Diskussion:Thermische Oxidation von Silizium

Dieser Artikel war am 4. März 2021 der Artikel des Tages.

nasse Oxidation

google grad ne Weile bezüglich dieses Themas... Ist die gegebene Formel so korrekt?

${\rm {Si+2\ H_{2}O(g)\rightarrow SiO_{2}+2\ H_{2}(g)}}$

habe bereits mehrere Varianten gesehen. So wie sie aber im Text steht, fehlt doch einmal O, nicht? (nicht signierter Beitrag von Foxd1983 (Diskussion | Beiträge) 18:04, 22. Nov. 2009 (CET))

Nein die Formel ist ausgeglichen und meiner Meinung nach korrekt. --Cepheiden 19:00, 22. Nov. 2009 (CET)

Review: Dezember 2009

Die thermische Oxidation (von Silizium) ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungverfahren, bei dem auf einem einkristallinem Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) eine dünne Schicht aus Siliziumdioxid aufgebracht wird. […]

Der Artikel wurde erst vor einigen Wochen von mir angelegt und bisher wenig beachtet (der Fachbereich ist in der wikipedia stark unterbesetzt), meiner Meinung nach aber in einer Review-tauglichen Qualität. Ich bitte um Anregungen und konstruktive Kritik, so dass der Artikel weiter verbessert wird. Ziel soll eine erfolgreiche Kandidatur für eine Auszeichung sein. Grüße Cepheiden 10:14, 17. Dez. 2009 (CET)

Hier eine Biologen-Meinung :-) -- der Artikel ist klein aber fein, das Thema scheint mir gut abgedeckt und sehr kompetent abgehandelt. Der Artikel hat mir Spass gemacht beim Lesen und einige sprachliche Verbesserungen habe ich bereits eingebracht. Einige Dinge moechte ich aber doch gerne anmerken:

• Mir scheint der Artikel von einer Fachperson geschrieben, daher ist er leider auch etwas abgehoben fuer den durchschnittlichen WP Leser. Die Anwendung wird nur am Ende erwaehnt und wird auch dann nicht konkret genug. So waeren zwei drei Saetze ala "Das ganze braucht man um Computer etc. zu bauen" sehr hilfreich, sowohl in der Einleitung als auch in dem Abschnitt "Anwendung". Zumindest imho koennte man da die Gewichtung etwas verschieben, ev. auch "Anwendung" nach oben verschieben. Erstmal nur ein zusätzlicher Satz in der Einleitung Ok
• Die {111} und {100} Oberflaechen habe ich nicht verstanden, vielleicht koennte da ein Satz zur Erklaerung hin, was das genau ist ev. mit Link Kurzbeschreibung hinzugefügt; entsprechende Wikilinks angegeben Ok
• Bei "Oxidationstechniken und Anlagen" scheint mir noch etwas Verbesserungsbedarf:
  • Was heist haeufiger als frueher - ist die horizontale Methode in mehr als 50% aller Neuanlagen oder nur von 1% auf 2% gestiegen?Nach kleiner Recherche hat sich rausgestellt, dass vertikale Öfen für Wafer mit Durchmesser größer 150 mm bevorzugt eingesetzt werden. So steht es nun auch im Artikel, die Relativangaben sollten nihct mehr im Artikel sein. Ok
  • Ich verstehe horizontal und vertikal nicht -- das bezieht sich doch auf die Lagerung der Waver. Somit waere es logisch, dass bei horizontalen Oefen der Staub nur auf den obersten Waver fallen kann, da steht aber das sei bei vertikalen Oefen der Fall. Irgendwie habe ich das gar nicht verstanden oder es hat einen Fehler; kommt der Luftstrom ev. nicht von oben -- dann ware aber fallen das falsche Wort denke ich?Sollte nach der Überarbeitung von Dr.cueppers und mir nun verständlicher sein. Ok
• Was ebenfalls bemerkt ist, dass die anderen Verfahren wie chemische Gasabscheidung und Sputterdeposition zwar erwaehnt werden aber nirgendwo beschrieben. Auch wenn sie nicht unter "thermische Oxidation" fallen, koennte man ein/zwei Saetze dazu schreiben.
• Das Deal-Grove modell wuerde ich eher etwas reduzieren in der Mathematik, eine quadratische Gleichung loesen kann man schnell noch. Wichtiger scheinen mir hier die impliziten Annahmen zu sein die erwaehnt werden sollten und wie gut das in der Praxis funktioniert.

