie sein. Wäre schön wenn das noch jemand außer mir nachschauen würde. Ich habe leider derzeit wenig Zeit. --Cepheiden 12:13, 4. Aug 2006 (CEST)

Die von dir gelöschte Formel ist nicht falsch! $\mu$ wird - neben der angesprochenen Mobiltät - für das chemische Potential verwendet. Im übrigen gibt es in der Physik einige Symbolüberschneidungen (p: Impuls, Druck, k: Kreiswellenzahl, Extinktionskoeffizient, usw.), da muss man eben den Kontext beachten, heißt den beschreibenden Text lesen, und der weist in die richtige Richtung (da wird von "elektrochemischen Potential" gesprochen, ok müsste genauer "chemisches Potential" heißen). --132.180.242.131 14:31, 6. Dez. 2008 (CET)

Also ohne wirkliche Quellen ist mir das weiterhin unklar. Ich weiß das chemische Potential wird desöfteren mit dem Fermi-Niveau gleichgesetzt. Die Symbolik war aber missverständlich und die Formeln standen fast für sich, ein wirklicher Zusammenhang war nicht erkennbar. Wenn du mehr informationen zu dem Thema hast, seine es Bücher, Fachartikel oder sonstiges, steht es dir frei es wieder einzufügen. Aber wie gesagt auch Laien sollte der neue Text verständlich sein. Das war es nicht, weder von der Eindeutigkeit der Symbolik noch von dem Fazit, das man aus der Information schließen kann. P.S. im Übrigen geht es bei µ_e offensichtlich wirklich um das Elektrochemische Potential eines Elektrons, ist also ein näher definiertes chemische Potential . --Cepheiden 15:34, 6. Dez. 2008 (CET)

Das Fermi-Niveau ist das elektrochemische Potential! Nur ohne äußerem Feld ($\phi$=const. kann gleich 0 gewählt werden) entspricht es dem chemischen Potential.

$E_{F}={\overline {\mu }}=\mu -e\phi$

Steht auch im Artikel Elektrochemisches Potential oder im Script der Uni Kiel hier verfügbar (ganz unten) unter Formel 1.63. --132.180.242.131 18:46, 6. Dez. 2008 (CET)

Nunja, da müsst ich mich erst tiefer einarbeiten in das Thema. In dem Skript steht jedenfalls nur, dass das elektrochemische Potential mit der Fermi-Energie gleichgesetzt werden _kann_ (nicht muss). Ich bin mir geare auch unsicher ob hier nicht die Randbedingungen wichtig sind (ok in dem Fall behandelt er auch den p-n-Übergang). Fakt ist, dass die Standardwerke der Chemie ersteinmal die Begriffe elektrochemisches Potential und Fermi-Energie nicht zusammenvorkommen. Und wie gesagt, die alte Variante des Artikels wirft mehr Fragen auf als sie klärt. Hier müsste definitiv der Zusammenhang besser beschrieben werden. Frag mich warum du es für so wichtig hällst für den Artikel. Wäre schön wenn du uns aufklärst in der Hinsicht --Cepheiden 19:16, 6. Dez. 2008 (CET)

Ich stimme mit dir überein, dass der damalige Beitrag nicht sehr erhellend war. Mir ist es auch gar nicht so wichtig, dass es im Artikel steht, nur bin ich der Meinung, dass eine falsche Aussage - und sei es nur auf der Diskussionsseite - verbessert wird. Zur Literatur: Vielleicht ist ein Lehrbuch der statistischen Physik zum Thema chemisches Potential die bessere Anlaufstelle als der Römmpp. --132.180.242.131 19:35, 6. Dez. 2008 (CET)

Mehrzahl von Elektron-Loch-Paar

Ich bin nur ungern pingelig, aber scheinbar ist die Mehrzahl von Elektron-Loch-Paar nicht ganz geklärt. Auf den Seiten Rekombination (Physik), Solarzelle, CCD-Sensor heißt es zum Beispiel Elektronen-Loch-Paare, meist aber nur Elektron-Loch-Paare. Existiert hier ein richtig und ein falsch? -- Tillmann Walther 16:29, 18. Jan. 2010 (CET)

Also es heißt doch in der Einzahl Elektron-Loch-Paar, oder? Warum sollte es dann in der Mehrzahl Elektronen-Loch-Paare heißen? Besteht ein Paar aus einem Elektron und einem Defektelektron und mehrere Paare bestehn aus mehreren Elektronen und wieder nur einem Defektelektron? Ich weiß auch in der Fachliteratur findet man den Begriff „Elektronen-Loch-Paar“, allerdings seltener als die logische und meiner Meinung nach richtige Bezeichnung „Elektron-Loch-Paare“. --Cepheiden 16:51, 18. Jan. 2010 (CET) P.S. man findet auch die Bezeichnung "Elektronen-Löcher-Paare", die wenigstens berücksichtig das von beiden Teilchen mehrere vorhanden sind, aber dreimal Mehrzahl in einem Wort braucht man nicht oder?

