Diskussion:Transistor/Archiv

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[[Diskussion:Transistor/Archiv#Thema 1]]

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https://de.wikipedia.org/wiki/Diskussion:Transistor/Archiv#Thema_1

Betreff Steuerung des Transistors

Im Kleinsignal-Ersatzschaltbild wird die Stromquelle am Ausgang entweder durch das Produkt der Stromverstärkung und des Basis-Stromes oder durch das Produkt der Steilheit (Vorwärtssteilheit) und der Basis-Emitter-Spannung beschrieben. In dem hier vorliegenden Artikel wird die erste Version bevorzugt und der Transistor als stromgesteuerte Stromquelle beschrieben. Ist diese Betrachtung nicht nachteilig gegenüber der Betrachtung der spannungsgesteuerten Stromquelle?
Die Stromverstärkung ist zum einen eine Funktion der Temperatur als auch eine Funktion des Kollektorstromes und ist meines Wissens nach nicht mittels einer Formel direkt beschreibbar (ich bin bis jetzt noch auf keine derartige Beschreibung gestoßen), da diese Effekte nicht proportional oder ähnliches sind. Im Gegensatz dazu ist die Vorwärtssteilheit direkt aus der Shockley-Gleichung ableitbar und beschreibt den Transistor über einen weiten Bereich sehr genau. Lediglich die beiden extremen Randbereiche (sehr niedriger bzw. sehr hoher Kollektorstrom) weichen von der Beschreibung auf Grund von verschiedenen Effekten ab. Ist demnach nicht die Beschreibung als spannungsgestuerten Stromquelle der Anderen vorzuziehen?

Also, einen Bipolartransitor mit einer spannungsgesteuerte Stromquelle modellieren kann, ist mir nicht bekannt. Soweit ich weis wird für die Ersatzschaltung beim Bipolar die stromgesteuert und für FET die spannungsgesteuerte Stromquelle genommen. Die Stromverstärkung beim Bipolar ist meiner Meinung nach nur temperaturabhängig (jedenfall im normalen Betriebsbereich). --Cepheiden 22:30, 12. Okt 2005 (CEST)

Da stellt sich die Frage wie der normale Betriebsbereich definiert wird. Schaut man sich zB mal ein Datenblatt an (als Beispiel: [1]), so kann man erkennen, dass sich die Stromverstärkung (in diesem Fall als hfe bezeichnet) schon in einem großen Rahmen ändern kann, wie in dem aufgelisteten Datenblatt als Funktion des Kollektorstromes. Natürlich wird man vesuchen den Arbeitspunkt günstig zu legen, aber bereits ein zehnfacher Kollektorstrom führt zu einer Reduktion der Stromverstärkung von ca. 180 auf 60.
In der Literatur (zB Tietze, Schenk - Halbleiter-Schaltungstechnik) werden je nach Betrachtung (Arbeitspunkteinstellung oder Signalübertragung) die stromgesteuerte oder die spannungsgesteuerte Betrachtung gewählt. Es stimmt, dass hier die stromgesteuerte Stromquelle als Einstellung benutzt wird. Dies wird aber nur für die AP-Einstellung benutzt, da dies aus dem Großsignal-Ersatzschaltbild nach Ebbers-Moll abgeleitet ist. Zur Signalübertragung, und das ist ja die eigentliche Aufgabe des Transistors, wird die Modellierung der spannungsgesteuerten Stromquelle benutzt.

--HohesC 08:10, 13. Okt 2005 (CEST)

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Bei Zahlenangeben aus englischen Quellen hat man immer das Problem der unterschiedlichen Bezeichnungen englisch/deutsch. Wenn im amerikanischen von "Trillion" die Rede ist, sind 10¹² gemeint. Im deutschen ist eine Trillion 10¹⁸ (weil es im amerikanischen keine Milliarde, Billiarde usw. gibt). Hier müsste man sich anhand der Quelle sicherlich noch mal vergewissern, was genau gemeint war bzw. ob derjenige, der den Text ins deutsche übertragen hat, korrekt mit diesen Bezeichungen umgegangen ist.
Die englische Wikipedia äußert sich dazu so: http://www.wikipedia.org/wiki/Trillion Lukian 11:46, 11. Feb 2003 (CET)

Heise Online bezog sich auf Aussage von Moore mit 10¹⁸.
Heizer 12:18, 11. Feb 2003 (CET)

Ja, jetzt hab ich es auch gefunden: http://www.heise.de/newsticker/data/jk-11.02.03-000/ 12:51, 11. Feb 2003 (CET)

10⁹ -> Milliarde -> (en) Billion, auch in Amerika. Bei größeren Zehnerpotenzen wird es dann aber unübersichtlich, siehe: http://www.jimloy.com/math/billion.htm und natürlich: http://en.wikipedia.org/wiki/Names_of_large_numbers

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Müsste es statt "Ein kleiner Strom auf der Basis-Emitter-Strecke kann dabei einen großen Strom auf der Emitter-Kollektor-Strecke steuern." nicht "Ein kleiner Strom auf der Basis-Emitter-Strecke kann dabei einen großen Strom auf der Basis-Kollektor-Strecke steuern." heißen? Oder bin ich jetzt im völlig falschen Film? TRauMa 15:36, 5. Apr 2004 (CEST)

"Emitter-Kollektor" ist richtig. Das ist genau der Witz beim Transistor, dass das Bisschen Basisstrom genügt, um den mehrere hundertfach stärkeren Strom zwischen Kollektor und Emitter zu steuern. -- Lukian 17:48, 5. Apr 2004 (CEST)

War ein Fehler in meinem Skriptum ;-) Aber danke für die schnelle Antwort! TRauMa 01:26, 6. Apr 2004 (CEST)

Es tut mir leid, aber auch nach mehrfacher Lektüre hat sich mir als Laien noch nicht erschlossen, was ein Transistor ist. --Benutzer:Moi 13:26, 10. Mai 2004 (CEST)

Versuch für Laien: Transistoren sind kleine Bauelemente, die als Verstärker oder Schalter praktisch in allen elektronischen Geräten enthalten sind: Im kleinen Taschenradio oder im Walkman einige wenige, im Handy -zigtausende und im Computer hunderte von Millionen. Ein einzelner Transistor ist eine kaum erbsengroße Kapsel aus Metall oder Plastik, die im Inneren eine ausgeklügelte Anordnung dreier Siliziumschichten enthält. An diesen Siliziumschichten sind drei Drähte angebracht, die aus der Kapsel herausragen. Einen Draht nennt man Basis, den zweiten Kollektor und den dritten Emitter. Was so ein Transistor gut kann, ist das Verstärken von Strom. Z.B. liefern Mikrofone sehr schwachen Strom, der im Takt der aufgenommenen Töne vibriert. Ein Lautsprecher, der Töne laut wiedergeben soll, braucht aber sehr viel stärkeren Strom, als das Mikrofon liefern kann. Und hier hilft der Transistor: durch die Anschlussdrähte, die Emitter und Kollektor heißen, kann man einen Strom schicken, der stark genug ist, um den Lautsprecher tönen zu lassen. Wenn man nun den schwachen Strom, den das Mikrofon erzeugt, gleichzeitig in den Basisdraht hineinschickt, dann schafft es der Transistor (denn genau das ist sein Job!), dass der starke Strom zwischen Emitter und Kollektor ganz genau mit gleichem Takt und gleicher Form vibriert, wie der schwache Basisstrom, der vom Mikrofon kommt: Der Transistor sorgt so durch seine Stromverstärkung dafür, dass unser Lautsprecher wirklich laut wiedergibt, was das Mikrofon gerade aufnimmt. Bleibt noch die Frage, wie Millionen von Erbsen in den Computer passen. Das kommt daher, dass die Transistoren im Computer extrem klein aufgebaut und in den Schaltkreisen ganz dicht gepackt sind: da passen Millionen in einen Fingerhut. -- Lukian 20:29, 10. Mai 2004 (CEST)

Arbeitsbereiche

Ist diese Formulierung nicht etwas unglücklich: Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt? -- Pjacobi 00:29, 3. Okt 2004 (CEST)

Strukturierung

folgende Vorschläge habe ich als jemand der sich als Lernender mit dem Thema beschäftigt:

• ich finde dieses Thema hätte es verdient neu strukturiert zu werden. Es gibt zum Teil rel. detaillierte Artikel, aber viele Informationen (Text, Bild, Formeln) tauchen mehrfach auf. Dies macht es gerade für Laien schwer einen Einstieg zu finden. Ich werde mich heute Abend mal an Modelle zur Funktionsweise von Transistoren machen.

• m.E. steht im Unterpunkt "Arbeitsbereiche" alles, was in "Verstärkungsfaktor" schon vorweggenommen wurde. gilt die genannte Formel für alle Arten von Transistoren ...?

viel angekündigt. -- Babylon_Inc 8:23, 8. Okt 2004 MESZ

Prima! Mach! -- Stahlkocher 09:26, 8. Okt 2004 (CEST)

Stört sich eigentlich niemand daran, dass beim Thema Transistor eigentlich nur auf den Bipolar Transistor eingegangen wird und das obwohl es dazu einen Extraeintrag gibt. Ich schlage vor die Bereiche Aufbau, Kennlinien, Arbeitsbereichem und Transistorschaltungen hier zu entfernen und sie beim Bipolarartikel einzubauen. Alternativ wären auch klare Hinweise darauf das es sich hier nur um den Bipolartransistor handelt in Ordnung, meinen ersten Vorschlag finde ich aber sinnvoller. --Cepheiden 17:40, 10. Feb 2005 (CET)

Du hast vollkommen recht. Ich würde im Artikel Transistor nur allgemeines schreiben, also ne Erklärung (für Oma) der Funktion und der Anwendungen , und die Historie. Detaillierteres (Bipolar-Transistorschaltungen, Kennlinien, detaillierter Aufbau usw) sollte dann in die Artikeln Bipolartransistor, FET usw., worauf man ja dann von hier verlinken kann.--Jdiemer 17:47, 10. Feb 2005 (CET)

Sollen wir dann die Änderung vornehmen? --Cepheiden 18:53, 13. Feb 2005 (CET)

Ja, hau rein! :-) Du hattest ja schon etwas geändert (Bipolar-Kennlinien von Transistor nach Bipolartransistor verschoben), aber das wieder rückgängig gemacht. Wieso? --Jdiemer 00:55, 16. Feb 2005 (CET)

Öhm, ich hab deutlich mehr kopiert. Die Kennlinien habe ich wieder zurück kopiert weil die sich auf Bipolar und FETs beziehen. --Cepheiden 15:33, 16. Feb 2005 (CET)

Oh ja, hab ich übersehen, sorry. Das Kapitel über Kennlinien sollte man aber aufbröseln nach Bip und FET, und für den Transistor-Artikel verallgemeinern. --Jdiemer 17:13, 16. Feb 2005 (CET)

Schaltzeichen

In meinen Büchern ist überall ein Kreis um den Transistor in den Schaltplänen. Welches Symbol ist richtig? --Trexer 16:49, 13. Feb 2005 (CET)

Sind beide richtig. Es gibt auch noch andere Schaltzeichen die ebenfalls die verschiednen Typen darstellen. Ich denke aber die hier dargestellten sind in Europa die am häufigsten verwendeten. --Cepheiden 18:52, 13. Feb 2005 (CET)

Gibt es da keine Norm? Also wenigstens für Deutschland? Danke sagt Trexer 18:56, 13. Feb 2005 (CET)

Sicher gibts da irgendwo eine DIN. Ich denk mal die DIN 40700-8 "Schaltzeichen; Halbleiterbauelemente" könnte eventuell weiterhelfen. Da hab ich aber jetzt keinen Zugriff drauf. Denk auch nicht das es so wichtig ist, denn z. B. in den meisten Design Programmen wird eh die US-Symbolik verwendet. Ist das so wichtig? Ich mein üblich sind die im Artikel, genauso wie die mit Kreis drumrum. Im Titzke-Schenk wird auch die Symbolik ohne Kreis benutzt. --Cepheiden 19:29, 13. Feb 2005 (CET)

Für mich persönlich auch nicht, aber wenn man in Physik einen wissenschaftliche Arbeit dazu verfassen soll ist es schon von Bedeutung. Mir scheint das ohne Kreis ist eher technisch und das mit eher physikalisch. --Trexer 20:43, 13. Feb 2005 (CET)

Es ist nur das Symbol ohne richtig, außer der Kollektor wäre mit dem Gehäuse verbunden, wobei dies dann mit einem Punkt an der Kreuzstelle des Kreises mit dem Kollektor deutlich gemacht werden muß. (nach DIN EN 60617-5 1997, Nachfolger der DIN 40900-5 1988) -- Volatile 13:31, 18. Sep 2005 (CEST)

Wenn ich mich richtig erinnere, wird das Symbol mit Kreis auch immer noch für Röhren verwendet --Badphantom

Sperrung

Wieso ist der Artikel gesperrt??--Ot 18:38, 27. Feb 2005 (CET)