Wie gesagt, ich bin kein Fachmann aber ich hoffe, dass dir dies weiterhilft. Gruss --hroest Disk 09:30, 18. Dez. 2009 (CET)

Vielen Dank für die Anmerkungen, ich werde mich die Tage mal gezielt darum kümmern, den Artikel laientauglicher zu gestallten. Das mit den Öfen ist eigentlich recht simpel, bei vorizontalen Öfen sind die Wafer quasi in die Höhe gestapelt, bei horizontalen Öfen (vgl. Bild im Artikel) stehen sie hingegen nebeneinander, so kann "fallender" Staub links und rechts vorbeifallen und kan sich an den großen Flächen der Wafer anlagern. Ich schau mir das nochmal an. Eine Grafik wäre wahrscheinlich am hilfreichsten. Grüße --Cepheiden 10:10, 18. Dez. 2009 (CET)

Interessanter Artike. Einige Anmerkungen:

• Wikilinks könnten mehr sein, Dinge wie Diffusion, Oxidation, Durchbruchsfestigkeit (nur als Beispiele, gibt sicher noch mehr) sollten verlinkt sein.Diverse Wikilinks ergänzt. Ok
• nur sehr wenige Einzelnachweise (steht wahrscheinlich alles in der angebenen Literatur, für manches wie die Prozentangaben für den Verbrauch von Silicium oder die Bauart der Öfen, gibt aber wahrscheinlich noch mehr, einfach mal kritisch durchgehen, wären EN sinnvoll).Die Prozentangaben sind immer gleich und stehen in allen Büchern. Zu den Bauarten habe ich leider noch nichts spezielles gefunden. Ansonsten schau ich mal. Ok
• Fettschrift im Text ist nicht so schön, vielleicht besser kursiv?Sollten eigentlich mal Weiterleitungen werden. Die Änderung hast du ja schon eingepflegt. Ok
• ich bevorzuge Silicium gegenüber Silizium als Schreibweise Ja, wie die Redaktion-Chemie das für den Chemiebereich festgelegt hat, da die entsprechende DIN aber nicht mher existiert, hab ich die im Fachbereich typische Schreibweise gewählt. Ok
• Gibt es was zur Geschichte und Entwicklung des Verfahrens? Ist mir nicht bekannt, ich schau mal.
• kann man die TeX-Gleichungen im Deal-Grove-Modell-Kapitel noch so setzen, dass die 2 vom SiO₂ tiefer steht?Hat schon ein anderer Nutzer erledigt. Ok

Ansonsten imo durchaus ein Kandidat für lesenswert. Viele Grüße --Orci Disk 23:09, 18. Dez. 2009 (CET)

"Ofen":

Das Bild vom horizontalen Ofen und die Beschreibung "passen nicht so recht zueinander". Ich sehe im Bild jedenfalls auf jeder der 4 Etagen eine Horde mit Platz für je ..zig Wafer. Ist auf der rechten Seite nur zufällig gerade nichts drin und passen da noch weitere Horden hinein oder wird immer nur der Platz ganz links belegt? Wenn ja, wofür ist rechts der viele Platz da?

Unten liegt etwas in Plastik (?) Verpacktes (?); wie passt das zu den Temperaturen im Ofen?

Der Ofen im Bild sieht so "offen" aus, das ist verblüffend.

Die vier "dicken Löcher" an der linken Wand sind nicht erklärt, sind die für die Wärme- und Sauerstoffzufuhr mit Gebläsen?

In der Beschreibung ist seit einer heutigen Änderung von "Rohren" die Rede, wo sind die im Bild? Fahren die etwa zum Betrieb aus den dicken Löchern heraus?

Befindet sich dann jede der "Horden" auf einem ganz langen, rechts getragenen "Balkon"?

Sind auf dem Bild "4 Öfen" oder "1 Ofen mit vier Rohren"?

Der Ausdruck "horizontaler Ofen" mag dann zwar im Betrieb üblicher slang sein, aber horizontal ist eher die Heiz- und Begasungsrichtung.

In diesem Zusammenhang wäre auch ein Bild von einem "vertikalen" Ofen gut, der wohl auch nur so genannt wird, weil er "von oben nach unten" beheizt und begast wird (?)