Ich finde von der Logik betrachtet Elektron-Loch-Paare auch korrekt. Vom sprachlichen Klangbild klingt Elektronen-Loch-Paare ein bisschen melodischer, klanglich besser. Solche Aussagen sind selbstverständlich mit einem Hauch Subjektivität versehen (nicht signierter Beitrag von Tillmann Walther (Diskussion | Beiträge) 17:15, 18. Jan. 2010 (CET))

Fazit? --Cepheiden 17:51, 18. Jan. 2010 (CET)

Da es sich hier um wissenschaftliche Themen handelt, dominiert die Logik, also Elektron-Loch-Paar. Wie wäre es das Gesamtwikipedisch einheitlich einzuführen? -- Tillmann Walther 17:04, 20. Jan. 2010 (CET)

Solange du nicht klar zeigen kannst, dass Elektronen-Loch-Paar eine Falschschreibung ist, würde ich es lassen. 1.) gilt in der Wikipedia, dass nicht eine gültige Schreibweise gegen einen andere getauscht werden soll (Außnahm: Vereinheitlichung in einem Artikel) 2.) Zum anderen machst du dir damit evtl. nicht unbedingt Freunde und somit unnötig stress. Wenn die Falschschreibung aber klar ist, nur los. --Cepheiden 17:23, 20. Jan. 2010 (CET)

Schlagwörter

Folgende Schlagwörter sollten noch dazukommen:

Kenngrößen: Diffusionsspannung, Diffusionskapazität, Sperrschichtkapazität, Verarmungszone, Lawinendurchbruch --Jdiemer 12:24, 19. Sep 2004 (CEST)

Archivierung dieses Abschnittes wurde gewünscht von: -- Cepheiden 20:11, 3. Aug. 2010 (CEST)

Zeichnungen

Die Zeichnungen sind zu 99,9 % falsch, also zur verbindung der zwei halbleiter - und wenns nicht falsch ist, dann gehörts dringend überarbeitet weils niemand versteht, der den text liest und die bilder dazu sieht!

mfg (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 91.11.91.138 (Diskussion • Beiträge) 21:44, 28. Apr. 2007 (CEST))

Naja, direkt falsch sind sie nicht. Aber unvollständig und damit werfen sie mehr fragen auf als sie beantworten. Und Text gibt's dazu faktisch noch nciht. --Cepheiden 11:00, 3. Apr. 2008 (CEST)

Ich bin auch der Meinung, dass sie falsch sind. Wer mitzudenken versucht stellt schnell fest, dass das so nicht geht. Ist eben ein Modell. Sind eben populärwissenschaftliche Beschreibungen aus Ingenieurbüchern und nicht aus der Physik. Umschreiben geht nicht mehr, der Widerstand wäre zu gross und die Diskussionen endlos. Aber die die es merken sollten sich nicht entmutigen lassen, sie sind auf dem richtigen Weg. ;-) --Nurbert 18:41, 3. Aug. 2010 (CEST)

Wie sind denn die Abbildungen und Beschriebungen in der Physik? Bzw. wo sind die Unterschiede? Klär uns auf. --Cepheiden 20:09, 3. Aug. 2010 (CEST) P.S. Einige der bilder sind auch nicht mehr im Artikel. beachte die Diskussion ist 2 Jahre alt

Zum Glück hatten die in unserer Bücherei das Buch vom R.Müller (Siehe Artikel). Dort werden die Bilder aus dem Artikel nicht ein einziges Mal verwendet. Hingegen wird das Kristallgitter mit den Atomen und den Valenzelektronen aufgezeichnet. Auf S.25 ist dann auch in einer solchen Skizze die Modell-Position eines "Defektelektrons" markiert. Daraus wird sofort klar, dass es ein virtuelles Teilchen ist, also ein Modellanschauung, es ist real nicht vorhanden. Das Teilchen kann real daher auch nicht diffundieren. In der Modelldarstellung im Artikel wird eben ein virtuelles Teilchen eingezeichnet, dass dann im Modell eine Erklärung ermöglicht und zwar nur da. Im Text von R.Müller wird darauf auch hingewiesen, er nennt es ja auch "Konzept". Wenn man es weiss kann man es verstehen. Ich habe eher Probleme mit der Erklärung beim Bipolartransistor, die Erklärung dort ist überhaupt nicht mehr nachvollziehbar. --Nurbert 11:12, 4. Aug. 2010 (CEST)

