Diskussion:Spitzentransistor

Aufbau

Schnittzeichnung pnp-Spitzentransistor

Hallo, wie kommt der 4-Schicht-Aufbau genau zustande? Konkret geht es mir dabei um die n-Schicht am Kollektor-Kontakt. Ich gehe mal davon aus das Emitter und Kollektor aus dem selben Metall gefertigt sind, somit müsste sich eigentlich auch dergleiche Kontakt ausbilden. Warum geschieht dies nicht und was hat der erwähnte Stromstoß damit aufsich? --Cepheiden 19:32, 18. Jan. 2008 (CET)

Etwas komisch ist, das NorbertR. im Text schreibt das es ein Thyristor ist, aber in der Bildunterschrift (Orginal) dennoch NPN steht.

Das der Spitzentransistor zugleich Anfang und Sonderfall der Bipolarentransistoren ist, macht das ganze auch nicht einfacher.

Komisch ist übrigens en:Point-contact transistor#Unusual characteristics, die Kollegen von en.wikipedia seinen ähnliche Verständnis Probleme zu haben.

Ist es möglich, das diese n-Schicht beim Kollektor "zufällig" und nicht bei jedem Spitzentransistor entsteht/entstand? Das würde auch "Stromverstärkung in Basisschaltung: 0,2…3", also das ein recht grosser Bereich (mehr als Faktor 10) zwischen minimaler und maximaler Verstärkung besteht erklären.

Das wenn sie entsteht, sie dem Kollektor zugeordnet wird, ist naheliegend, denn beim damaligen Herstellungsverfahren musste ja wahrscheinlich jeder einzelne Transistor geprüft und gemessen werden und der geeigentere Anschluss wurde dann vermutlich kurzerhand zum Kollektor bzw. Emiter deklariert.

-- MichaelFrey 10:42, 19. Jan. 2008 (CET)

Hallo habe die Frage jetzt erst gesehen. Das Problem ist das gleiche wie bei der Spitzendiode, die absichtlich verschweisst wurde, wenn die Daten auch schlechter werden durften. Was ich in den alten Büchern gefunden habe ist folgendes (die wussten das aber auch nicht so genau): 1. Spitzen z.B. Phosphorbronze könnten beim kurzen Schmelzprozess Dotierungsstoffe abgeben und eine schmale Randzone "umpolen". 2. Bei der Abkühlung findet keine vollständige Rekristallisierung mehr statt und die Fehlstellen im Gitter wirken durch ihre Rekombinationsfähigkeit wie zB. eine P-Dotierung.

Bei den "modernen" Spitzendioden wurde ev. durch Nachbehandlung die Rekristallisierung wieder forciert, das ist ja heute bei der Ionenimplantation ein Muß und Standard. Beim Spizentransistor war aber sowieso so ziemlich alles noch Zufall. Sorry, daß ich nicht mehr habe. Ev. werde ich den Bücherstapel nochmals durchackern. --NorbertR. 23:25, 19. Jan. 2008 (CET)

p.s. Das Formieren wurde nur beim Kollektor gemacht! Vermutung: Der Abstand der Spitzen war kritisch und musste auf jedenfall unter 50um kommen, aber montagemässig nur schwer zu erreichen. Durch den vergrösserten Kollektorfleck wurde der "Abstand" zum Emitter aber verkleinert, bzw. die Basis dünner. Aber ich weiß nicht ob die ganzen Spekulationen im Artikel gut aufgehoben wären. --NorbertR. 23:54, 19. Jan. 2008 (CET)

Hallo, ja da sind noch einige Sachen zu klären. Würde mich freuen wenn wir das hinbekommen, denn derzeit ist die Funktionsweise bzw. Herstellung noch unzureichend. IN welchen Büchern schaust du NorbertR., nur die, die du als Quelle angeben hast? --Cepheiden 11:23, 20. Jan. 2008 (CET)

Sinnvolles habe ich nur gefunden, bei: Kristallodentechnik Aufl. 1+2 (Steht grad bei ebay drin!) / Der Transistor Joachim Dosse (Ganz tolle Fotos!) / Flächentransistoren Karl Otto VEB-Verlag (blabla. Gibts aber noch bei ebay). Das Problem ist, daß nachdem Bell das Lizenzsymposium 1952 gemacht hatte (Teilnahmegebühr 100'000$ !) und auch den Flächentransistor vorstellte, alle gleich anfingen auch Flächentransistoren zu bauen und sich mit dem Spitzentransistor keine grosse Mühe mehr machten. Ich schau mal ob ich noch was von Bell finde. --NorbertR. 16:11, 20. Jan. 2008 (CET)

Habe jetzt original Symposiumsunterlagen von 1951 erhalten (Fast geschenkt, da ex. Library und gebunden). Da steht auch nicht mehr drin. Die wussten es wirklich nicht. In den Unterlagen steht auch, daß Prototypen von Flächentransistoren schon im Einsatz sind und die Theorie von Shockley schon weit entwickelt ist. Damit war auch für Bell der Spitzentransistor so gut wie fast gestorben.--NorbertR. 09:52, 10. Mär. 2008 (CET)

Abschnitt Aufbau und Eigenschaften

Hallo, mein Verständnis des Aufbaus ist ein grundsätzlich anderer als der im Artikel angegebene: Der erste Transistor bestand aus 2 Schottky Metall-Halbleiterbergängen. Für die Fertigung wurde ein(!) sehr dünner Streifen GoldWolfram-folie (hiernach doch Goldfolie) über eine Kante des Isolator 'Dreiecks' geklebt. An den Seiten würden die Anschlüsse angelötet und in der beklebten Spitze des Deiecks wurde mit einer dünnen, scharfen Klinge die Folie durchtrennt, so dass die beiden Enden keinen elektrischen Kontakt mehr hatten. Mittels der, zugegebenermaßen recht primitiv ausgelegten Feder, wurde diese präparierte Spitze auf das n-dotierte Germaniumplättchen gedrückt. Die Rückseite des Germaniumplättchens war auf einem Metallträger aufgelötet, dessen elektrischer Anschluß die Basis bildete. Der Kollektor wird durch das einmalige, kurzzeitige Anlegen einer Rückwärtsspannung (Plus am Kollektor, Minus an der Basis) erzeugt. Fertig. --Mirko Junge 23:21, 15. Aug. 2009 (CEST)

Quellen:

• J. Bardeen, W. H. Brattain: The Transistor. A Semi-Conductor Triode. In: Physical Review. Band 74, 25. Juni 1948, S. 230–231. 

Die von Bardeen, Brattain vorgeschlagene Funktionsweise des Transistors findet sich in einem 'Letter' in der selben Ausgabe der Physical Review, der mir aber leider nicht vorliegt. --Mirko Junge 02:43, 16. Aug. 2009 (CEST)

Verwechselung Transistor <-> Thyristor?

Müßte es nicht vielmehr statt "da es zum ungewollten Schalten des Transistors" "da es zum ungewollten Schalten des Thyristors" heißen? --84.148.82.55 18:40, 29. Mär. 2024 (CET)