[2] - selbsterklärend denke ich.--Trexer 19:45, 27. Feb 2005 (CET)

so langsam könnte man ihn aber mal wieder freischalten! --Trexer 19:49, 27. Feb 2005 (CET)

FET's

Ist zwar schon lange her, daß ich mit FET's experimentiert und gebastelt habe, aber in dem Artikel stört mich eine Aussage: "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos." Entweder ist die Steuerung stromlos oder nicht. Da hier kein Streit entstehen sollte, schlage ich vor mal eine Stromstärke anzugeben die gewöhnlicherweise dabei auftritt. Wenn die Stromstärke so klein ist daß diese kaum meßbar ist kann man ja auch ein "Kleinergleich-Zeichen" mit einer entsprechenden Zahl einsetzen. Das ergibt wenigstens Information mit der man was anfangen kann. --217.234.111.80 13:59, 14. Apr 2005 (CEST)

Das Problem ist, dass der Ansteuerstrom stark frequenzabhängig ist, eine einfache Angabe ist so schwer möglich. --Jdiemer 14:49, 14. Apr 2005 (CEST)

Genau, der Ansteuerstrom von FETs unterscheiden sich jenach Schaltfrequenz, Transistortypen und der jeweiligen Bauform. Ein allgemeine Aussage ist da schwer zu treffen. Der Ansteuerstrom setzt sich ja bei FETs nur aus dem im Gate gespeicherten bzw. "umzuschichtenden" Ladungen zusammen. Im statischen Fall ist der Gatestrom näherungsweise null (Gateleckströme vernachlässigbar klein ca. 10^-18 A/µm²). Der Gatestrom ist auch im dynamischen Fall um einige Größenordnungen kleiner als der Drainstrom, und kann von daher auch vernachlässigt werden. Das alles gilt natürlich nicht für sehr kleine Gateoxiddicken, da spielen nachher schon Tunneleffekt u. a. mit und erhöhen den Leckstrom.. Die Formulierung "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos." ist aber wirklich mist, da sollte man etwas anderes finden. Genauer spezifiziert werden, kann das aber in den Artikeln der jeweiligen Varianten. --Cepheiden 17:33, 14. Apr 2005 (CEST)

STEILHEIT R_f

es gib früher die übliche bezeichnung des differentiellen widerstands im arbeitspunkt; sprich die steilheit der kennlinie im arbeitespunkt. wurde als maß für die verstärkung in kombination mit dem kollektorwiderstand unterrichtet; soll man das noch einbauen oder ist es eher veraltet?

Nein das ist auf garkeinen Fall veraltet, es ist nachwievor ein wichtiger Parameter. Aber er sollte nicht im Artikel "Transistor" behandelt werden, sondern in den Artikeln der jeweiligen Transistorvarianten behandelt werden. Da es sich aber ein Kleinsignalparameter handelt ist es r_f.--Cepheiden 11:30, 17. Apr 2005 (CEST)

Achso, statt des differentiellen Widerstands r_f wird aber meist dessen Kehrwert genutzt, die Vorwärtssteilheit $g_{Tf}={\frac {dI_{T}}{dU_{BE}}}$. --Cepheiden 19:49, 17. Apr 2005 (CEST)

Ich hätte da mal eine Frage: Wenn ein Transistor nur den Strom verstärkt,was macht ein Computer dann beispielsweise 550 mio Transistoren auf einer einzigen Grafikkarte (Geforce 7800GTX) ?

Strom zu verstärken ist nicht das Einzige, wofür man einen Transistor benutzen kann. Wenn man z.B. zwei Spannungspegel ("niedrig" und "hoch") als binäre Zahlenwerte auffasst ("0" und "1"), dann kann man einen Transistor auch dafür einsetzen, um den einen Wert in den anderen umzuwandeln ("Inverter"). Zwei Transistoren kann man über Widerstände so miteinander verbinden, dass die Gesamtschaltung ein Bit speichern kann. Diese Zusammenschaltung nennt man "bistabile Kippstufe" oder Flipflop. Man kann mehrere Transistoren auch so zusammenschalten, dass sie weitere Operationen mit Binärwerten leisten, z.B. als Und-Gatter das "Ausrechnen" des Ergebnisses einer logischen Konjunktion. Aus mehreren Gattern kann man weitere Rechenschaltungen zusammensetzen: Addierer, Multiplizierer, und zusammmen mit genügend bit-Speichern als Register kommt man dann bis zu ganzen Prozessoren wie auch solchen auf einer Grafikkarte. -- Lukian 11:15, 28. Aug 2005 (CEST)

Danke. Das habe ich gut verstanden.

Oskar Heil

Was ist mit "Oskar Heil"?
Angeblich ein weiterer Erfinder des Transistors (1935?). --84.112.72.206 12:46, 2005-12-23

wer schreibt von wem ab?

Hallo Leute,

mir ist aufgefallen, dass dieser Artikel "Transistor" in Wikipedia sehr grosse Ähnlichkeit mit "http://www.lexikon-definition.de/Transistor" hat. Das kann kein Zufall sein. Aber rechtliche Folgen ergeben sich daraus wohl nicht? mfg

sieh mal relativ weit unten auf deiner verlinkten seite nach: "Dieser Artikel von Autoren der Wikipedia wird durch die GNU FDL (Erläuterung) lizenziert.". --Kristjan 14:07, 5. Feb 2006 (CET)

Danke für den Hinweis. Werde in Zukunft genauer hinsehen!

THX

verwaiste Bilder

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Sind bei den verwaisten Bildern aufgetaucht, falls noch benötigt. --Gruß Crux 16:27, 31. Mai 2006 (CEST)

Ich denke die Bilder sind veraltet und können gelöscht werden. Noch dazu gehören die Abbildungen für Diac und Triac in die entsprechenden Artikel. siehe auch: Liste der Schaltsymbole. — MovGP0 13:36, 23. Jul 2006 (CEST)

Kategorie

Gehört der Transistor nicht in die Kategorie "Aktives Bauelement"? Ich vermisse ihn dort. Leider kann ich das nicht selber ändern... Noch 4 Tage... --Der Burgstädter 23:14, 3. Aug 2006 (CEST)

Kleiner Rechtschreibfehler

Sie liesen (ß bitte) sich mit den damaligen Kenntnisstand nicht wirtschaftlich fertigen und waren umständlich zu handhaben.

Danke für den Hinweis. Sei mutig! --Cepheiden 07:32, 7. Dez. 2007 (CET)

Nachtrag: Weiterer Fehler: "grossteils"

Danke, erledigt. --Jdiemer 14:06, 17. Dez. 2007 (CET)

Noch ein Typo unter "Feldeffekttransistor", dritte Zeile: ...als Gate (dt. Tor, Gatter) welcher der Steueranluss ist,.... Bitte korrigieren in "Steueranschluss".--91.4.106.241 20:21, 23. Dez. 2007 (CET)

danke, korrigiert. --wdwd 20:59, 23. Dez. 2007 (CET)

Themenschwerpunkt

Ich muss leider sagen, dass dieser Artikel für jemanden, der nicht schon im Voraus weiß, was ein Transistor ist, ziemlich unnütz ist. Zuerst kommt der Satz:

Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen und Spannungen verwendet wird.

Ein Huhn ist ein Säugetier, das vom Menschen fürs Eierlegen genutzt wird. Dieser Satz ist wichtig für das Verständnis. Anstatt dass jetzt jedoch auf die genaue Arbeitsweise bzw. den «Sinn» des Transistors eingegangen wird, werde ich mit zig verschiedenen Typen und Variationen bombardiert, mit denen ich als Laie überhaupt nichts anfangen kann.

Ich wäre froh, wenn jemand ausführen könnte was ein Transistor eigentlich macht. Ich weiß jetzt zwar, auf welche Arten man diese Dinger steuert, wie viele davon im Jahr 2002 hergestellt wurden und welche Formeln ich dafür anwenden muss. Aber was macht er eigentlich? Dafür wäre doch der Artikel da, für den Rest kann man Bipolartransistor etc. verwenden.--DerFinne 09:28, 25. Jan. 2007 (CET)

PS: MOSFET : Der Abschnitt Aufbau und Funktionsweise ist dort sehr gelungen. Etwas in die Richtung wäre in diesem Artikel hier erstrebenswert.

Weiter oben hier auf der Diskussionsseite gibt es zwei Absätze: "Versuch für Laien..." und "Strom zu verstärken...". Hilft Dir das beim Verständnis weiter, oder meinst Du noch was anderes? Lukian 10:31, 25. Jan. 2007 (CET)

Ja, das ist nicht schlecht, ist jedoch mehr ein Beispiel. Schau dir jedoch bitte den MOSFET-Artikel an. Ich würde die Sache dann eher so beschreiben:

Eine Aufgabe von Transistoren ist es, Ströme zu verstärken. Hierzu wird um eine isolierende Schicht (z.B. Polysilizium) eine stärkere Spannung angelegt. Der zu verstärkende Strom fließt dann so an dieser Schicht vorbei, dass durch das entstandene Magnetfeld die Isolationsschicht zu einer leitenden Schicht wird. Sobald also der «schwächere» Strom fließt, wird der Stromkreis des «stärkeren» Stroms geschlossen. Somit wird der «schwächere» Strom verstärkt.

Ein Anwendungsbeispiel dafür ... <dein Abschnitt käme dann angepasst hierhin>

Dann käme der Aufbau. Dort käme auch die Sache mit der Basis, dem Emitter und dem Kollektor hin. Vielleicht noch ein Bild zur Illustration.

Dies würde dem Artikel einerseits mehr Struktur geben und andererseits Laien sowie Fortgeschrittene berücksichtigen.

Hi, ok ein Absatz über den Einsatz von Transistoren fehlt in dem Artikel wirklich. Über den Aufbau und Funktionsweise sollte in diesem Artikel nicht erklärt werden. Die beiden Grundvarianten Bipolartransistor und Feldeffekttransistor unterscheiden sich zu sehr. Ein kurzer Absatz und dann der Verweis auf die Hauptartikel reichen völlig. Bilder zum schematischen Aufbau sind auch nicht fehl am Platz, aber detaillierte Erklärungen schon. Was die Erklärung zur Aufgabe und Funktion eines Transistors von DerFinne soll, kann ich nicht nachvollziehen. Ein Transistor wird da aber nicht beschrieben --Cepheiden 13:13, 25. Jan. 2007 (CET)

Der Abschnitt zu den Kennlinien gehört hier meiner Meinung nach auch nicht rein. Das sollte in dem jeweiligen Hauptartikel stehen.--Cepheiden 13:20, 25. Jan. 2007 (CET)

Dann sag das doch einfach im Artikel, dass sie sich so unterscheiden, dass es aufgeteilt wurde. Dann kann man auf den Link klicken und das durchlesen. Aber sowas der Intuition zu überlassen, finde ich ungeschickt. --DerFinne 13:25, 25. Jan. 2007 (CET)

Überarbeitungen

Der Artikel war in der Tat etwas konfus. Den Abschnitt über Kennlinien hab ich mal entfernt: das gehört eindeutig in die zahlreichen Detailartikel zu speziellen Transistortypen und ist auch dort erwähnt. Statt dessen ist meiner Meinung eine grobe Übersicht über Schaltsymbole und ein wenig Rundumerklärung ohne viel Details wesentlich besser angebracht (wer hat in der Elektronik schon mal nicht, in Anlehnung an die meist eher bekannten npn-Transistoren, die Pfeilrichtung bei n-Kanal-FETs leider verkehrt herum gezeichnet.. :). --wdwd 16:16, 9. Sep. 2007 (CEST)

Ebenso wenig wie die Kennlinien hat die Beschreibung der Schaltsymbole etwas in dem Artikel zu suchen. Erst recht da es sich um eine triviale Umschreibung der Symbole und nicht um eine Erklärung handelt. Eine Übersichtliche Darstellung der typischen Schaltsymbole mit entsprechender Beschriftung wäre hier vollkommen ausreichend. Außerdem werden mit den Bearbeitungen der letzten Tage zunehmend Sachverhalte im Artikel wiederholt. --Cepheiden 00:34, 11. Sep. 2007 (CEST)

Ja, das stimmt teilweise schon. Das Problem ist halt welchen Inhalt man in einen Übersichtsartikel ohne all zuviel Details hineinnehmen sollte. Die Wahl der einzelnen Überschriften finde ich auch nicht sehr glücklich, mir sind keine besseren Inhalte eingefallen. Wenn jemand konkrete Ideen/Vorstellungen hat, die mehr passen, nur zu. --wdwd 20:29, 11. Sep. 2007 (CEST)

So, kleinere Radikalkur: Das von mir etwas unglücklich, zusätzlich gewählte Kapitel über Schaltzeichen hab ich mit der Einteilung etwas systematischer zusammengefasst. Und damit die durchaus zu recht kritisierten Redundanzen aufgelöst. --wdwd 18:34, 14. Sep. 2007 (CEST)

Rechtschreibfehler: Bitte im Abschnitt "Digitale Schaltungstechnik" das "nochweiter" trennen! Danke, Timo Fischer

Erledigt. --Jdiemer 08:49, 27. Sep. 2007 (CEST)