Ich kenn leider das Müller-Buch nicht, aber natürlich ist das Defektelekton Teil einer Modellvorstellung (so wie fast alles in der Physik, selbst die Existenz eines Teilchen wie das Elektron fassen einige Physiker als "Modell" auf. Egal). Jedem der mit dem Begriff Defektelektron hantiert, sollte klar sein, dass es sich dabei um eine Modellvorstellung handelt und welche annahmen dort getroffen werden. Das Modell ist allgemein akzeptiert und beschreibt soweit mir bekannt, die physikalischen Verhältnisse ausreichend gut. Auch bringt uns die Erkenntnis, dass es sich um eine Modellvorstellung, bezüglich der Abbildungen und der von dir erwähnten Beschreibung aus der Physik nicht weiter. Ich versteh auch nicht ganz, wie du zu der Überzeugung kommst, dass es sich bei der Modellerklärung mithilfe von Defektelektronen um eine "populärwissenschaftliche Beschreibungen aus Ingenieurbüchern" handelt. Zum einen findet sich diese Erklärung auch in allen mir bekannten Physikbüchern zu diesem Thema (sicher auch besser beschrieben als im Artikel, aber darum geht es nicht) zum anderen fehlt eine alternative Erklärung "aus der Physik" deinerseits. --Cepheiden 13:43, 4. Aug. 2010 (CEST) P.S. Müller selbst ist Elektrotechniker

p-Dotierung im Siliciumkristallgitter mit Aluminium

Das Bild rechts zeigt die Sicht aus der Physik. Die "Fehlstelle" wird eben als Defektelektron bezeichnet. Tatsächlich fehlt aber elektrisch und physikalisch nichts, also rein virtuell nur im Gedankenmodell vorhanden. Das Modell hat eben nichts mit der Realität zu tun, auch wenn beim Rechnen richtige Resultate rauskommen. Auf Seite 72 beim Müller gibt es ein eigenes Kapitel "Löcherkonzept", in dem die Eigenschaften des virtuellen Teilchens berechnet werden (Es handelt sich nicht um ein Equivalent eines Positrons, andere virtuelle Masse). Wie wär es wenn der hier ganz unten erwähnte, rausgelöschte Abschnitt, am Ende des Artikels reinkäme, samt diesem Literaturverweis? Dann kann sich jeder selber über die realen Verhältnisse weiterbilden. --Nurbert 16:20, 4. Aug. 2010 (CEST)

Doch es fehlt ein Elektron, um das Molekülorbital in der Bindung Al-Si aufzufüllen. Dies Akzeptorstelle für ein Elektron ist kein Gedankenmodell sondern Realität. Energetisch liegt sie leicht oberhalb des Valenzbandes, was wichtig für den Leitungsmechanismus im p-dotierten Halbleiter ist. Das sich bei der Bewegung eines Defektelektrons stattdessen unzählige Elektronen bewegen äußert sich dann in der effektiven Masse des zur besseren Modellierung angenommen Defektelektrons. Und nochmal das Modell der Defektelektronen ist keine "populärwissenschaftliche Beschreibungen" irgendwelcher Ingenieure, die angeblich keine Ahnung haben, sondern das gängige Modell in der Festkörperphysik zur Erklärung von Vorgängen in Halbleitern. Wenn du dies weiterhin behauptest bitte ich dich nochmals alternative Beschreibungen vorzulegen und mir zu erklären warum dieses Modell von namenhaften Autoren (Physikern) wie Kittel, Ashcroft, Sah, Harten, usw. verwendet wird. Die Beschriebung unten habe ich gezielt rausgenommen, das sie noch weitere Fehlinterpretationen, wie sich bewegende Ionen mit in die Beschreibung einbringt. Einzig ein nochmaliger gezielter Hinweis was Defektelektronen sind, halte ich hier für sinnvoll. --Cepheiden 16:44, 4. Aug. 2010 (CEST) P.S. Ich wäre in der Hinsicht mit der Bezeichnung virtuelles Teilchen vorsichtig.