Gruß -- Dr.cueppers - Disk. 15:30, 19. Dez. 2009 (CET)

Lemma:

"Thermische Oxidation" ist ein so genereller Begriff, dass man hinter diesem Lemma eine physikochemische Erklärung für "alle thermischen Oxidationen" vermutet (wovon es viele gibt); jedenfalls bin ich als Chemiker genau darauf hereingefallen. Ich sehe "Thermische Oxidation" auch in gleichwertiger Konkurrenz zu "Chemische Oxidation", "Elektrochemische Oxidation", "Elektrische Oxidation" (ELOXAL), "Katalytische Oxidation" ...

"Thermische Oxidation" mag zwar ein in einem Waferbetrieb üblicher slang sein, aber korrekt wäre die (ja schon in der Einleitung angedeutete) Formulierung "Thermische Oxidation von Silicium" oder besser "Thermische Oxidation von Siliciumwafern":

Hiermit "Verschieben" beantragt!.

Gruß -- Dr.cueppers - Disk. 15:30, 19. Dez. 2009 (CET)

Erstmal danke für das viele Feedback. Die Fotos sind nicht von mir, ich kenn diese Anlage daher auch nicht. Es ist aber wohl "1 Ofen mit vier Rohren". Dabei handelt es sich generell um Diffusionsöfen, die nicht nur zur thermischen Oxidation genutzt werden. So wie es mir erscheint ist es der Zustand beim Beladen/Entladen. Für die Prozessierung werden die Wafer in die Ofenrohre links hinter der runden Blende ("dicken Löcher") gefahren. Wofür bei der Anlage der nicht genutzte Platz rechts dienen soll, kann ich ebenfalls nicht sagen.Unten sind drei Waferbehälter (für vermutlich 5- oder 6-Zoll-Wafer) zu sehen; dabei ist der ganz rechts sogar noch oder schon eingeschweisst (vor den externen Transport). Daneben sind zwei/drei spärlich belegte Boote/Horden.Was horizontal und vertikal angeht, nein nicht nur die Zuleitungen sondern auch die Anordnung der Wafer ist komplett anders, evtl. helfen diesebeiden Firmenseite ja weiter [1] [2].

was das Lemma angeht, ja thermische Oxidation ist, wenn man alle Fachbereiche betrachtet, sicher nicht ganz eindeutig. In der Halbleitertechnik ist das aber der entsprechende Ausdruck. Man könnte auch "thermische Oxidation von Silizium" sagen, macht aber eigentlich fast niemand. Gegen eine solche Verschiebung (möglichst nach der Review) spricht aber nichts. --Cepheiden 15:58, 19. Dez. 2009 (CET)

Noch ein Diskussionsbeitrag zum Verschieben: "Thermische Oxidation (Silizium)" - obwohl Klammerlemmata nicht unbedingt beliebt sind.

Frage: Wird zur Oxidation Luft verwendet oder braucht man Sauerstoff (d. h. stört Stickstoff?); das sollte im Artikel erwähnt werden.

Anregung zur Bildunterschrift: "Beschickungsseite eines horizontalen .... " - dann fallen die ganzen oben gestellten Fragen weg und man stellt sich das Ganze gleich richtig vor.

Gruß -- Dr.cueppers - Disk. 19:19, 19. Dez. 2009 (CET)

Mhh, Luft wird nicht genommen, wenn dann reiner Sauerstoff. Stickstoff stört meiner Ansicht nach nicht die Reaktion, es könnte aber sein, dass es sich in irgendeiner Form im Oxid einbaut und daher stört. Bei reinem Sauerstoff hat man meiner Meinung auch nicht das Problem, dass evtl noch weitere Gase oder gar Wasser sich an der Reaktion beteiligen. Ich denke Thermische Oxidation (Silizium) sollte nicht in Frage kommen, dann lieber "... von ...". "Beschickungsseite" ist wahrscheinlich eine gute Lösung. --Cepheiden 10:39, 20. Dez. 2009 (CET)

Ich habe noch was zur Bedeutung in der Entwicklungsgeschichte der Mikroelektronik gefunden. Ich hoffe ich komme die Tage dazu es einzufügen. --Cepheiden 20:46, 29. Dez. 2009 (CET)

Erfolgreiche Lesenswert-Kandidatur vom 14. Mai bis 2. Juni 2010

Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) eine dünne Schicht aus Siliziumdioxid aufgebracht wird. Es wird unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen eingesetzt.