Ich find das ja super, dass ich jetzt weiß wie ein Transitsor aufgebaut ist....,aber wie funktioniert er jetzt im einzelnen und wozu dienen Kollektor und Emitter?? Auch würde ich gerne ein genaues, für unwissende Schüler verständliches, Schaltbild vor Augen geführt bekommen um vielleicht ein noch genaueres Bild zu bekommen..... Im großen und ganzen ist der Artikel aber nicht schlecht geschrieben...kompliment. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 217.82.42.8 (Diskussion • Beiträge) 16:18, 26. Feb. 2008 )

Nunja, der Transistor-Artikel ist ein Übersichtsartikel in dem nur kurz gesagt wird welche Arten es gibt usw. Hast du schonmal in den Hauptartikel vom Bipolartransistor, über den redest du offensichtlich, geschaut? --Cepheiden 18:40, 26. Feb. 2008 (CET)

Germanium-Transistor

Was waren das eigentlich für schwarze kleine Boxen in den Empfängern der Soldaten im 2. Weltkrieg? Der Aufdruck lt. Zeitzeugen soll Siemens gewesen sein. Denkt Ihr wirklich, der Germaniumtransistor wurde von den Amis erfunden. Das Patent ist deutsche Kriegs-Wiedergutmachung. Zum Beweis solltet Ihr mal Zeitzeugen befragen, bevor es zu spät ist. (-- Valentin2007 11:49, 19. Aug. 2007 (CEST))

Vermutlich die damals verbreiteten Detektorempfänger und darin die als Kristall-Detektor (=Diode) genutzten Materialien Bleiglanz und Pyrit, die samt der Nadel (Justage) zum Schutz in entsprechenden Gehäusen untergebracht waren. Aber, falls es Dich beruhigt: Die ersten Patente von den heute großteils genutzten Feldeffekttransistoren gehen nachweislich auf Deutsche zurück, wie auch im Artikel beschrieben.--wdwd 16:33, 9. Sep. 2007 (CEST)

Richtig. Aufwendig gewickelte Spule, Kristall mit fummelig einstellbarem Berührungsdraht, Kopfhöher. Und schon konnte man starke Sender hören. Verstärker und Transistoren (=Doppeldiode) fehlten. Später kam die Röhre als Verstärker hinzu.--Kölscher Pitter 17:29, 9. Sep. 2007 (CEST)

Defektelektronen

Das ist zweifellos der richtige Fachbegriff. Aber dieser muss erläutert werden, denn man kann die Kenntnis dieses Begriffs nicht bei jedem Leser voraussetzen. Fehlendes Elektron = Loch. So ähnlich wird die Erläuterung sein.--Kölscher Pitter 17:01, 9. Sep. 2007 (CEST)

Wikilink auf diesen speziellen Fachbegriff zum Weiterlesen ist gesetzt.--wdwd 18:06, 9. Sep. 2007 (CEST)

Geschichte

Warum kommt in deutschen Fachartikeln die Geschichte immer als erstes? Für mich ist die Reihenfolge immer anders. Was ist es? Wie funktioniert es? Welche Bedeutung hat es? Wer hat's gemacht?--Kölscher Pitter 17:09, 9. Sep. 2007 (CEST)

Nun, wir schreiben hier ja kein Fachbuch. Sondern wirken mehr oder weniger an einer Enzyklopädie mit. Und da ist meiner Meinung ein geschichtlicher Abriss, so möglich und passend, schon sinnvoll. Und rein von der Abfolge macht es für mich auch Sinn in diesem Kontext, die Geschichte und deren Abfolgen zuerst zu bringen. Da passt das Bild und Zusammenhänge dann meist besser, als wenn man sich gleich in irgendwelche Details verliert. Und eine grobe Erklärung in wenigen Sätzen sollte sich in der Einleitung finden, was ja so mehr oder weniger auch der Fall ist. Details wie und was und wie es funktioniert kommen für den geneigten Leser dann später im Artikel - oder wie in diesem Fall als Art "Übersichtsthema", sind Details einzelnen Unterartikeln vorbehalten um Redundanzen möglichst zu vermeiden.--wdwd 18:05, 9. Sep. 2007 (CEST)

Doppeldioden

Im Anfang war die Diode da. Dann kam die Doppeldiode. Habe ich da was überlesen?--Kölscher Pitter 17:40, 9. Sep. 2007 (CEST)

Hmm, was meinst Du genau? Geschichtliche Entwicklung? Könnte man noch einbauen. Befürchte aber, das verwirrt da diese Doppeldiode als Ersatzvorstellung öfter kommt. Oft sogar zur Erklärung der Funktionsweise eines Bipolartransistors verwendet wird, aber das ansich ein falsches (Vorstellungs)modell ist.--wdwd 17:58, 9. Sep. 2007 (CEST)

Ok. Mir wurde noch dieses Modell vorgesetzt. Dennoch sollte am Anfang was stehen über Halbleitermaterial. Wenn ich Halbleiterbauelement anklicke, dann lande ich in einer Sackgasse.--Kölscher Pitter 18:30, 14. Sep. 2007 (CEST)

Anwendungsbereiche

Hallo, die Tabelle mit der Anzahl der Transistoren ist etwas Intel-lastig. Es wäre schön wenn hier noch andere Hersteller mit ihren Spitzenprodukten (Sun, IBM, AMD usw.) zur jeweiligen Zeit auftauchen würden.--Cepheiden 00:04, 11. Sep. 2007 (CEST)

Hi, ich war so frei und habe einen Typ in der Überschrift korrigiert (vormals >>Anwendungsbereiche<<)

Hab die Tabelle um andere Hersteller erweitert. --wdwd 19:54, 14. Okt. 2007 (CEST)

aja die kleinsten transistoren in mikroprozessoren sind mittlerweile 45nm klein. im artikel steht:Die Größe der Transistoren (Gate-Länge) beträgt bei heutigen hochintegrierten Chips oft nur noch 65 nm und wird in den kommenden Jahren noch weiter sinken.

Ok, habs mit absoluter Zeitangabe versehen, sonst muss man das alle paar Monate umeditieren. Hast Du Quellen bzw. konkrete Beispiele für 45 nm Chips welche rund Mitte 2007 in Serienfertigung waren/sind (eher nicht Prototypen)?--wdwd 18:19, 9. Dez. 2007 (CET)

Abschnitt Varianten

Der Abschnitt Varianten ist nicht sehr glücklich. Sowas lässt sich meiner Meinung besser mit einer eigenen Kategorie Transistor realisieren. Zum einen gibt es schon eine grosse Anzahl von Artikel über spezielle Transistortypen bzw. auch das Umfeld wie mathematische Beschreibungen dazu. Zum anderen kann dann jeder einfach diese Kategorie ansehen und bekommt genau eine Liste der entsprechend einsortierten Artikel - also das und noch ein wenig mehr was jetzt der Abschnitt Varianten in schlechter Form darstellt.

Wenn kein grosses Contra kommt, werde ich demnächst den Abschnitt Varianten ersatzlos streichen und dafür eine entsprechende Kategorie zusammenstellen.--wdwd 21:49, 14. Sep. 2007 (CEST)

done. --wdwd 13:55, 15. Sep. 2007 (CEST)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. wdwd 21:00, 20. Dez. 2007 (CET)

Image normalization

Hello. There is image normalization on commons, the transistor symbols on this article may have to be updated :

The article is locked. Could someone do the changes ? thanks --Zedh 20:29, 11. Nov. 2007 (CET)

Gibt es Konsens über die Bevorzugung von gegenüber ? --Pediadeep 21:49, 11. Nov. 2007 (CET)

Welcher Scherzkeks kringelt FETs ein, bipolare aber nicht? Wozu der Unterschied? -- Smial 22:47, 11. Nov. 2007 (CET)

Das eingekreiste Transistorsymbol deutet ein metallisches (leitendes) Gehäuse an - z.B. bei TO-3. Da heutzutage die meisten Transistoren kunststoffumpresst sind, hat der Kreis in diesen Fällen zu entfallen.

Halte es persönlich für nicht sooo besonders, auf ältere, in der Praxis immer weniger gebräuchliche Schaltsymbole (eingekreiste Versionen) umzustellen. Und wäre dafür, die im Artikel bestehende Schaltsymbole ohne Kreis zu belassen (es ist im Artikel auch ein schriftlicher Hinweis zu dem Thema; imho reicht dies aus).--wdwd 17:47, 5. Dez. 2007 (CET)

Hier sollte jemand mit dem Zugang zu der entsprechenden DIN Norm (DIN EN 60617) mal nachschlagen. Es ist meines Wissens festgelegt, welches Symbol in Deutschland richtig ist. In anderen Ländern werden andere Symbole genutzt. Wenn ich mich recht entsinne, sind die eingekreisten Versionen die alten Symbole, der Kreis ist entfallen. Das hat erst einmal nichts mit Metall/Kunststoff Gehäuse zu tun, welche immer noch häufig genutzt werden. Einfach aus Gründen der Wärmeabfuhr. Aber bei 'Kleinleistungstransistoren' ist ein Metallgehäuse (z.B. BC108 mit TO-18) aus Kostengründen praktisch nicht mehr anzutreffen. 84.133.94.171 20:27, 23. Dez. 2007 (CET)

Namensherkunft

Leider ist der Artikel zum Editieren geperrt. Deshalb ein kleiner Hinweis: Das Wort Transistor ist ein Kunstwort und heisst "transfer resistor", auf Deutsch "Übertragung des Widerstands". Ich hatte das vor langer Zeit in einem Buch gelesen, dessen Titel ich heute nicht mehr weiss. Bitte den Artikel mit dieseer Information ergänzen. Reinald 79.206.224.32 14:11, 16. Dez. 2007 (CET)

Es stehen schon zwei verschiedene (alternative?) Erklärungen zur Herkunft dieses Kofferwortes im Artikel. Beide ohne Quellenangabe. Ich kanns auch nicht nachvollzuiehen was und welche Versionen da nun passen mag. Es wäre vorbildhaft, eine weitere dritte Deutung dieses Kofferwortes mit Quellen belegen zu können. --wdwd 20:40, 17. Dez. 2007 (CET)

Was da bei der englischen Version steht, klingt ziemlich authentisch: http://en.wikipedia.org/wiki/Transistor#History -- Lukian 22:13, 17. Dez. 2007 (CET)

Im Artikel Kofferwort wurde der Transistor sogar als Beispiel aufgeführt. Für seriöse Quellenangaben habe ich ein wenig im Google recherchiert. Die Suchmaschine gibt beim Suchbegriff transfer resistor als 2. Link den Nobelprize.org (Englisch), wo die Wortherkunft erklärt ist. Google liefert noch viele weitere Treffer zum genannten Suchbegriff. Reinald 79.206.231.221 17:09, 20. Dez. 2007 (CET)

Danke, hab's eingefügt. --wdwd 20:59, 20. Dez. 2007 (CET)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. wdwd 20:59, 20. Dez. 2007 (CET)

Das Wort kommt schlicht und ergreifend aus dem Lateinischen "transire" = hindurchgehen (iter, itneris = der Weg, itor = der Geher, aber auch Derjenige, der passieren lässt) und weil "Trans-itor" (= "der Hindurchlasser") ziemlich holperig klingt, ist ein gefälliges zweites "s" reingerutscht. Uns "Alte" haben unsere Eltern halt noch auf altsprachliche Gymnasien gezwungen und so ist das heute in unseren Köpfen. Fast alle wissenschaftlichen Fachausdrücke (auch die in der Technik) kommen aus dem Altgriechischenen oder aus dem Lateinschen, manchmal gibt es auch einen Mischmasch daraus (z.B. bei "Television", "tele" ist altgriechisch für "weit, fern" und "visio" ist lateinisch für "Sicht, Sehen", kommt von "videre" = sehen, "video" = ich sehe, dann rutscht noch ein sog. Gefälligkeitsbuchstabe rein, hier am Ende ein "n" ("Vision") und das Fern-Sehen ist geboren) Wen mir jetzt ein Autor (griechisch = der Selbst-Tuer, derjenige, der aus sich heraus etwas tun darf) glaubt, wäre es als Weihnachtsgeschenk für mich und die Benutzer ganz toll, wenn das im Artikel seinen Niederschlag fände. Der Begriff "Transistor" kommt tatsächlich von "transire". (Peter Bergner, Wissenschaftler, Fossil, nicht angemeldet, aber großer Wiki-Fan, viele Quellen im Kopf.)