Ich denke ich weiss jetzt wo du den Knopf hast. Du schreibst: das gängige Modell in der Festkörperphysik zur Erklärung von Vorgängen in Halbleitern, das ist eben falsch. Korrekt müsstest du schreiben: das gängige Modell in der Festkörperphysik zur vereinfachten, mathematischen Beschreibung von Vorgängen in Halbleitern, das ist der feine Unterschied. In den Modellbildern sind die Defektelektronen als positiv geladene Teilchen (also Ionen) eingezeichnet, tut mir wirklich leid, ist nicht zu übersehen. Im Gitterbild oben gibt es kein positiv geladenes Loch oder Teilchen der Kristall ist neutral, das Valenzelektron könnte dort aufgefüllt werden wird aber gar nicht benötigt, für was denn auch. Die sogenannte "Fehlstelle" ist keine, die Verbindung ist stabil, der Witz ist, dass die Valenzen der Atome in der Umgebung jetzt sehr leicht ionisiert werden können und der Kristall leitfähig wird, das ist das ganze Geheimnis. Wie du doch selber sagst, das (virtuelle) Teilchen ist der gedachte Ersatz für den bewegten Elektronenschwarm, eben zur Vereinfachung. --Nurbert 17:03, 4. Aug. 2010 (CEST)

Haarspalterei hoch drei, Modelle dienen immer der vereinfachten Beschreibung. Und wie ich schon sagte alle Vorgänge in der Physik basieren auf Modellen und Theorien, was die Realität ist darüber kannst du dich ewig streiten. Auch die Bewegung eines Elektrons im Leiter oder Halbleiter ist nur ein Modell, das nicht besser ist als das der Defekelektronen. Und nein Defektelektronen sind keine positiv geladenen Ionen! Wenn dir das nicht klar ist, bitte ich dich dich darüber zu informieren was ein Ion ist. Und auch wenn ich mich wiederhole, mir fehlt immer noch deine "physikalische Beschreibung" des pn-Übergangs ohen Defekelektronen deinerseits und der Nachweis, dass das Modell der Defektelektronen falsch ist. --Cepheiden 17:12, 4. Aug. 2010 (CEST)

Tut mir wirklich leid, aber im Bild des Artikels sind runde, rote, positiv markierte Teilchen, genannt Defektelektronen, eingezeichnet und die gibt es im Teilchenzoo der Physiker eben nicht. Das wirst du zur Kenntnis nehmen müssen. Nach Stand der Physik ist das Modell also falsch. Ich verwehre dir die Verwendung des Modells ja gar nicht, ich wünsche nur eine Klarstellung im Artikel. Dass das Bild schlecht ist sind wir uns sowieso einig. --Nurbert 17:24, 4. Aug. 2010 (CEST)

Im Standardmodell gibt es viele Quasiteilchen nicht, die aber in vielen Bereichen der Physik zur Beschriebung von Vorgängen genutzt werden. Solange du mir nicht klar zeigst, dass die Modellvorstellung der Defektelektronen falsch ist und damit Fachautoren wie Kittel, Ashcroft, Sah, Harten, usw. offenbar seit Jahrzehnten Falschaussagen verbreiten bleibt das drin. Ein Hinweis, dass es sich bei dem Modell um eine Vereinfachung der Verhältnisse handelt (wie bei jedem Modell) ist in Ordnung, sollte aber spätestens damit klar sein, dass Defektelektronen eingeführt werden. Eine Überarbeitung kannst du gern vorschlagen, evtl erfahr ich dann endlcih was du unter der "physikalischen Beschreibung des pn-Übergangs" verstehst nach dem ich dich schon die ganze Zeit frage. --Cepheiden 17:32, 4. Aug. 2010 (CEST) P.S. Ein Buch das von einem Wissenschaftsjournalisten herrausgeben wurde über das diverser Fachautoren der (Festkörper-)Physik zu stellen, kann ich als Beleg nicht akzeptieren.

Na also sind wir uns einig. Wer tut den Hinweis rein, machst du das? --Nurbert 17:47, 4. Aug. 2010 (CEST)

Einig? Du sprichst die ganze Zeit davon, das Modell sei falsch. Dass du meinst wir müssen auf die Annahmen des Modells nochmals gezielt hinweisen, wurde nicht deutlich. --Cepheiden 18:18, 4. Aug. 2010 (CEST)

Du hast geschrieben: Ein Hinweis, dass es sich bei dem Modell um eine Vereinfachung der Verhältnisse handelt (wie bei jedem Modell) ist in Ordnung, sollte aber spätestens damit klar sein, dass Defektelektronen eingeführt werden. Also machen wir das, mehr wollte ich nicht. Die Defektelektronen werden mit diesem Hinweis erst eingeführt. Und dann kannst du sie im vereinfachenden Model weiterverwenden. Hiermit ist es def. deutlich gemacht. --Nurbert 22:45, 4. Aug. 2010 (CEST)

Nichtsdestotrotz ist die Abbildung im Artikel unsauber, vor allem dass dort positive und negative Atomrümpfe in der RLZ dargestellt werden. --Cepheiden 13:57, 4. Aug. 2010 (CEST)