Nachdem bereits im Dezember 2009 eine Review des Artikels durchgeführt und anschließend noch ein größerer Abschnitt zur Anwendung mit historischem Hintergrund ergänzt wurde, schlage ich den Artikel nun zur Kandidatur vor. Grüße -- Cepheiden 09:40, 14. Mai 2010 (CEST)

Hab ihn mir mal angesehen, verdient auf jeden Fall ein  Lesenswert.

mfg --93.215.130.47 18:19, 14. Mai 2010 (CEST)

• Das bessere Lemma wäre Thermische Oxidation von Silizium, denn schließlich lässt sich alles mögliche thermisch oxidieren.

• Thermische Oxidation von Silizium wurde schon bei der Review vorgeschlagen. Ich habe mich bis jetzt dagegen entschieden, weil es ein fester Begriff inder Halbleitertechnik ist und kein anderes Verfahren mit diesm Namen in Konflikt steht. Einer Umbennung steh ich aber offen gegenüber. --Cepheiden 21:40, 14. Mai 2010 (CEST)

• Ein ganz wichtiges Wort fehlt völlig: amorph! Alle durch thermische Oxidation erzeugten Oxidschichten sind amorph.

• Wurde in der Einleitung ergänzt. Weitere Beschreibungen werden nach der Ergänzung in schichteigenschaften stehen. --Cepheiden 21:40, 14. Mai 2010 (CEST)

• Wichtige Passagen, wie diese kaum zu glaubende, Bei diesem Prozess wird das Wasserstoffperoxid in der Reaktionskammer durch die Reaktion von Wasserstoff und Sauerstoff bei ca. 600 °C gebildet sind unbelegt. Wie soll sich da H2O2 bilden? Hierbei muss besonders auf das Mischungsverhältnis geachtet werden, da Explosionsgefahr durch Knallgasbildung besteht. Das interessiert in dem Zusammenhang natürlich sehr, zumal die Explosionsgrenzen von H2 nicht viel Spielraum lassen.

• Ich bitte im Fall von "unbelegten" Äußerungen zunächst nachzufragen oder selbst in die ein oder andere Quelle zu schauen. Die Wasserstoffperoxid-Verbrennung wird beispielsweise in Hilleringmann2004 beschrieben. --Cepheiden 21:40, 14. Mai 2010 (CEST) Ich bin dem zurecht kritisierten Absatz nochmal durchgegangen und korrigiert. Hier hatte ich wohl damals einen grundlegenden Verständnisfehler. Wasserstoffperoxid hat da natürlich überhauptnichts mit zu tun. Danke für den Hinweis und entschuldige bitte ide Reaktion. --Cepheiden 13:26, 18. Mai 2010 (CEST)

• Die materialselektive Maskierung für die Diffusionsdotierung wird auch heute noch bei einigen Typen von hocheffizienten Solarzellen benutzt.

• Darüber weiß ich nichts, hier wäre ich über eine Quelle dankbar. --Cepheiden 21:40, 14. Mai 2010 (CEST)

• Die "nassen" Oxide unterscheiden sich erheblich von den "trockenen". Leider wird dazu im Artikel nichts geschrieben

• Es stimmt, dass die Eigenschaften der Schichten sich nach Oxidationsart unterscheiden. Ähnliche Einflüsse können aber auch Vorreinigung der Oberfläche, Substratqualität und diverse andere Randbedingungen. Es timmt im Übrigen nicht, dass zu den Unterschiedne nichts im Artikel steht. Der Abschnitt ist nur sehr kurz. Leider ist es schwer Informationen zufinden die beide Oxidationsarten gegenüberstellen. Des Weiteren würde eine genaue Darstellung wahrscheinlich den Rahmen eine enzyklopädischen Artikels sprengen, da auch Doktroarbeiten auf diesem Gebiet sich immer nur mit einzelnen Parametern beschäftigen. Ich werde mal meine Augen offenhalten ob ich eine geeignete Quelle finden. --Cepheiden 12:50, 15. Mai 2010 (CEST)

• Wenn die Mängel weg sind, auf jeden Fall lesenswert. --Anonymer Reviewer 20:39, 14. Mai 2010 (CEST)