Hallo Peter Bergner, danke für die Informationen; mir scheint, es könnte sich hier um sowas wie ein Missverständnis handeln. Was die etymologischen Wurzeln von "Trans..." angeht, hast Du zweifelsfrei recht, noch ist ja Latein keine Geheimwissenschaft. Mir schien aber die Frage nach "Herkunft dieses Kofferwortes" sich nicht so sehr auf die etymologische Wurzel von "Trans..." zu beziehen, sondern mehr darauf, wie die machenden Techniker damals gedacht haben, um zu einer geeigneten Bezeichnung für dieses neue Bauelement zu kommen. Als Deutscher hätte man vielleicht über Bezeichnungen wie "stromverstärkende variable Widerstandstriode" nachgedacht, die englisch sprechenden Erfinder haben in Begriffen wie "Semiconductor Triode", "Solid Triode", "Surface States Triode", "Crystal Triode" and "Iotatron", "transconductance", "transfer", "varistor" gedacht und daraus dann eben "Transistor" gemacht, ohne sich wohl vordergründig um die etymologischen Wurzeln der Wortbestandteile zu kümmern. -- Lukian 12:20, 24. Dez. 2007 (CET)

MISFET (MOSFET)

Zwei Dinge könnte man meines Erachtens in diesem Absatz noch verbessern. Zum einen erweckt die Formulierung der Überschrift mit den Klammern den Eindruck, bei MISFET und MOSFET würde es sich um zwei Bezeichnungen für den gleichen Typ handeln. Im darauffolgenden Absatz wird aber erklärt, dass MOSFET eine Art von MISFET sind. In der "Praxis" wird man die Begriffe wohl synonym verwendet, wobei ich zugeben muss, dass mir die Bezeichnung MISFET noch nie untergekommen ist.

Zum anderen existiert der Artikel Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, auf den weder in diesem Artikel noch in IGFET verwiesen wird. Sofern es fachlich korrekt ist, sollte der Verweis wohl noch eingefügt werden.

Achja, gibt es eigentlich eine Richtline für die Verweise auf Hauptartikel? Oder gelten diese mittlerweile als verpönt? --Aule 19:44, 1. Jan. 2008 (CET)

Hi, die Überschrift dieses Absatzes war ursprünglich "MOSFET", wurde dann nachdem auf die Allgemeinheit des Begriffes MISFET hingeweisen wurde, auf "MISFET" geändert. Und dann wurde die Überschrift auf "MISFET (MOSFET)" geändert, vermutlich weil der Betreffende auch mit dem eher wenig geläufigen Begriff MISFET nichts direkt anfangen konnte. Meiner Meinung wärs am Besten die Überschrift wieder nur auf MISFET zu ändern und den zusätzlichen Link den Du vorschlägst zu setzen. Randhinweis: Der Artikel IGFET verweist auf den Artikel Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur.--wdwd 12:23, 2. Jan. 2008 (CET)

Review vom 23.12.2007 bis 25.1.2008

Nach diversen Umgestaltungen über die letzten Monate hinweg, würde mich als einer der daran Beteiligten primär interessieren, ob der Artikel den Anspruch als Übersichtsartikel gerecht wird und auch für interessierte Leser ohne allzuviel Vorwissen verständlich ist. Explizit wurden Details wie Kennlinien, Schaltungsbeispiele und deren Berechnungen weiterführenden Artikeln, wie die zum Bipolartransistor/Feldeffekttransistor, vorbehalten und daher ausgenommen. Für Hinweise auf Verbesserungsmöglichkeiten dankend, --wdwd 12:31, 23. Dez. 2007 (CET)

Hat sehr gewonnen gegenüber dem früheren Formelwust. -- Smial 12:45, 23. Dez. 2007 (CET)

Es fehlen wichtige Aspekte der Anwendung, wie

• Hochfrequenzverhalten,
• Verhalten in der Leistungselektronik,
• Rauschverhalten

Welche prinzipiellen unterschiede liegen da zwischen den Typen vor?

Desweiteren:

Das physikalische Prinzip kann man vielleicht auch erläutern

Eine Gleichung, am besten mit Kennlinie, die das Verhalten des jeweiligen Transistortyps beschreibt wäre sicher nicht zuviel

Ich würde mir eine Referenz zu dem Siliciumcarbid-Transistor wünschen.

Einen Satz zu Transistoren in Eproms

Viele Grüße, --Fabian ~ 17:56, 1. Jan. 2008 (CET)

Hi, danke für Deine Hinweise. Was genau meinst Du mit Transistoren in Eproms? Das Floating-Gate der FETs und Tunneleffekt beim Programmieren? Ist das für einen (expliziten) Übersichtsartikel nicht schon etwas zuviel, denn schliesslich gäbe es für diese Details eigene Artikeln und Sub-Kapitel zu MOSFET (auch wenn dieser dzt. den Überarbeitungs-Marker drinnen hat).--wdwd 19:48, 1. Jan. 2008 (CET)

In erster Linie das Floating Gate zur Speicherung von Ladung/Information - ist ein wichtiger sonderfall für MOSFETS. VG. --Fabian ~ 22:08, 1. Jan. 2008 (CET)

PS.: Der Abschnitt über SiC liest sich so, als würden sie bereits eingesetzt und man könnte sie im Bedarfsfall kaufen.

Hi, zum PS: Ja, SiC werden eingesetzt und man kann diese Halbleiterbauelemente bei Bedarf auch kaufen. Es gibt einige, wenige Hersteller wie z.b. Semisouth die darauf spezialisiert sind. Aber nicht 600°C JFETs, das sind erste Experimente. Der Bereich 250-300°C ist abseits Laboranwendungen genutzt. Zivile Anwendungen (Industrie- und Konsumelektronik) kenne ich allerdings (noch) keine. Diese Details sind meiner Meinung eher etwas für den dezidierten Siliciumcarbid-Artikel, ggf auch ein eigener SiC-Halbleiterbauelemente-Artikel der nur diese Aspekte betrachtet. Aber weniger für einen Transistor-Übersichtsartikel geeignet (da zu speziell).--wdwd 13:49, 2. Jan. 2008 (CET)

Die Bedeutung für die Entwicklung der Mikroelektronik (IC -> Mikrochip, Computer) kommmt etwas zu kurz. Ich denke da an TTL, CMOS, Verkleinerung der Strukturgrößen, Mooresches Gesetz ... Sinnvoll wären evtl. auch Beispiele, wie Logikgatter aus Transistoren aufgebaut sind, wieviele Transistoren z.B. für die Realisierung einer Speicherzelle benötigt werden, etc. --217.186.139.3 19:25, 7. Jan. 2008 (CET)

Auch Danke für Deine Hinweise. Den Abschnitt "Anwendungsbereiche" auszubauen ist auf der Todo-Liste, ebenso wie noch einige der obigen Punkte von Fabian R. Auch Wikilinks - manche wie auf das Mooresches Gesetz sind schon vorhanden. Der Artikel sollte zu anderen Artikeln meiner Meinung möglichst wenig redundant sein, also nicht den Inhalt dieser weitergehenden Artikel aufnehmen oder kopieren; Sondern mehr einen guten Überblick erlauben.--wdwd 21:04, 8. Jan. 2008 (CET)

Hallo, ich finde die Einleitung zu detailliert und damit zu lang. Wer mag, mache sich diesen Vorschlag zu eigen und realisiere ihn (ohne Kommentare in Doppelklammern):

Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum schalten und verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. ((Differenzierung von Spannung und Stromstärke evtl. mit Beispielen in einem (Unter-) Abschnitt.))

Transistoren sind, teilweise als elementare Komponenten integrierter Schaltungen, Bestandteil der Nachrichtentechnik (Funk, Radio), der Automatisierungstechnik und in Computersystemen. Die Vorteile des Transistors sind seine geringe Größe, geringer Leistungsverbrauch und niedrige Herstellungskosten.

((Der folgende Absatz gehört meines Erachtens nicht unbedingt in die Einleitung.))

Der Begriff „Transistor“ ist eine Kurzform für eine der englischen Bezeichnungen Transfer Varistor, Transformation Resistor oder Transfer Resistor <ref>http://nobelprize.org/educational_games/physics/transistor/function/firsttransistor.html Wortherkunft von The Nobel Foundation</ref>, also einen durch Spannung oder Strom steuerbaren elektrischen Widerstand.

--CunctatorGermanicus (sprich hier) 01:03, 8. Jan. 2008 (CET)

Kürzere (prägnate) Einleitung ist meiner Meinung gut, hab's übernommen.--wdwd 21:04, 8. Jan. 2008 (CET)

Meines Erachtens fehlt hier noch ein Vergleichsmoment. Also z. B. „Die Vorteile des Transistors gegenüber früheren Lösungen / gegenüber der Elektronenröhe sind [...]“. Unabhängig davon ein toller Artikel; so sollte ein Übersichtsartikel aussehen. Gruß, --norro 22:11, 8. Jan. 2008 (CET) PS: Der Satz wurde mittlerweile offensichtlich komplett gestrichen. --norro 14:33, 18. Jan. 2008 (CET)

Wenn auch nicht von mir gestrichen: Ich denke, man kann auf eine Vergleich mit Vor/Nachteile des Transistors vs Elektronenröhre verzichten, da dieses "gegenseitige Aufrechnen" der Vor- und Nachteile keine wesentliche Information darstellt. Diese meist eher simplen Vergleiche stammen grossteils so aus der Übergangszeit der 1960 bis 1980 Jahre, auch um vielleicht so manchen damaligen "Radiobastler" für irgendwas Neues zu begeistern. Oder warum auch immer. Betrachte es so: Welcher EDV-Techniker macht bei der Darstellung heutiger USB-Massenspeicher oder Festplatten mit einigen 100GByte im Taschenformat Vergleiche mit Lochkarten? --wdwd 19:53, 18. Jan. 2008 (CET)

Als Übersichtsartikel sollte er auf keinen Fall noch viel länger werden. Mehr mit Wikilinks arbeiten. Z.B.: Spezielle Anwendungen in ICs dort genauer erwähnen. Oder Funktion des Bipolartransistors mit Erklärung nur beim Bipolartransistor und das Halbleitermodell bei Transistor rausnehmen. --NorbertR. 20:18, 25. Jan. 2008 (CET)

Unfreiwillig komisch

"Sie unterließen es, diese grundlegenden Lilienfeld-Patente in ihren Veröffentlichungen, späteren Forschungsberichten oder historischen Berichten zu erwähnen. [...] William B. Shockley, John Bardeen und Walter Brattain erhielten dafür 1956 den Nobelpreis für Physik." Also ich weiß nicht ob ich da der einzige bin, aber bei der vermeintlichen Aussage des zweiten Satzes muss ich schon schmunzeln. Vielleicht sollte man das mal klarer formulieren! ;-) --Xav 22:17, 6. Apr. 2008 (CEST)

hehe, ein Schelm der böses dabei denkt. Ich hab das mal etwas geändert--Cepheiden 07:42, 7. Apr. 2008 (CEST)

*kicher* -- Smial 10:08, 7. Apr. 2008 (CEST)

Metaloxid

Ich kann leider das Thema Transistor nicht unangemeldet bearbeiten, vieleicht macht das mal einer der das kann....

Es hat sich ein Fehler eingeschlichen. Die Isolationsschicht eines MOSFET besteht nicht aus Metaloxid sondern aus Siliziumoxid. (nicht signierter Beitrag von 79.218.237.113 (Diskussion) 22:37, 29. Aug. 2008 (CEST))

1...yes, noch genauer -dioxid... 2...z. Geschichte...Oskar Heil hat nicht konstruiert, sondern am 2.3.1934 britisches Patent 439457 für ein MOSFET-Aufbau erhalten. Die ersten MOSFET wurden 1960 gefertigt. Quelle ist Seite 102 von http://books.google.de/books?id=gjgmmY1S1uUC&pg=PA102&lpg=PA102&dq=oskar+heil+fet&source=bl&ots=m_fSDcbkZx&sig=0-QFM-cQnBDLEd1WYnpx60-Udz0&hl=de&sa=X&oi=book_result&resnum=13&ct=result#PPA102,M1 (nicht signierter Beitrag von Vomdorp (Diskussion | Beiträge) 8:52, 3. Nov. 2008 (CET))

Teilweise richtig. 1. ist es ein Schichtsystem aus 3 Komponenten (Leiter, Isolator, Halbleiter). Als Leiter wurde früher Aluminium genommen (dann ab den 1980ern dotiertes polysilizium, und bei Intel seit ein paar jahren wieder ein Metall). Als Isolator (um das es hier wohl geht) wurde bis vor kurzen fast ausschließlich Siliziumdioxid genommen. Intel arbeitet seit dem Umstieg auf "Metal gate" wohl mit hafniumdioxid (also einem Metalloxid). Der Umstieg auf Metalloxide mit hoher Permittivität (high-k-Materialien) wird in zukunft sicher auch von anderen Firmen vollzogen. (Dies bezieht sich allerdings alles auf die Si-Halbleitertechnik und hat mit dem Prinzip des MOSFETs nur dahin etwas zu tun, dass dies die meist eingesetze Technik ist). Noch Fragen? P.S. Signaturen nicht vergessen! --Cepheiden 13:12, 3. Nov. 2008 (CET)

am 6.12.1935 wurde das Patent erteilt. Wie sollte es am 2.3.1934 erteilt worden sein, wenn es erst am 4.3.1935 angemeldet wurde (England)? 2.3.1934 muss auf irgendeine deutsche Anmeldung (inform einer Priorität) zurückgehen. Hab abe rnoch nichts dergleichen finden können. Mal das Patent bei gelegenheit durchschauen. --Cepheiden 13:19, 3. Nov. 2008 (CET)