Richtig, die Atomrümpfe sollten ganz aus der Zeichnung raus. Bei Jean Pütz / Einführung in die Elektronik / sind die auch nicht im Bild drin. Wer mit dem Defektelektronenmodell arbeitet, braucht die auch gar nicht. Der Begriff Rekombination im mittleren Bild wird dadurch sogar in das Gegenteil verkehrt, weil eine Ionisation vorangegangen sein müsste. Werden die Rümpfe aber weggelassen, so spricht man im Modell von Rekombination der Elektronen und Defektelektronen. --Nurbert 16:06, 4. Aug. 2010 (CEST)

Jean Pütz (meiner Meinung nach nicht der aus der hobbythek), ist nur ein Autor, der meiner Meinung nach nicht unbedingt zu den am häufigsten zitierten zählt. Es gibt ebenso Physikbücher, die dies so darstellen. Mit unsauber mein ich auch nicht zwangsläufig falsch, sondern durch die fehlende Legende in der Abbildung und der Trennung von beweglichen Ladungen und festen Ladungen, führt das bild leicht zu Falschinterpretationen. Denn die angeblich negativen Atomrümpfe im p-Gebiet sind ja erst nach der Rekombination von Akzeptorstelle (Defektelektron) und Elektron negativ geladen. und analog sind die Verhältnisse im n-Gebiet --Cepheiden 16:59, 4. Aug. 2010 (CEST)

Siehste, jetzt bist du selber auf das falsche Bild reingefallen obwohl du es bemängelt hattest. Rekombination ist so zu verstehen, dass eine Neutralisation statt findet. Wenn nach der Rekombination ein Atom negativ aufgeladen ist, stimmt was mit der Nomenklatur nicht Rekombination_(Physik)#Rekombination_im_Halbleiter. --Nurbert 17:09, 4. Aug. 2010 (CEST)

Wie bezeichnest du den Übergang eines Elektrons das aus eine Donatorstelle (über das Leitungsband eines Kristalls) zu einer Akzeptorstelle wandert? --Cepheiden 17:14, 4. Aug. 2010 (CEST)

Die Loslösung von der Donatorstelle bezeichnet man in der Physik als Ionisation. Die Bewegung des Valenzelektrons zum Akzeptor (Also der gesammte Ablauf der Verschiebung des Ladungsschwerpunkts am PN-Übergang, das meintest du doch?) nennt man eine Chemische Reaktion. Ich weiss, klingt komisch in dem Zusammenhang, ist aber so. ;-) --Nurbert 17:31, 4. Aug. 2010 (CEST)

Ob eine "chemische Reaktion" darüber lässt sich streiten, eine Reaktion auf jedenfall. Ob der beschriebene Vorgang eine Rekombination ist kann man ebenfalls streiten, dies ist aber die gängige Beschreibung. Außerdem ist eine Rekombination (z.B. Elektron positives Ion) auch nur eine spezielle Reaktion. --Cepheiden 17:39, 4. Aug. 2010 (CEST)

Negativ, lies nochmals: Rekombination_(Physik)#Rekombination_im_Halbleiter --Nurbert 17:45, 4. Aug. 2010 (CEST)

Wolltest du nicht zeigen, dass der Vorgang keine Rekombination ist? --Cepheiden 18:18, 4. Aug. 2010 (CEST)

Eigentlich nicht, hast ja du schon gemacht, oben. Aber dann halt doch: Atomrümpfe sind immer positiv geladen. Drum ist das Bild auch schlecht, hast du ja selber geschrieben. Wenn du sie weglässt, kannst du die Elektronen und Defektelektronen im Modell-Bild rekombinieren lassen und darüber hinaus dann die beiden Raumladungen entstehen lassen. Das macht sogar der Tipler (Seite 1361, Physik ISBN 3-86025-122-8) und das Buch hat gute Referenzen. Ich werde ev. ein neues Bildchen malen, das alte ist wirklich schlecht. Du hast jetzt sowohl für den Hinweis als auch für ein Besseres Bild seriöse Referenzen zum Anführen, damit sollten deine Bedenkenaber jetzt wirklich vom Tisch sein, alles gut belegt und nachvollziehbar. --Nurbert 23:12, 4. Aug. 2010 (CEST)

Also, das Bild macht keine Aussagen darüber was die dreieckigen Symbole bedeuten, das macht die Bildunterschrift im Artikel, die du ja verbessert hast. Dennoch zeigt die Diskussion, dass man das Bild nur schwer richtig interpretiert, man könnte fast sagen, man muss wissen was passiert um das Bild zu verstehen. Wenn du einen Idee hast wie man es auch für Laien besser darstellt ist allen geholfen. Mir fällt auf die Schnelle auch nichts anderes ein, als den Aspekt mit der getrennten Darstellung von Elektronen/Defektelektronen und den ionisierten Atomen außerhalb der Raumladungszone wegzulassen. So wirklich glücklich bin ich damit aber auch nicht.