• Erstmal ohne Wertung. Aber das Lemma kann so nicht bleiben, da stimme ich Benutzer:Anonymer Reviewer voll und ganz zu! Grüße, Wikiroe 13:23, 20. Mai 2010 (CEST)

Okay, nachdem nun mehrere Nutzer dieses Thema angesprochen haben, habe ich den Artikel gerade nach Thermische Oxidation von Silizium verschoben. Da das lemma ansonsten überhaupt nicht genutzt wird sollte meiner Meinung nach Thermische Oxidation aber eine Weiterleitung auf das neue Lemma bleiben. --Cepheiden 17:52, 20. Mai 2010 (CEST)

Angesichts WP:REDIR#Wann sind Weiterleitungen sinnvoll? halte ich das für unangebracht. "Ungenutztes Lemma" ist keine Begründung für eine Weiterleitung. Grüße, Wikiroe 13:46, 21. Mai 2010 (CEST)

Mhh evtl unklar ausgedrückt von mir. Das Argument war nicht "ungenutzt", sondern vielmehr "übliche Bezeichnung in der Halbleitertechnik" (Alternative Bezeichnungen und Synonyme) und da es derzeit nicht in Konflikt mit einem anderen Artikel steht Weiterleitung statt BKL. --Cepheiden 13:52, 21. Mai 2010 (CEST)

Das ist natürlich etwas anderes. Sorry für das Missverständnis. Gibt es außerhalb der Halbleitertechnik andere Verwendungen? Google spuckt da ein paar Ergebnisse zur Umwelttechnik aus. Grüße, Wikiroe 15:03, 21. Mai 2010 (CEST)

Also der Begriff "Thermische Oxidation" ist sicher in der Chemie und angrenzenden Bereiche auch in anderen Zusammenhängen zu finden, andernfalls kann ich mir jedenfalls nicht die Kritik am Lemma erklären. Wo genau ist mir nicht bekannt. Die thermische Oxidation von Silizium kenn ich nur aus dem Bereich Halbleitertechnik/Mikrosystemtechnik, andere Bereiche wurden bislang werder hier noch in der Review genannt. --Cepheiden 11:02, 22. Mai 2010 (CEST)

Wenn ich mir so die Treffer bei Google Scholar ansehe, dient TO offenbar auch der Oberflächenbehandlung (z.B. doi:10.1016/S0043-1648(99)00359-2 oder doi:10.1016/S0040-6090(97)00069-2) Hab keine Ahnung, inwiefern die Verfahren vergleichbar sind, zumindest ist's aber eventuell ein Anhaltspunkt, was für das Lemma TO selbst noch ergänzt werden könnte. Viele Grüße, —mnh·∇· 16:40, 24. Mai 2010 (CEST)

Ja, das zeigt natürlich das "thermische Oxidation" für andere Materialien und in anderen Bereichen genutzt wird. Der Artikel ist ja mittlerweile verschoben. Das sollte also für die Kandidatur nicht relevant sein, oder? --Cepheiden 17:01, 24. Mai 2010 (CEST)

_Vermutlich_ nicht, sofern nicht ähnliche Behandlungen auch mit Silicium durchgeführt werden – ob sowas etwa für die Solartechnik oder Ferrosilicium-Verarbeitung sinnvoll wäre, kann ich mangels Fachkenntnis nicht beurteilen. Da müsste der Fachmann weitergoogeln. ;) Viele Grüße, —mnh·∇· 20:24, 24. Mai 2010 (CEST)

Insgesamt recht  Lesenswerter Artikel.