MOSFET

Bisher war mir der FET immer unter MOSFET und nicht unter MISFET bekannt. Ist das ein anderer????(nicht signierter Beitrag von Cfischer1995 (Diskussion | Beiträge) 14:43, 17. Dez. 2008)

Hi Cfischer. Deine Frage wird in den ersten Sätzen des Abschnitts „MISFET“ im Artikel beantwortet. Gruß, norro ^wdw 14:45, 17. Dez. 2008 (CET)

Typisches Problem des der derzeit flasch verwendeten Bezeichnung. Denn die derzeit am meisten eingesetzten FETs sind mit nichten MOSFETs her dSOSFETs (doped Semiconductor oxide semiconductor FET), denn als Gate-Material wird seit den 1990ern Polysilicium eingesetzt. Nur Intel macht seit neustem wieder "metal gate", welches Metall verwendet wird und welches Oxid als Isolator ist aber eher unklar. Aber wie mein Vorredner schon schrieb, wird das alles erklärt. --Cepheiden 17:29, 17. Dez. 2008 (CET)

Das ist lustig! --Pediadeep 18:28, 17. Dez. 2008 (CET)

wieso? --Cepheiden 13:51, 18. Dez. 2008 (CET)

Danke, dann hat es mir mein "erfahrener" Lehrer falsch erklärt. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von Cfischer1995 (Diskussion • Beiträge) 15:31, 20. Dez. 2008 (CET))

Nunja MOSFET hat sich einfach eingebürgert, ich wette auch die Mehrzahl der Fachleute würden spontan (ohen nachzudenken) diesen Begriff wählen. Es ist aber wie gesagt nicht korrekt. (Genauso wie MISFET derzeit nicht 100% korrekt ist). Achso wenn noch was unklar hier und im Artikel sein sollte, bitte melden, Autoren selbst setzen oft viel vorraus, was evtl nihct ganz selbstverständlich ist. --Cepheiden 16:51, 20. Dez. 2008 (CET)

Bipolartransistor

Alternatives Modell eines Bipolartransistors.

Bipolare Transistoren ... . Je nach Dotierungsfolge im Aufbau unterscheidet man zwischen npn (negativ-positiv-negativ) und pnp-Transistoren (positiv-negativ-positiv). Hier würde ich auf diesen internen Link PNP-Transistor wegen seiner sehr verständlichen Darstellung verweisen.--michelvoss 01:05, 10. Jan. 2009 (CET)

Hallo, hier soll ja nur eine kurzerklärung stehen. Deswegen ja auch der Hinweis auf den Hauptartikel Bipolartransistor (PNP-Transistor ist nur ein Redirect). Ist das deiner Meinung zuviel oder nicht ausreichend? -Cepheiden 10:48, 10. Jan. 2009 (CET)

Hallo, meiner Meinung nach ist es falsch, dass bei Bipolartransistor steht, der Strom wird neben den beweglichen Elektronen durch die ORTSFESTEN Ladungsträger des ATOMVERBANDES ausgemacht. Der Bipolartransistor heißt Bi-Polar, weil neben den Elektronen die LÖCHER, also die Stellen im Valenzband, in denen Elektronen fehlen, zur Leitung beitragen. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 195.83.178.10 (Diskussion • Beiträge) 23:47, 11. Jan. 2009 (CET))

Ja das ist nicht korrekt. Die Ladungsträger sind ja weiterhin die Elektronen. Was ortfest ist sind künstliche Fehlstellen durch eine Dotierung. (Nachtrag) So sollte es korrekt sein.--Cepheiden 08:52, 25. Feb. 2009 (CET)

Basis-Emitter-Spannung

Sooo viel Wissen über ein altes Teil. Aber wenn man so wie ich gerade wissen möchte wie hoch noch mal die Basis-Emitter Steuerspannung bei Silizium oder Germanium war, gibt's dazu nichts. Oder ? (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 77.7.159.96 (Diskussion • Beiträge) 21:56, 2. Apr. 2008 (CET))

Musst nur richtig schauen, beispielsweise unter Basis-Emitter-Spannung --Cepheiden 23:15, 2. Apr. 2008 (CEST)

MISFETs

Was soll denn das Gefahrenzeichen da? Verzweifelter Versuch, ein Bild in den langen Text einzubinden? -- 89.15.176.44 19:44, 16. Mai 2009 (CEST)

Scheint fast so, stört es? Besonders hilfreich ist es ja nicht. --Cepheiden 11:10, 22. Jun. 2009 (CEST)

Was macht ein Transistor eigentlich - Funktionsprinzip verständlich formuliert

Das war mir bisher nicht klar. [3] Diese Diskussion hat mir dagegen ein Gefühl gegeben. Vieleicht kann man da was von für den Artikel gebrauchen. --source 09:26, 22. Jun. 2009 (CEST)

Und was würdest du davon gern übernehmen? Bei solchen Erklärungen muss man auch ganz genau aufpassen, welchen Transsitor man behandelt, denn die Prinzipien von Bipolartransistoren und Unipolartransistoren (MISFET usw.) sind grundsätzlich verschieden. --Cepheiden 10:42, 22. Jun. 2009 (CEST)

Wo kommt der zusätzliche Strom her? Diese Frage zielt auf den Begriff Verstärker, was man ja (auch) mit Transistoren machen kann. Ist Verstärker hier ausreichend verlinkt?-- Kölscher Pitter 10:58, 22. Jun. 2009 (CEST)

Verstärker ist im Einleitungssatz verlinkt. Des Weiteren wir ebenfalls in der Einleitung darauf hingewiesen, das ein Transistor ein steuerbarer Widerstand ist. Was fehlt dort? Mir würde nur einfallen, das man zwischen den beiden Transistorgrundformen unterscheiden muss, was weiter unten geschied. Detailierte Funktionsweisen sind dann in den jeweiligen Unterartikeln. --Cepheiden 11:06, 22. Jun. 2009 (CEST)

Ja. Auch ich sehe keinen Handlungsbedarf.-- Kölscher Pitter 11:15, 22. Jun. 2009 (CEST)

Mich würde interessieren, was da chemisch/physikalisch abläuft. Vieleicht wäre eine Grafik mit Strömungspfeilen nicht schlecht, wo man auch sieht, was wo wodurch verstärkt wird. Hab grade erst auch http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor#Funktionsweise das gefunden. Vieleicht eine (aufwendige) GIF-Animation, was passiert, wenn wo Strom angelegt wird. Gruß --source 11:17, 22. Jun. 2009 (CEST)

Da, wie gesagt, die Funktionsweisen sich prinzipiell unterscheiden, wäre der Artikel Transistor nicht der richtige Ort dafür. Solche animationen gehören in die "Spezialartikel" --Cepheiden 11:26, 22. Jun. 2009 (CEST)

Grafik mit Strömungspfeilen? Nicht schlecht. Wäre der steuerbare Widerstand. Gehört zum Thema Verstärker. Chemisch arbeitet Nichts beim Transistor, allenfalls in der Herstellung.-- Kölscher Pitter 11:27, 22. Jun. 2009 (CEST)

Sowas gibts in der Commons und in der englischen Wikipedia. Sollte man aber eindeutschen. --Cepheiden

Wo denn? Link? --source 08:20, 1. Jul. 2009 (CEST)

In der Unterkategorie commons:Category:BJT schemas der commons:Category:Bipolar junction transistors. Die Grafik File:NPN_BJT_Basic_Operation_(Active).svg ist ganz gut als Ausgangspunkt. --Cepheiden 08:45, 1. Jul. 2009 (CEST)

Sehr schöne Abbildung

Die Verdeutlichung der Funktionsweise des npn-Transistors mit der gekoppelten Wassersperre ist ein sehr guter Einfall und didaktisch sehr wertvoll! --91.39.17.127 16:09, 6. Apr. 2008 (CEST)

Hi, habe mir erlaubt diese Abbildung in den Hauptartikel (Bipolartransistor) zu verschieben. Weil sonst hier zu überladen. Unter Bipolartransistor finden sich mehr Details und Funktionsprinzipien betreffend Bipolartransistor während das hier nur ein kurzer Abriss/Überblick über die verschiedenen Typen von Transistor sein sollte.--wdwd 11:31, 8. Aug. 2009 (CEST)

Lesenswert Kandidatur

Wie steht die Autoren- & Leserschaft zu einer möglichen Lesenswert-Kandidatur des Artikels? Gäbe es gröbere Punkte die dagegen sprechen bzw. noch verbessert werden sollten?--wdwd 11:27, 8. Aug. 2009 (CEST)

Wenn 1) das Reizwort wichtig eliminiert wird und 2) mein Frankfurter Namensvetter zustimmt, bin ich dafür.-- Kölscher Pitter 12:05, 8. Aug. 2009 (CEST)

"die elementaren …" ist in der Hinsicht dann auch nicht viel besser, des Weiteren ist diese Kleinigkeit wohl nicht entscheidend für eine Kandidatur. Ich würde mich über eine Kandidatur auch freuen, da dann mehr Nutzer auf den Artikel aufmerksam werden und hoffentlich konstruktive Kritik positiv in den Artikel einfließen kann. Da es ein Übersichtsartikel ist, muss jedoch darauf geachtet werden, dass hier nicht zu detailierte Beschreibungen oder größere Listen Einzug halten. --Cepheiden 14:32, 8. Aug. 2009 (CEST)

Irgendwie tue ich mich mit der derzeit eingefügten Literatur schwer. Tietze und Schenk ist ok, aber der Rest sind Spezialartikel die noch dazu nur die Geschichte beleuchtet und auch nur in englisch verfügbar ist - Das ist zwar für Einzelnachweise ok, aber für einen Übersichtsartikel würde ich mir irgendwie was "leichter zugängliches", allgemeineres, was mehr Transistoren als solche beschreibt und weniger Kulturk(r)ämpfe, und was vielleicht auch in Deutsch verfügbar ist. Gibt es da Vorschläge? --wdwd 21:51, 10. Aug. 2009 (CEST)

Nunja, was stellst du dir genau vor? Für einen Übersichtsartikel finde ich es wenig passend diverse Schaltungstechnikbücher die evtl. alle dasselbe beinhalten aufzuführen. Es wären alles nur Alternativen zum Tietze-Schenk, dazu zähl ich:

• Holger Göbel: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik. 2. Auflage. Springer, Berlin 2006, ISBN 3-540-34029-7. 
• Michael Reisch: Halbleiter-Bauelemente. 2. Auflage. Springer, Berlin 2007, ISBN 3-540-73199-7. 
• Jörg Schulze: Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente. 1. Auflage. Springer, Berlin 2005, ISBN 3-540-23437-3. 
• Thomas Tille, Doris Schmitt-Landsiedel: Mikroelektronik: Halbleiterbauelemente Und Deren Anwendung in Elektronischen Schaltungen. 1. Auflage. Springer, Berlin 2009, ISBN 3-540-20422-9. 
• Frank Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente: Einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. 1. Auflage. Springer, Berlin 2004, ISBN 3-540-22316-9. 

mhh extrem Springer-lastig, habe aber sonst keine akuelleren Bücher zum Thema in den Händen gehabt. --Cepheiden 22:11, 10. Aug. 2009 (CEST)

Hi Cepheiden, habe nach dem Durchstöbern der Bibliothek noch einige, eher allgemeine, und meiner Meinung gut zu dem Thema passende Literatur hinzugefügt. Die sehr speziellen Artikeln welche tlw. nur mit IEEE-Account verfügbar sind hab ich mal entfernt bzw. zu den geschichtlichen Referenzen verschoben.--wdwd 19:32, 12. Aug. 2009 (CEST)

Hallo, also das Hilleringmann-Buch empfinde als nicht so ideal für diesen Übersichtsartikel. Vor allem weil es fast nur Halbleitertechnik beinhaltet, der Artikel im Gegensatz dazu fast nur Schaltungstechnik. --Cepheiden 19:35, 12. Aug. 2009 (CEST)

Hi Cepheiden, wenn Du einen besseren Vorschlag hast, tausche es bitte.--wdwd 19:53, 12. Aug. 2009 (CEST)

Es geht ja nicht um die Quallität des Buchs, sondern um den behandelnden Themenbereich. Ich einem solchen Übersichtsartikel hätte ich halt gern mehr über die Geschichte und die Auswirkungen dieser Technik auf das Leben der Menschen (evtl. in Mikroelektronik besser aufgehoben).--Cepheiden 17:58, 13. Aug. 2009 (CEST)

Spezielle Transistoren

Was noch fehlt sind Informationen über exotische Transitortypen wie dem "Spintransistor" oder dem MIMIM-Transistor (Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal,doi:10.1109/16.536822) oder generell Transistorkonzepten aufbauend auf dem Tunneleffekt, auch TFTs kommen zu kurz dafür, dass der Begriff doch recht bekannt ist. --Cepheiden

Hi Cepheiden, die TFTs sind neben einer Erwähnung im geschichtlichen Abschnitt unter "Spezielle Transistortypen" mit einem Absatz, analog zu anderen spezielle Transistoren, erwähnt und auf den TFT-Artikel verlinkt. Sind die TFT zu gut versteckt?