Was soll der abschließende Hinweis? Entsprechende Referenzen hatte ich auch schon vorher zu hauf. Ich hatte deine Argumentation bemängelt, be der du mehrfach Aussagen wie folgende gemacht hast:

1. „Nach Stand der Physik ist das Modell also falsch.“
2. „... es sich bei der Modellerklärung mithilfe von Defektelektronen um eine "populärwissenschaftliche Beschreibungen aus Ingenieurbüchern" handelt“
3. „Tatsächlich fehlt aber elektrisch und physikalisch nichts, also rein virtuell nur im Gedankenmodell vorhanden. Das Modell hat eben nichts mit der Realität zu tun, auch wenn beim Rechnen richtige Resultate rauskommen.“

Dies sind deutliche Aussagen deinerseits. Einen Nachweis für die Unrichtigkeit des Modells oder eine alternativ Beschreibung hast du auch auf mehrfache Nachfrage nicht geliefert. Stattdessen scheinst du nun, deine Meinung bezüglich des Modells geändert zu haben und gibst dich mit einer (kleinen) Korrektur zu frieden („... mehr wollte ich nicht“). Du musst verstehen, dass dies für mich verwirrend ist. Es wäre kein Problem gewesen, diese notwendige Korrektur [1] gleich zu machen, aber stattdessen hast du das gesamte Modell angegriffen. Nunja wenn dieser Punkt nun geklärt ist, können wir uns ja gezielt nochmals an die Verbesserung der Abbildung kümmern. --Cepheiden 07:58, 5. Aug. 2010 (CEST)

Hinweis: commons:Category:PN-junction_diagrams --Cepheiden 08:21, 5. Aug. 2010 (CEST)

Danke für den Link. Dort sind auch Bilder wie sie auch der Tipler verwendet und die die unnötigen Ionen weglassen. Im Model ist die Erklärung dann widerspruchsfrei. Siehe zB. da, http://commons.wikimedia.org/wiki/File:PnJunction-E.PNG

p.s. Habe mal ein angepasstes Bild im Artikel als Vorschlag eingefügt. --Nurbert 13:26, 5. Aug. 2010 (CEST)

Artikel sollen keine Entwurfsversionen sein, daher sollten Vorschläge auf die Diskussion anderen falls ist es kein simpler Vorschlag mehr.

Zum Bild, findest du das wirklich erklärender als das alte? So wie ich es jetzt im Artikel sehe, würde ich denken auch die Gebiete außerhalb der RLZ sind geladen (denn Elektronen und auch Defektelektonen haben eine Ladung) und woher dann die Plus und Minus in der RLZ kommen bzw was sie dastellen ist nun auch schwerer zu erfassen. Eine wirkliche Verbesserung stellt es meiner Meinung nach jedenfalls nicht da. --Cepheiden 20:58, 5. Aug. 2010 (CEST)

Raumladungszone vergrößert durch Pluspol an n-Schicht?

Abschnitt: "p-n-Übergang bei angelegter elektrischer Spannung"

Zitat: "Durch Anlegen einer äußeren Spannung in Sperrrichtung (+ am n-Kristall, − am p-Kristall) wird das Feld der Sperrschicht verstärkt und die Ausdehnung der Raumladungszone vergrößert. Elektronen und Löcher werden von der Sperrschicht weg gezogen."

Wieso vergrößert sich denn bitte die Raumladungszone, wenn ich den Pluspol an die n-Schicht lege?

Die Raumladungszone entsteht doch dadurch, dass Elektronen durch die Diffusion von der n- in die p-Schicht fließen.

Wenn ich nun den Pluspol an die n-Schicht lege, werden die Elektronen doch wieder zurückgezogen und die Raumladungszone müsste sich VERKLEINERN!