• Was mir aufgefalllen ist ist das sowohl Ofenrohr als auch oxidationsöhre als Begriff verwendet werden am besten vereinheitlichen.
  erledigtErledigt--Cepheiden 21:29, 30. Mai 2010 (CEST)
• Bis zu welcher Schichtdicke kann es nicht mit dem Deal-Grove-Model Beschrieben werden.
  Da fehlen mir leider noch die Daten, das wir auch in den meisten Büchern garnicht erwähnt. In einer Doktorarbeit fand ich mal was von 15 nm und kleiner. Die Frage ist aber auch immer wie klein die Abweichungen für die gültigkeit des modells sein dürfen. ich mach mich nochmal schlau. Mehr als eine Quelle und eine "grober Wert" wird es aber für den Artikel nicht werden. --Cepheiden 21:29, 30. Mai 2010 (CEST)
• Der erste Absatz bei Schichteigenschaften ist etwas widersprüchlich entweder sind die Eigenschaften identisch mit Quarzglas oder unterschiedlich.
  Quarz und Quarzglas sind unterschiedliche Materialien. Ich habe versucht die Verwechslungsgefahr im Artikel etwas abzumildern. --Cepheiden 21:29, 30. Mai 2010 (CEST)
• Es wird nicht klar wie das Silizium Nitrid das für die Selektivität der oxidschicht sorgt selektiv da drauf bekommt vieleicht nen passenden Wikilink an der stelle setzten
  Mhh, ich kann deine gedanken nicht nachvollziehen. Das Nitrid dient als Maskierung, vereinfacht gesagt, da wo Nitrid auf dem Silizium ist kann kein Oxid wachsen. So steht es doch aber auch im Artikel. --Cepheiden 21:29, 30. Mai 2010 (CEST)

Ja soweit schon klar nur wenn man dann auf LOCOS-Prozess klickt um zu erfahren wie man denn die Strucktur in die Nitridschicht bekommt steht da nur die wird mit gewöhnlichen ätztechniken (Photolithographie?) Strukturiert das ist für mich als Laien etwas sehr umständlich vieleicht gibt es da nen direkteren link damit man versteht wie denn die Maske zustande kommt.--Saehrimnir 22:43, 30. Mai 2010 (CEST)

--Saehrimnir 07:01, 27. Mai 2010 (CEST)

Da gibt es zwei Möglichkeiten: additiv oder subtraktiv. Additiv wäre beispielsweise eine Fotolackschicht zu strukturieren (Fotolithografie (Halbleitertechnik)) und so eine "strukturierte" nitridschicht auf dem Silizium abzuscheiden. Subtraktiv wäre entsprechend ganzflächig ein Nitrid abzuscheiden, dann eine Fotolackschicht abscheiden und zu strukturieren (belichten, entwickeln usw) und abschließend die nicht maskierten Bereiche des Nitrids nasschmischen oder bessser mit Trockenätzen zu entfernen. In der realität kommt dann aber noch ein Pufferoxid zwischen dem nitrid und dem Silizium (wegen der Spannungen in den Schichten und der besseren Haftung) ... Wie war nochmal die Frage? Ich glaub ich komm vom Thema ab. --Cepheiden 23:02, 30. Mai 2010 (CEST)

Ja das glaube ich auch. Die Frage war einfach dem Leser des Artikels obige gute Erklärung zugänglich zu machen im kürzesten Falle durch. Das Silziumnitrid wird fotolithographisch strukturiert.--Saehrimnir 04:46, 31. Mai 2010 (CEST)

Da der LOCOS-Prozess einen eigen Artikel hat, habe ich die Kurzversion eingefügt. --Cepheiden 06:52, 31. Mai 2010 (CEST)

Für mich  Lesenswert. Was mir noch aufgefallen ist:

• fehlt bei der Dotierungskonzentration nicht noch eine Einheit?
  erledigtErledigt das wird immer still und heimlich auf ein Mol bezogen. Hab das mal ergänzt.--Cepheiden 21:29, 30. Mai 2010 (CEST)
• das mit der Waferreinigung verstehe ich nicht so ganz. Es gibt doch sicher auch Hochtemperaturprozesse ohne Wafer.
  Mhh, der Artikel bezieht sich vollkommen auf die Halbleitertechnik/Mikrosystemtechnik/Solarzellenherstellung, die sich nunmal mit der Bearbeitung von Si-Wafern auseinandersetzt. Sollte man das nochmals hervorheben? ich dachte eigentlich, das sei klar. --Cepheiden 21:29, 30. Mai 2010 (CEST)

Das Problem ist wohl der Begriff Hochtemperaturprozess, bei dem zumindest mir nicht klar ist, ob es den nur im Halbleiter-Bereich gibt, oder ob der auch wo anders verwendet wird. --Orci Disk 22:11, 30. Mai 2010 (CEST)

Sicher nicht, aber einige hier scheinen manche Begriffe in spezialisierten Artikeln zu allgemein aufzufassen. Das ist für das Verständis (in diesem Moment) negativ, auch wenn ein entsprechender Hinweis und eine Präzisierung/Einschränkung wiederum vorteilhaft für den artikel ist. --Cepheiden 22:55, 30. Mai 2010 (CEST)