Wenn Du Informationen zu den sehr speziellen Spintransistoren hast, würde sich ein eigener Absatz in jenem Abschnitt sicher gut machen.--wdwd 11:55, 15. Aug. 2009 (CEST)

Mhh, faszinierend, war offensichtlich zu gut versteckt. Ich hab mal einen kleinen Zusatz gemacht.

Was die spezielle Transistoren angeht, ich schau mal ob ich hier gute Informationen zusammentragen kann. Kann sich aber etwas hinziehen. --Cepheiden 12:09, 15. Aug. 2009 (CEST)

Bietet sich hier evtl. eine Übersicht in Form einer Tabelle an? --Cepheiden 12:24, 15. Aug. 2009 (CEST)

Bild

englisch

Dieses Bild könnte eingedeutscht und etwas vereinfacht in die Einleitung. Löcher, Elektronen, Rekombination, positive und negative Dotierung sind die Stichworte.-- Kölscher Pitter 10:26, 15. Aug. 2009 (CEST)

Mach ich nachher, hatte das schon in Vorbereitung. Allerdings halte ich diesen Artikel hier für den falschen Platz für das Bild. --Cepheiden 11:00, 15. Aug. 2009 (CEST)

Halbleiterkristall: links blau: stark positiv dotiert, mitte grün: negativ dotiert, rechts blau: positiv dotiert

So, hier mal die deutsche Grafik. Ich habe auch statt, der Abkürzungen die Bezeichnungen der Anschlüsse ausgeschrieben. --Cepheiden 11:12, 15. Aug. 2009 (CEST)

Schon mal nicht schlecht. Jetzt müsste OMA noch verstehen, dass die farbig angelegten Bereiche Halbleiterkristalle sind. Kann man auch mit dem Bildtext machen. Befreie dich mehr von der Vorlage. Ich würde noch einiges rausschmeißen. Warum meinst du: nicht hier?-- Kölscher Pitter 11:31, 15. Aug. 2009 (CEST)

Weil für solche Detailerklärungen eigentlich der sehr ausführliche Artikel Bipolartransistor zuständig ist. Fängt man hier mit Dateilerklärungen an, wird es immer schwerer Grenzen zu den Detailartikeln zu ziehen. Es ist richtig hier ein OMA-taugliches Bild einzufügen, das ist richtig. Ich weiß nur nicht ob dies nicht zuweit geht. Ähnlich ist es wohl für das aktuelle Bild zum Bipolartransistor, die hilft kaum weiter. Müssen wir uns mal was überlegen. --Cepheiden 11:39, 15. Aug. 2009 (CEST)

Hi all, punkto Bebilderung, vielleicht kann man es auch so sehen: a. Es dient auch etwas zur Auflockerung des Textes ohne das damit in einem Übersichtsartikel wie hier alle möglichen Fragen beantwortet sind. b. es steigert vielleicht das Interesse um dann auf "Spezialartikeln" weiter zu lesen.--wdwd 12:06, 15. Aug. 2009 (CEST)

Habe mal etwas Text hinzugefügt. So kann man noch einiges aus der Grafik entfernen.-- Kölscher Pitter 13:09, 15. Aug. 2009 (CEST)

Der Text im Bild ist viel zu klein. Daudurch verkommt das Bild in der Vorschau zur reinen Ansammlung von bunten Flächen.---<(kmk)>- 16:56, 15. Aug. 2009 (CEST)

Mhh, soll deiner Meinung nach der Text im Miniaturbild lesbar sein, oder wie? --Cepheiden 18:25, 15. Aug. 2009 (CEST)

Erst mal links die geschweifte Klammer mit den Strombezeichnungen raus. Fließpfeile breiter, damit größerer Text (Elektronen...) möglich ist.-- Kölscher Pitter 20:32, 15. Aug. 2009 (CEST)

Ziel ist es also nur das Schichtsystem mit den Pfeilen zu haben? Mhh, da bin ich zwar nicht wirklich ein Fan von, aber wenn die alle anderen dieser Meinung sind dann mach ich mal fix eine solche Version. --Cepheiden 21:35, 15. Aug. 2009 (CEST)

Halbleiterkristall mit unterschiedlich dotierten Bereichen. Löcherstrom und Elektronenstrom

So ich hab das mal in die Test.svg (Permanentlink) gespeichert. Ist das nu besser? --Cepheiden 21:44, 15. Aug. 2009 (CEST)

Deutlich besser. Ich bin ein Stück in die gleiche Richtung gegangen: Noch dickere Pfeile, noch ein wenig höher, auch die Bezeichnung der Dotierung gleich groß, wie der Rest der Schriften. Außerdem habe ich auch den Löcher-Pfeil abzweigen lassen und die Elektroden optisch etwas vom Halbleitermaterial abgesetzt. (Permanentlink).-<(kmk)>- 02:33, 16. Aug. 2009 (CEST) Nachtrag: Das mit dem Permanentlink scheint nicht zu klappen. Ich bekomme jedenfalls sowohl bei Deinem Permentlink als auch bei meinem nur meine Version. Hier ein Link ins Commons-Archiv zu Deiner Version.-<(kmk)>- 02:39, 16. Aug. 2009 (CEST)

Könnt Ihr nicht noch das Blau unterschiedlich stark machen, sozusagen als optische Darstellung der Dotierungsstärke? --Mirko Junge 02:57, 16. Aug. 2009 (CEST)

Klingt sinnvoll. Ich probiers mal dezent aus. Außerdem habe ich ein wenig an den Anschlüssen gespielt.Vorher sahen sie ein wenig wie grob gepixelte Schatten aus. (Archivlink,Archivlink zur Version mit gleichen Farben)---<(kmk)>- 03:25, 16. Aug. 2009 (CEST)

Mir fällt gerade auf, dass das das Bild nur für einen der vier Arbeitsbereiche stimmt. Eigentlich müsste man für den Artikel Bipolartransistor vier Bilder im gleichen Stil aber unterschiedlichen Strompfeilen malen.---<(kmk)>- 03:04, 16. Aug. 2009 (CEST)

Ha, deswegen unter anderem deswegen hilt ich die Abbildung ja für wenig informativ. Ich bin entgegen gegen eine ausführliche Beschreibung hier. Sowas gehört in den Hauptartikel. Zudem behandelt es nur den BJT (dt. Bipolartransitor)aber nicht alle bipolaren Transistoren. Ein Bild zur Veranschaulichung ist ok, aber ausführlicher, wie gesagt, nein.--Cepheiden 10:44, 16. Aug. 2009 (CEST)

Das Ergebnis ist klasse. OMA lernt Halbleiterkristall, dotiert und Löcher. Das reicht. Stimmt dann nun im Bildtext positiv und negativ?-- Kölscher Pitter 13:56, 16. Aug. 2009 (CEST)

Also ich werd mir das nochmals ganz genau ansehen (der Abschnitt im Artikel Bipolartransistor ist ein Graus), aber soweit ich das sehe ist die (stark reduzierte) Darstellung für den aktiven Bereich eines npn-BJTs richtig. Sie ist aber nicht richtig für den pnp-Transistor oder andere Arbeitsbereiche. Auch ist es nicht zwangsläufig richtig für andere bipolare Transistoren. --Cepheiden 15:05, 16. Aug. 2009 (CEST)

Welche Sorten anderer bipolarer Trasnistoren gibt es denn, bei denen das Bild so wenig passt, dass es falsch wird? Ich hätte kein Problem mit einer beispielhaften Grafik im Artikel Transistor. In der Bildbeschreibung sollte natürlich nicht allgemein "Transistor" stehen, sondern etwa "Betrieb eines NPN-Transistor im Verstärkungsbereich". Bei einer Serie, die die vier Arbeitsbereichen illustriert, würde ich an die Anschlüsse nicht mit "Kollektor", "Basis" "Emitter" schreiben. Stattdessen wären Bezeichnungen für die Spannungen "U_c", "U_b" und "U_e" passender. Die relativen Verhältnisse der Spannungen sollten dann in die jeweilige Bildunterschrift.---<(kmk)>- 02:02, 17. Aug. 2009 (CEST)

Andere bipolare Transistoren nutzen zum Teil der Funktionsweise normaler BJTs, aber eben nur zum Teil. Andere bipolare Transistoren sind beipielsweise "Resonant-Tunneling Bipolar Transistor", "Heterojunction bipolar transistor", "Insulated gate bipolar transistors", etc.

Zur Grafik und zu den Bezeichnungen kann ich nur folgendes sagen. Im Artikel wird nur erwähnt das beide Ladungsträger zur Funktion benötigt werden, über Ansteuerung oder Ladungsträger bewegung wird nichts gesagt (das ist auch gut so), deswegen empfinde ich eine Grafik in der die Ladungsträgerbewegung dagestellt wird als falsch platziert im Text. Die Bezeichnungen gegen Spannungen zu ersetzen hat Vor- und Nachteile. Man müsste dann beschreiben was die Spannungen bedeuten, denn die diese Spannungsbezeichnungen sind untypisch und im Text ebenfalls nicht erwähnt. Vorteil wäre man könnte die Bedingungen für den aktiven Bereich aufführen für den die Grafik erstellt wurde. Da hier aber wiederum die Funtkionsweise genauer erläutert werden müsste, versteh ich nicht worin ihr alle den Sinn dieser Grafik für den Übersichtartikel seht. --Cepheiden 09:48, 17. Aug. 2009 (CEST)

IGBTs und Verwandte werden normalerweise nicht als "NPN-Transistor" bezeichnet. Eine Verwechselungsgefahr sehe ich nicht. Auch aus dem Übersichtsartikel sollte hervorgehen, dass sich die Ladungsträger bewegen. Ansonsten könnte man annehmen, es handle sich um Elektrostatik. Dazu reicht ein Halbsatz. Die Graphik habe ich "schön" gemacht, weil der generelle Fluss von Elektronen und Löchern spätestens im BJT-Artikel ausdrücklich dargestellt werden sollte. Dafür sollte es wie schon erwähnt zu einer Serie erweitert werden. Im Übersichtsartikel hätte es Beispielcharakter.---<(kmk)>- 16:01, 17. Aug. 2009 (CEST)

Ich rede nicht von npn-Bipolartransitoren, sondern von bipolaren Transitoren und die damit verbindene Verwechslungsgefahr. Ich kann auch immer noch nicht den Vorteil der Grafik erkennen. Das Funktionsprizip eine Bipolartransistors wird in dem Artikel auch garnicht erklärt, außer das beide Ladungsträgerarten benötigt werden. Ich sehe vielmehr die Gefahr eine zustarken Vereinfachung, die ein falsches Bild der Funktionsweise abbildet. Meint hier wirklich die Grafik hilft Laien beim Lesen des Textes? Ich will mich nicht querstellen, sondern verstehen wie es helfen soll. --Cepheiden 16:44, 17. Aug. 2009 (CEST)

Ich meine, dass der Text im Abschnitt bipolarer Transistor inhaltlich noch nicht wirklich gut ist. Das Bild transportiert die Information, dass sich im Transistor Löcher und Elektronen in entgegengesetzter Richtung bewegen und das Strom durch die Basis fließt. Das ist ein zentraler Punkt an bipolaren Transistoren, der bis jetzt im Text zu kurz kommt. Stattdessen werden die Schaltplansymbole ausführlich beschrieben und die Tatsache, dass man zwei Transistoren in einer Darlington-Schaltung kombinieren kann. Das geht etwas weit ins Detail.---<(kmk)>- 17:16, 17. Aug. 2009 (CEST)

Mhh, da bin ich gespannt wie du den Text gestallten und den Bipolartransistor erklären willst. Von bipolaren Transitoren im Allgemeine ganz zu schweigen. Solltest du wirklich eine kurze, richtige und omataugliche erklärung in diesen Übersichtsartikel einfügen, wäre das schön. Ich habe den Text nicht weiter ausgeführt, weil ich das nicht geschaft hätte. --Cepheiden 18:00, 17. Aug. 2009 (CEST)

Habe ich gesagt, dass ich an dem Abschnitt basteln möchte? ;-) Im Ernst: Der Abschnitt soll natürlich nicht den Bipolartransistor eigenständig erklären. Das ist bitteschön Aufgabe des Hauptartikels. Aber etwas mehr Andeutungen, was denn im Transistor abgeht, könnte der Abschnitt schon vertragen.---<(kmk)>- 22:52, 17. Aug. 2009 (CEST)

Angesicht der Tatsache, dass die Beschreibungen in einem Übersichtsartikel kurz gehalten werden sollten, denke ich nicht, dass jemand der den Übersichtsartikel gelesen hat wissen muss wie der Bipolartanssitor oder die Feldeffekttransistorvarianten funktionieren. Gerade beim Bipolartransistor ist das meiner Meinung nach nicht in zwei drei Sätzen erledigt. Wenn ja, muss der Artikel wohl gründlich überarbeitet werden. --Cepheiden 23:13, 17. Aug. 2009 (CEST)

Bild vom Germanium Transistoren tauschen?