Was ja auch im letzten Satz des Zitates steht, allerdings ein direkter Widerspruch zur Behauptung davor ist... -_-' Laut Einleitungstext und folgendem Bild gilt ja offensichtlich: Sperrschicht = Raumladungszone.

http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/5/52/Pn-junction-equilibrium-graph.svg

Danke im Voraus

Gruß

Richard (nicht signierter Beitrag von Tequila87 (Diskussion | Beiträge) 13:45, 6. Jun. 2012 (CEST))

Hallo,

• „Wieso vergrößert sich denn bitte die Raumladungszone, wenn ich den Pluspol an die n-Schicht lege?“

Ganz einfach weil die Spannung dafür sorgt, dass die Ladungsträger in die jeweiligen Richtungen abgezogen werden. Dadurch wird der Diffussionsstrom unterdrückt, das Gleichgewicht zwischen Diffusionsstrom und Driftstrom ist gestört und die Spannung über der RLZ vergrößert sich. Für Details verweise ich auf die Vielzahl von Büchern zu diesem Thema. --Cepheiden (Diskussion) 15:51, 6. Jun. 2012 (CEST)

Einleitung

"Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor." Diese Stelle halte ich für völlig ungeeignet. Ein Anfänger kann sich denken, dass die Dotierung sich bewegt und der Satz hat auch keine sonderliche Aussagekraft. "pnübergänge kommen in der halbleitertechnik häufig vor." Gruß (nicht signierter Beitrag von 91.44.158.181 (Diskussion) 14:46, 17. Jun. 2012 (CEST))

Naja, da müsste man mal die ganze Einleitung überarbeiten. Heute komme ich aber nicht dazu. --Cepheiden (Diskussion) 16:59, 17. Jun. 2012 (CEST)

Weite?

Was hat die Weite für eine Einheit? Ich komme nicht auf eine Länge, sondern auf irgendwas komisches (A*m*s/V), wenn ich die "Dotierungen" als Konzentration (also Anzahl / Volumen) behandle. -- Amtiss, SNAFU ? 17:52, 9. Okt. 2012 (CEST)

Da würde mich interessieren, was du für eine Einheitenrechnung gemacht hast, denn:

$\mathrm {\sqrt {{\frac {A\cdot s}{V\cdot m}}\cdot {\frac {1}{C}}\cdot {\frac {1}{m^{-3}}}\cdot V}} =\mathrm {\sqrt {{\frac {A\cdot s}{V\cdot m}}\cdot {\frac {m^{3}}{A\cdot s}}\cdot V}} =\mathrm {\sqrt {m^{2}}} =\mathrm {m}$

Für mich ist das eine Länge. Grüße --Cepheiden (Diskussion) 18:16, 9. Okt. 2012 (CEST)

Alles klar, Epsilon_r hatte bei mir auch eine Einheit... Und warum nennt man das Ding nun Weite? Ich mein da wird ja kein Kleidungs- oder Möbelstück beschrieben :) -- Amtiss, SNAFU ? 22:02, 9. Okt. 2012 (CEST)

Woher die Bezeichnung kommt kann ich dir nicht sagen, ich darauf, dass man sich hier an der englischen Bezeichnung "width" orientiert hat. Einige Autoren nutzen auch den Begriff Länge [2]. Nicht unüblich aber nach meinem Gefühl klar in der Minderheit. Lustigerweise wird Weite und Länge dann auch im selben Buch abwechselnd genutzt [3] & [4].--Cepheiden (Diskussion) 08:24, 10. Okt. 2012 (CEST)

signifikanter elektrischer Strom

Im Abschnitt p-n-Übergang bei angelegter elektrischer Spannung ist von einem signifikanten elektrischen Strom die Rede. Ich würde das Wort signifikant gerne für Dinge reserviert sehen, die man wirklich einem statistischen Test unterzogen hat. Vielleicht wäre messbar hier das bessere Wort? --79.194.255.226 12:44, 13. Nov. 2013 (CET)

Signifikat soll hier sicher im Sinn von "deutlich höher als der Leckstrom" bedeuten. Messbar wäre etwas anderes und ist auch sehr von der verwendeten Messtechnik abhängig. --Cepheiden (Diskussion) 14:59, 16. Nov. 2013 (CET)

Link fehlerhaft

Der Link im Abschnnitt "Weblinks" "3D-Animationen zum Thema", welcher zu #WEITERLEITUNG [[5]] führt, ist nicht mehr aktuell. (nicht signierter Beitrag von PhiLosove (Diskussion | Beiträge) 15:07, 9. Feb. 2015 (CET))

Archivierung dieses Abschnittes wurde gewünscht von: --Qcomp (Diskussion) 20:56, 8. Feb. 2018 (CET)

Animierte Grafik

Hallo, ich halte die neu eingefügte Grafik DIFF nicht geeignet für den Artikel. Die Grafik ist zu wenig erklärend und wird quasi auch nicht erklärt, so dass ein Laie überhaupt nicht verstehen wird worum es in den "zappelden" Grafik geht. Wenn es keine guten Argumente gibt, werde ich das demnächst wieder löschen. --Cepheiden 09:50, 24. Apr. 2010 (CEST)