• Summenformeln sollten nicht verlinkt werden, die betreffenden Substanzen besser ausschreiben, ggf. Summenformeln in Klammern dahinter.
  Meintest du das so?--Cepheiden 21:29, 30. Mai 2010 (CEST)

Ja, so meinte ich es, bei den Siliciden unten ist auch noch mal so was. --Orci Disk 22:11, 30. Mai 2010 (CEST)

Viele Grüße --Orci Disk 17:14, 28. Mai 2010 (CEST)

 Lesenswert. Gut strukturierter Artikel, der selbst für mich als Leser mit rudimentären Kenntnissen der Materie durchgängig verständlich auftritt. Hierzu tragen auch die vom Autor selbst erstellten Grafiken bei. Wohltuend auch die Bereitschaft des Autors, auf im Review und hier geäußerte Vorschläge unmittelbar einzugehen, wodurch der Artikel deutlich zulegte. --presse03 15:05, 1. Jun. 2010 (CEST)

Der Artikel ist lesenswert mit 5 Lesenswert-Stimmen. Details zur lesenswerten Version finden sich am Ende des Artikels. --Kauk0r 00:03, 2. Jun. 2010 (CEST)

Schichteigenschaften -- Elastizitätsmodul

Die Einheit des Elastizitätsmoduls ist falsch. Der Elastizitätsmodul wird in ${\frac {\mathrm {N} }{\mathrm {mm} ^{2}}}$ oder auch $\mathrm {MPa}$ angegeben.

Außerdem ist der Wert an sich unplausibel typische Werte für Gläser sind in der Größenordnung $70\mathrm {GPa} =7\cdot 10^{4}{\frac {\mathrm {N} }{\mathrm {mm} ^{2}}}$. Siehe z.B hier [3]

--84.57.218.5 17:15, 5. Apr. 2013 (CEST)

Frachter auf dem Ozean aufbringen

aber Beschichtungen auf das Substrat aufbringen. Jedenfalls steht unter Beschichtung der 4. Fall. Sollte der 3. in der Literatur üblich sein, wäre ein Beleg ganz nützlich. (Ist mir auf der HS aufgefallen.) --217.80.236.4 17:18, 4. Mär. 2021 (CET)

Hallo, es ist spät und ich hab keine Ahnung was du genau willst. Kannst du dein Anliegen bitte weniger kryptisch beschreiben? Danke -- Cepheiden (Diskussion) 22:29, 4. Mär. 2021 (CET)

Im Artikel und auf der Hauptseite steht "aufbringen" mit Dativ. Richtig scheint aber Akkusativ zu sein. --217.80.236.4 22:39, 4. Mär. 2021 (CET)

Danke. Der Grammatikfehler wurde mit der inhaltlichen Verbesserung bzgl. "Beschichten" entfernt. --Cepheiden (Diskussion) 23:03, 4. Mär. 2021 (CET)

Rohstoffquellen und Entsorgung

Woher die großen Mengen an Silizium kommen, ob der Abbau ökologisch unbedenklich ist und was mit den fertigen (Halbleiter-) Produkten passiert, wenn sie ausgedient haben und entsorgt werden müssen, wäre auch interessant gewesen! --91.8.137.97 19:15, 4. Mär. 2021 (CET)

Als zweithäufigstes Element der Erde muss man sich, denke ich, keine Gedanken über die 'großen' Mengen an Silizium machen, das wird aus Quarzsand gewonnen. Silizium selbst ist ökologisch unbedenklich, könnte man sogar essen. Der Abbaus selbst und die Veredelung zu reinem Silizium braucht viel Energie, wie fast jede über das 18. Jahrhundert hinausgehende Technik. Die Frage nach der Ökologie wäre daher besser in einem Artikel zur Stromerzeugung aufgehoben. Was mit den Produkten passiert hängt wohl von den Produkten ab, und sollte, meiner Meinung nach, kein Bestandteil zum hier beschriebenen Ofenprozess sein (der ja selbst nur ein kleiner Teil im Herstellungsprozess der Produkte ist). --217.93.56.131 19:27, 4. Mär. 2021 (CET)

Siehe Silizium, bzw. fehlende Punkte dort auf der Diskussionsseite erfragen. Danke --Cepheiden (Diskussion) 22:31, 4. Mär. 2021 (CET)