Germanium-Kleinleistungstransistoren aus den 1960er Jahren.

Germaniumtransistor OC603 von Telefunken im Glasgehäuse. Teilweise Entfernung der schwarzen Schutzlackierung.

wie oben, eingeschränkt auf das untere Bild.

Ich würde das linke Bild gerne gegen das rechte tauschen, da man im rechten den Aufbau und die Größe der in Glas eingegossenen Transistoren besser erkennen kann. Auch sieht man die schwarze Lackierung zum Ausschalten des Einflusses von Licht auf den Transistor deutlich. --Mirko Junge 21:10, 16. Aug. 2009 (CEST)

Das rechte Bild gefällt mir auch besser. Die Darstellung als Doppelbild ist allerdings nicht so prickelnd. Im unteren Teil kann man dank Schrägsicht die dreidimensionale Struktur besser erfassen. Ich habe das Bild entsprechend beschnitten die Skala unten reingeschrieben und das Bild wieder nach Commons hochgeladen. Der Transistor ist wahrscheinlich nicht eingegossen, sondern nur von der Glasröhre abgdeckt.---<(kmk)>- 01:42, 17. Aug. 2009 (CEST)

War mal so frei und hab Das Bild gegen das untere getauscht.--wdwd 08:42, 17. Aug. 2009 (CEST)

Weiß jemand wie das Gehäuse bezeichnet wurde/wird? --Cepheiden 09:49, 17. Aug. 2009 (CEST)

Rechts OC603: Allglas, ähnlich wie Gehäuse R-9. Die Links dargestellten (neueren) OC77 sind im Gehäuse R-9. Daten finden sich unter anderem hier.--wdwd 10:53, 17. Aug. 2009 (CEST)

Danke :-) Könnte ja evtl. mit in die Bildunterschrift. --Cepheiden 16:45, 17. Aug. 2009 (CEST)

Begriff Transistor und Wertschätzung von Lilienfeld

• Laut New Shorter Oxford English Dictionary (NSOED) handelt es sich bei dem Kunstwort Transistor um: Blend of Transfer v. and Resistor. Als Quelle schlägt der NSOED (meines Erachtens) die Ausführungen der Nobelkommission. Ich finde der zweite Satz der Einleitung sollte entsprechend angepasst werden.
• Die Quelle

• J. Bardeen, W. Brattain, W. Shockley: Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials. US-Patent 2.524.035, Angemeldet am 27. Juni 1948, Veröffentlicht am 3. Okt. 1950 (Online: auf esp@cenet, Beitrag von Edwin A. Suominen, Abgerufen am 18. Juni 2009)

ist zeitlich nach der Veröffentlichung in der Physical Review:

• John Bardeen, Walter Houser Brattain: The Transistor. A Semi-Conductor Triode. In: Physical Review. The American Physical Society, 25. Juni 1948, ISSN 0031-899X, S. 230–231, doi:10.1103/PhysRev.74.230. 

in der übrigens Lilienfeld auch nicht erwähnt wird.--Mirko Junge 22:04, 17. Aug. 2009 (CEST)

Mir ist nicht ganz klar was du uns mitteilen möchtest, aber es ist doch wohl klar das Bardeen, Brattain und Shockley hier entweder wirklich keine Ahnung hatten von Lilienfeld hatten oder ihn bewust nie erwähnen. --Cepheiden 22:54, 17. Aug. 2009 (CEST)

Zum einen die Kette mit den möglichen Wortentstehungen reduziert auf die Angabe aus dem NSOED und zum Anderen die Erstveröffentlichungsquelle des Bipolartransistors in den Referenzen. Es ist schon ein Unterschied ob etwas als Patent, als Fachartikel oder beides veröffentlicht wurde. Grüße, --Mirko Junge 06:30, 18. Aug. 2009 (CEST)

Nunja, das mit der Bezeichnung ist ja für die eine Variante, die im Artikel bereits mit einer "Nobel-Preis-Quelle" belegt ist. Die Anderen Varianten, tja, weiß nicht ob die raus sollten. Die veröffentlichung bau ich mal ein. Grüße. --Cepheiden 09:35, 18. Aug. 2009 (CEST)

Du hast ja jetzt eine wirklich gute Quelle gefunden! Ich finde die zwar sprachlich auch möglichen, nach Quellenlage jedoch nicht belegten, Varianten, sollten aus der Einleitung gestrichen werden. Grüße, --Mirko Junge 13:17, 18. Aug. 2009 (CEST)

Da kam mir wohl jemadn zuvor :-). Die Entscheidung nicht belegte Worturspünge raus zunehmen ist sicher die beste Lösung. --Cepheiden 15:47, 18. Aug. 2009 (CEST)

Immer drei Anschlüsse

Habe diese Behauptung aus der Einleitung entfernt, da nicht allgemein zutreffend. Beispielsweise sind bei machen FETs vier Anschlüsse vorhanden (Bulk und Source getrennt herausgeführt) -> Transistor mit 4 Anschlüssen. Bei manchen Phototransistoren, vorallem bei niedriger Schaltfrequenz, ist mitunter der Basisanschluss nicht herausgeführt -> Transistor mit 2 Anschlüssen. Ausserdem ergibt sich die Anzahl der Anschlüsse unmittelbar aus den Schaltsymbolen bzw. der Summe der Pinbezeichnungen.--wdwd 18:41, 19. Aug. 2009 (CEST)

Dann sollte das doch noch irgendwo erwähnt werden, weil es ja fast etwas elementares für so ein Bauelement ist.--Thmsfrst 19:19, 19. Aug. 2009 (CEST)

Hi Thmsfrst, unter "Feldeffekttransistor/MOSFET" steht schon, dass noch ein weiterer Anschluss, das so genannte Bulk (dt. Substrat) hinzu kommt. Beim Fototransistor hab ich noch einen kurzen Nebensatz zum mitunter fehlenden Basisanschluss eingefügt.--wdwd 20:08, 19. Aug. 2009 (CEST)

Bezeichnungen

Hallo, bei den heutigen Änderungen missfällt mir, dass die Bezeichnung MOSFET zunehmend an Einfluss gewinnt. Da es sich hier nur um eine Besondere Ausführung und nicht um eine systemaische Bezeichung handelt, würde ich dem gern entgegenwirken. Ein MOSFET ist ja ein spezieller MISFET und diese wiederum ein spezieller IGFET. Da es sich hier um einen Übersichtsartikel handelt sollte er auch eine systematische Einordnung enthalten. Die Frage ist nun ob wir die derzeitige so lassen wollen oder entsprechend systematisch benennen. --Cepheiden 20:14, 19. Aug. 2009 (CEST) Insgesammt habe ich noch vor eine Zusammenstellung verscheidener Spezialtypen in einer Liste oder Tabelle in den Artikel einzubauen, das dauert abe r sicher noch ein paar Tage (siehe Diskussion oben).

Das Problem ist klar. Die Bezeichnung "MISFET" wird außerhalb von Lehrbüchern kaum gebraucht. Mir ist er zum Beispiel noch nie in Katalogen und Produktübersichten begegnet. Eine Sprachregelung hier in Wikipedia, die zwar begrifflich sauberer, aber vom Gebrauch im Rest der Welst abweicht, ist gegen die Richtlinien. Eine begriffliche Einordnung ist allerdings etwas anders. Da stimme ich Dir zu, dass sie hier im Artikel gut und richtig ist. Im Sinne der Übersicht wäre es auch gut, wenn das Stichwort in einer Zwischenüberschrift auftaucht. Die bisherige Schrägstrich-Form ist allerdings nicht so toll. Sie suggeriert, dass es sich um Synomyme handelt, was nicht der Fall ist. Vorschlag: "MISFETs und MOSFETs".---<(kmk)>- 18:07, 20. Aug. 2009 (CEST)

Ja, das die Wikipedia nicht Begriffe definieren soll versteh ich gut. Eine entsprechende Erklärung sollte dennoch im Artikel bleiben/vorhandensein. --Cepheiden 09:29, 25. Aug. 2009 (CEST)

Transistor

Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Sie sind Bestandteil elektronischer Schaltungen welche beispielsweise in der Nachrichtentechnik, der Automatisierungstechnik und in Computersystemen eingesetzt werden. Besondere Bedeutung haben Transistoren in integrierten Schaltungen. Der Begriff „Transistor“ ist eine Kurzform für eine der englischen Bezeichnungen Transfer Varistor, Transformation Resistor oder Transfer Resistor, also einen durch Spannung oder Strom steuerbaren elektrischen Widerstand.

Nach einer größeren Artikelüberarbeitung, welche mit Ende 2007 schon einige Zeit zurück liegt und einem anschliessenden Review, zwischenzeitlich erfolgten diverse Ergänzungen und Verbesserung, möchte ich den Artikel zur Abstimmung vorschlagen. Anzumerken ist noch, dass der Artikel das Ziel hat eher ein allgemeiner Übersichtsartikel zu sein und Details eigenständigen Spezialartikeln vorbehalten sind. Als einer der Autoren  Neutral.--wdwd 19:47, 12. Aug. 2009 (CEST)

 Pro Alle wichtigen Aspekte sind kompakt und ausführlich genug zusammengefaßt. Für meine Begriffe durchaus lesenswert. --Thmsfrst 21:56, 14. Aug. 2009 (CEST)

 Pro Allerdings fehlen mir noch die geschichtlichen Aspekte, was für Einsatzgebiete Transistoren zunächst hatten, nämlich analoge, und was für Geräte sie möglich und populär gemacht haben, wie das sprichwörtliche Transistorradio. --PeterFrankfurt 01:45, 15. Aug. 2009 (CEST)

 Pro Für mich ist immer Sprache und OMA-Test ausschlaggebend. Daher mein Votum. Ein Bild (Löcherstrom usw.) wäre noch schön. In der Diskussion wurde ein englisch-sprachiges erwähnt, das leider durch zuviel Text unübersichtlich ist.-- Kölscher Pitter 10:11, 15. Aug. 2009 (CEST)

 Pro Knapp lesenswert (aber noch weit entfernt von exzellent). --Dominicp 11:36, 15. Aug. 2009 (CEST)

Danke, wo liegen deiner Meinung nach die Mängel? (Diskussion dazu unter Diskussion:Transistor#Lesenswert Kandidatur) --Cepheiden 11:42, 15. Aug. 2009 (CEST)

Für exzellent müßten zumindest die Anwendungen vielleicht noch ausführlicher beschrieben werden. Ich finde die sind dort fast etwas knapp beschrieben. Die Einleitung ist jetzt fast auch noch etwas kurz, man könnte sich bei der Einleitung an der englischsprachigen Version etwas orientieren. Insgesamt müßte für exzellent der Artikel wohl noch ein Stück umfangreicher und detailierter werden. --Thmsfrst 14:39, 15. Aug. 2009 (CEST)

Abwartend Der Geschichtsteil ist noch einwenig durcheinander: Wer wann was erfunden hat steht zwar drin, aber wieso deutsche in Frankreich auch einen Transistor entwickelt haben und wieso die wichtig sind, wenn das Veröffentlichungsdatum doch später ist, wird nicht klar. Weiterhin sind die Bilder der aufgesägten Transistoren zwar für Kenner der Matierie interessant, ohne eine adäquate Beschriftung, was nun Chip, Anschluß etc. ist, nicht weiter aufschlussreich. --Mirko Junge 23:30, 15. Aug. 2009 (CEST)

AbwartendIn der Beschreibung geht mir noch zuviel durcheinander. Gut und zweifellos grundlegend ist die Gliederung in die diversen Technologie. Allerdings lassen sich die Werkstoffe nicht von den Technologien trennen, jede Technologie hat ihr spezifisches Material. Ebenso die Aspekte von Schaltungstechnik, Gehäuseform und Fertigungstechnik (Bestücken, Löten). Dazu gibt es hier und dort mal eine vereinzelte Info, systematisch wird das nicht beschrieben. Regelrecht verwirrend finde ich das Hin- und Herwechseln zwischen Transistoren in integrierten Schaltkreisen und Transistoren in Form diskreter Bauelemente. --Giro Diskussion 00:07, 16. Aug. 2009 (CEST)

 Pro gut verständlich und mit einer vertretbaren Ausführlichkeit / Knappheit. so stelle ich mir Artikel vor. --Wmeinhart 10:51, 19. Aug. 2009 (CEST)

Der Artikel erklärt nirgendwo mit einer kurzen pägnanten Beschreibung (s. Einleitung) das Funktionsprinzip eines Transistors. Im Namen aller Schüler und meiner eigenen, zwanzig Jahre zurückliegenden Diplomprüfung: Veto --Succu 22:06, 20. Aug. 2009 (CEST)

Auswertung: Der Artikel wurde als lesenswert ausgewertet. Die Anzahl der pro-Stimmen überwiegt die Anzahl der contra-Stimmen deutlich. Das vorhandene Veto gibt zudem keine inhaltliche Begründung sondern verweist auf partielle Unverständlichkeit, die entsprechend der lesenswert-Kriterien jedoch bei einem fehlerfreien Artikel explizit toleriert wird. -- Achim Raschka 07:26, 21. Aug. 2009 (CEST)

Lesenswert trotz nicht-Erklärung der Funktion

Offensichtlich ist mir die Kandidatur entgangen. Herzlichen Glückwunsch dazu. Allerdings muss ich Succu in seiner Veto-Diagnose recht geben. Der Artikel versäumt es, über die Funktion des Bauteils Transistor Auskunft zu geben. Damit hat er eigentlich das Pädikat "lesenswert" nicht verdient. Entsprechend kann ich auch die Begründung von Achim Raschka nicht recht nachvollziehen. Das Problem ist ja nicht Unverständlichkeit, sondern ein schwerwiegender blinder Fleck in der Darstellung. Statt einer Revision der Entscheidung würde ich eine Erweiterung des Artikels um eine Darstellung der Funktion bevorzugen. Das kann und soll nicht ins Detail gehen. Aber den Leser ganz im unklaren zu lassen, wofür Transistoren schaltungstechnisch gut sind, ist auch kleine Lösung.