Hinweis zur Beschreibung

„Die nachfolgende Erklärung verwendet das, von William B. Shockley entwickelte, Modell zur vereinfachten mathematischen Behandlung und darf nicht unmittelbar als Beschreibung der tatsächlich auftretenden physikalischen Vorgänge aufgefasst werden. So bewegen sich keinesfalls real positiv geladene Ionen, oder "Löcher" durch den Festkörper-Kristall. Für die praktischen Berechnung sind daher auch einige Normierungen nötig. Für die detailierte, physikalische Behandlung werden die Werkzeuge der Quantenphysik benötigt, was hier aber zu weit führen würde.“

– 213.162.66.148: DIFF-Link

Ich habe den zitierten Abschnitt wieder entfernt, da ich nicht sehe, dass dieser Hinweis eine Verbesserung für den Artikel darstellt. Zunächst wird im Artikel nicht von Ionen gesprochen, sondern klar auf Löcher/Defektelektronen eingegangen. Ein solcher Hinweis sorgt erst dafür, dass diese Fehlannahme getroffen wird. Auch ein Hinweis auf "Werkzeuge der Quantenphysik" ist ohne Verweis auf eine Quelle in der dies behandelt wird sinnfrei. --Cepheiden 09:21, 20. Mai 2010 (CEST)

Realisierung Löschen / (Quasi-)Ferminiveau? / Bilder

Ich finde, der Realisierungsteil gehört gelöscht. Wie man ein Material dotiert steht im Artikel Dotierung und muß hier nicht mehr getrennt erklärt werden. Da ich aber gerade die Hälfte aus dem Anfangsteil gelöscht habe.. habe ich ein schlechtes Gewissen und schreib es lieber in die Diskussion.

Ich vermisse in dem Artikel allerdings das Ferminiveau. Habe mal zwei neue Bilder als Vergleich danebengesetzt, ohne das alte Bild:Halbleiter2.PNG zu löschen. Finde es gut gemacht zum Veranschaulichen, aber es weicht sehr stark von Literatur ab (und ionisierte Dotieratome in der Bandlücke sind auch nicht so einwandfrei). Möchte auch den Übergang zum Drift-Diffusions-Modell führen. Darum auch die neuen Bilder. Mache Spannungs-Bilder auch noch, damits paßt. Umm.. Meinungen? Degreen 03:52, 18. Apr 2006 (CEST)

Nach 13 Jahren, imo:

Archivierung dieses Abschnittes wurde gewünscht von: arilou (Diskussion) 09:24, 7. Nov. 2019 (CET)

Diffusionsspannung

Stimmt das mit der Diffusionsspannung eigentlich? In der aktuellen Version steht: "Bestehen die Schichten aus Silizium beträgt die Diffusionsspannung ca. 0,6 bis 0,7 V" Habe noch eingefügt, daß das material- und dotierungsabhängig ist (bei geringer Dotierung ist die Spannung sicherlich nicht so hoch). Ich glaube aber ehrlichgesagt sowieso nicht an einen typischen Wert dafür. Hat den jemand irgendwo gelesen? Glaube, den Satz kann man sich schenken. Degreen 04:52, 9. Apr 2006 (CEST)

Nach 13 Jahren, imo:

Archivierung dieses Abschnittes wurde gewünscht von: arilou (Diskussion) 09:24, 7. Nov. 2019 (CET)

Grafik

Die Grafik ist recht informativ. Mir fällt jedoch auf, dass demnach an den Enden ein elektrisches Potential, also eine Spannung, vorhanden ist. Diese Spannung ist aber nicht messbar. Wo liegt der Fehler? --Gueziv (Diskussion) 10:44, 20. Jan. 2015 (CET)

Ich bin zwar kein Halbleiter-Physiker, aber meine Idee wäre:

Vielleicht kommt es auf die Art der Messung an?

Was wohl nicht geht, ist eine Messung, die Energie verbraucht - also einen Stromfluss benötigt. Denn dann müsste der Halbleiter Leistung abgeben (als Stromquelle agieren). Solche p-n-Übergänge gibt's, nennen sich „Solarzellen“ (sind den Dioden tatsächlich ähnlich im Aufbau).

Eine Messung, die keinen Stromfluss benötigt, sollte aber tatsächlich den Potentialunterschied anzeigen können. Braucht vmtl. spezielle Messgeräte, das Allzweck-Voltmeter wird wohl tatsächlich nicht funktionieren.

--arilou (Diskussion) 09:20, 7. Nov. 2019 (CET)