Die Erweiterung sollte zwei Komponenten haben. Einerseits sollte die Einleitung um einen entsprechenden Satz erweitert werden. Zweitens sollte es einen eigenen Abschnitt "Funktion" geben. Dort sollte darauf verwiesen werden, dass Transistoren je nach Typ dazu taugen, mit kleinen Strömen große zu steuern. Dass man mit mit ihnen Ströme durch Spannungen steuern kann. Dass man sie als elektrisch betätigte Schalter einsetzen kann. Dazu sollte jeweil eine Beispiel-Anwendung, für dei jeweilige Funktion. Viel tiefer sollte die Darstellung nicht gehen. Findet solch eine Erweiterung Eure Zustimmung? Kommentare? Textvorschläge?---<(kmk)>- 20:59, 21. Aug. 2009 (CEST)

Das kann ich nicht nachvollziehen. In der Einleitung ist die Rede vom steuerbaren Widerstand. Und das ist die Funktion. Sicher: ich hätte noch gerne ein Bild in die Einleitung.-- Kölscher Pitter 09:36, 22. Aug. 2009 (CEST)

Erstens ist davon nur am Rande im Zusammenhang mit der Namensgebung die Rede. Die Funktion eines aktiven Bauteils ist jedoch ein zentraler Aspekt des Lemmas. Zweitens wird ein Transistor nur in den seltensten Fällen als steuerbarer Widerstand eingesetzt. Ein Widerstand zeichnet sich dadurch aus, dass Strom und Spannung über die Beziehung U=RI zusammenhängen. Ein Blick auf das Kennlinienfeld eines Transistors lässt erkennen, dass I_CE im größten Parameterbereich nicht proportional zu U_CE ist.---<(kmk)>- 22:36, 22. Aug. 2009 (CEST)

Kennlinienfeld ist ein gutes Stichwort. Ein solches Bild sollte in die Einleitung.-- Kölscher Pitter 11:20, 23. Aug. 2009 (CEST)

Hi KaiMartin, was Du als fehlend erwähnt ist in der Einleitung (wenngleich sehr knapp) in dem Nebensatz erwähnt:

[...] einen durch Spannung oder Strom steuerbaren elektrischen Widerstand.

Unter Typen/Bipolartransistor:

Ein kleiner Steuerstrom auf der Basis-Emitter-Strecke führt zu Veränderungen der Raumladungszonen im Inneren des Bipolartransistors und kann dadurch einen großen Strom auf der Kollektor-Emitter-Strecke steuern.

unter FETs:

Feldeffekttransistoren [...] werden durch eine Spannung gesteuert. Besonders für FET ist ein sehr hoher Eingangswiderstand im statischen Betrieb und die daher fast leistungslose Ansteuerung typisch.

Ist das zu kompakt? --wdwd 11:03, 22. Aug. 2009 (CEST)

Es ist geht vor allem in den sonstigen zig Kilobytes Beschreibung unter. Die wichtigste Frage, die der Artikel Transistor beantworten sollte, ist "Was ist eigentlich ein Transistor?" Zur Antwort gehört offensichtlich und an zentraler Stelle die Funktion. Mit ein paar verstreuten Randbemerkunge ist es da nicht getan. Der Halbsatz in der Einleitung ist dazu noch einigermaßen irreführend (siehe meine Antwort an Kölscher Pitter). Der Satz bei den biplpolaren Transistoren erwähnt zwar, dass ein kleiner Strom einen großen steuern kann. Welche Funktion das in einer Schaltung erfüllen kann, bleibt jedoch der Phantasie des Lesers überlassen. Der Satz bei den FETs sagt noch weniger über die Funktion aus. Er beschränkt sich auf die Aussage, dass die Funktion mit einer Spannung bewirkt wird. Es fehlt jeder Hinweis darauf, dass Transistoren die Röhren als wichtigstes, aktives Bauelement ablösten.---<(kmk)>- 23:02, 22. Aug. 2009 (CEST)

Das mit dem Ablösen der Triode durch den Transistor ist wichtig. Es sollten aber stichpunktartig auch die Grüde genannt werden: geringer Baugröße, geringere Verlustleistung, keine Heizspannung, längere Lebensdauer, geringere Vibrationsempfindlichkeit (zumindest bei den planaren Taransistoren). (Die Liste erhebt keinen Anspruch auf Vollständigkeit). Grüße, --Mirko Junge 12:20, 23. Aug. 2009 (CEST)

@KaiMartin, ein linearer Widerstand kennzeichnet sich durch die Bezeihung U=RI aus. Von einem linearen steuerbaren Widerstand war/ist bei einem Transistor keine Rede, da, wie Du richtig feststellst, das auch nicht korrekt wäre.

Meine Rückfrage nicht falsch verstehen: Es spricht ja nichts gegen eine Ergänzung um einen eigenen Abschnitt "Funktion" - eventuell auch wo die Unterschiede "Kleinsignal-" vs "Grossignalverhalten" (Verstärker vs Schalterbetrieb) kurz angrissen wird. Wer legt los?--wdwd 16:37, 23. Aug. 2009 (CEST)

Ist das geklärt oder müssen wir noch nacharbeiten/diskutieren? --Cepheiden 21:38, 25. Aug. 2009 (CEST)

Bild vom TO5 Transistor

Das Originalbild

Der heile Transistor

Leider ist in dem Bild der geöffneten TO5 Transistoren der linke ohne Anschlüsse an den Chip, so dass ich den rechten Transistor alleinegestellt, gedreht und entrauscht habe. Also ich finde das neue Bild natürlich besser, falls ihr das auch findet, sollten wir die Bilder tauschen. --Mirko Junge 19:28, 22. Aug. 2009 (CEST)

Ja. Meiner Meinung nach besser. Allerdings komme ich mit dem Schatten nicht klar. Woher kommt das dritte, mittlere Schattenbeinchen?-- Kölscher Pitter 21:47, 22. Aug. 2009 (CEST)

Hi Kölscher Pitter, es sind ja drei Pins. :-) Wobei zwei Pins in dem Bild fast übereinander liegen.--wdwd 22:26, 22. Aug. 2009 (CEST)

grundlagen?

Als person ohne ahnung habe ich die seite angeschaut und war nachher so schlau wie vorher.

eingangs wird in einem satz lapidar festgehalten der transistor sei ein "elektronisches bauteil zum schalten und verstären von elektrischen signalen" (oder so ähnlich) danach geht es dann direkt massiv ins detail. eine grunlegende definition mit etwas mehr ERLÄUTERUNG oder einem BEISPIEL wäre aus meiner sicht gut! 80.218.239.157 01:28, 4. Okt. 2009 (CEST)

Danke für die Kritik. Leider ist mir als "betriebsblinder" Mitautor des Artikels etwas unklar, wieweit reduziert die Beschreibung für einen Laien sein müsst. Kannst du etwas umschreiben, was du zwischen Einleitung und dem folgenden Text erwartet hättest? Grüße --Cepheiden 09:32, 4. Okt. 2009 (CEST)

"Betriebsblind" bin ich in diesem Zusammenhang nicht. Der erste Satz hat wohl immer ein großes Gewicht. Danach muss man weiterlesen. Ohne "Lesen" gehts natürlich mit einem Bild. Leider haben die "betriebsblinden" Fachleute ein Bild aus der Einleitung entfernt mit dem Argument: das ist ja ein Bipolar.... Gut: dann muss ein anderes Bild her. Aussage: Halbleiterkristall, gesteuerter Widerstand.-- Kölscher Pitter 13:52, 4. Okt. 2009 (CEST)

Beispiel und Erläuterungen gibt es ja, aber offensichtlich nicht laienverständlich dargestellt. @Kölscher Pitter Welches Bild hast du da vor Augen? Die Bebilderung in der Einleitung hat sich doch sehr lange nicht geändert. Zur erweiterten Definition, (strom- oder spannungs) gesteuerter elektrischer Widerstand ist schon mal ganz gut. Was den "Halbleiterkristall" angeht habe ich bedenken, schließt man damit nicht viele organische Transistoren und auch Dünnschichttransistoren auf Basis von amorphen Silizium aus? --Cepheiden 14:21, 4. Okt. 2009 (CEST)

Du warst doch an der Diskussion beteiligt. Weil ich das so informativ fand, hatte ich das in die Einleitung getan. Wurde verschoben.-- Kölscher Pitter 14:37, 4. Okt. 2009 (CEST)

War mir wohl vorhin entgangen, als ich kurz in der Versionsgeschichte geblättert hatte. Ich bin auch immer noch der Meinung, das eine solche Grafik bei der Einleitung keine Information bringt sondern eher Fragen aufwirft. Das ist als wenn man im Artikel Motor gleich mit dem Aufbau eines Elektromotoren kommt. Ich denke das bringt keinen weiter. --Cepheiden 15:21, 4. Okt. 2009 (CEST)

Der Artikel ist "gut". Ich möchte da nicht mißverstanden werden. Die IP-Kritik zeigt dennoch einen Konflikt. "Halbleiterkristall" geht nicht, weil ja auch amorph möglich ist. Bild geht nicht weil ja "nur" bipolar. Das sind die Argumente der Fachleute. Der englische Artikel spricht vom "festen" (solid) Halbleitermaterial (semiconductor). Offensichtlich sind diese Autoren "pragmatischer". Und dort ist ein Bild in der Einleitung, was dem Leser eine "grobe" Vorstellung gibt.-- Kölscher Pitter 10:56, 6. Okt. 2009 (CEST)

Die Reden eben von einen (festen) Halbleiter, ich sehe da kein Problem im deutschen Artikel auch zu nutzen. Das hat meiner Meinung nach auch nichts mit Pragmatismus zu tun. Aber eine "solid semiconductor material" ist eben nicht gleichzusetzen mit einem Halbleiterkristall. Es wäre doch unsinn in der EInleitung etwas zu behaupten, was im ersten Absatz dann wieder aufgehoben wird. Und da es nunmal eine Vielfalt von Transistoren mit zum Teil komplett unterschiedlichen Funktionsprizipien gibt, kann man in einer Einleitung zu einem solchen Übersichtsartikel alt nur "schwammige" Aussagen machen. Ich sehe auch kein Problem in die Einleitung ein erklärendes Bildeinzufügen, sei es auch nur von einem bestimmten Transitortyp. Das Bild muss aber so gestalltet sein, dass es erklärt und nicht dass es den Laien vollkommen unverständlich ist. Zudem sollte auch betont werden, dass es sich damit nur um ein Beispiel handelt. Das alles ändert doch aber leider nichts daran, dass das Bauelement Transistor in der Einleitung alle Transistoren beschreiben muss. Im Artikel zu Motor steht doch auch nicht "er wandelt Benzin in mechanische Energie um". Verstehst du mich? --Cepheiden 17:43, 6. Okt. 2009 (CEST)

Also Halbleiter geht und ist ja bereits in der Einleitung drin. Du wehrst dich gegen Kristall. Dann fehlt ja nur ein Bild. Ich schiebe das Bild bei dem Inhaltsverzeichnis nach vorne.-- Kölscher Pitter 18:44, 6. Okt. 2009 (CEST)

Ich wehre mich garnicht, ich sag, dass es keine korrekte Einschränkung ist, wenn man damit alle Transistoren beschreiben will. --Cepheiden P.S. ich will ja nicht stänkern aber nachdem ich letzten eine Probevorlesung im Rahmen eines Habilitationsverfahrens gehört habe, stimmt auch Halbleiter nicht 100%ig. Es gibt auch noch die Spezialvariante MIMIM-Transistor (Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal). Auch wenn ich da einen Bruch in meiner Meinung habe, denke ich aber, dass wir dem dem normalen Leser auch erstmal vorenthalten können. Dünnschichttransistoren mit amorphen Silizium werden zudemin einer ganz anderen Größenordnung eingesetzt.

Hi all, hab mal aus der Einleitung diese (eigenartige) Ventil-Analogie entfernt. Ein Transistor ist im Prinzip nix anderes als ein steuerbarer Widerstand. Die Steuerbarkeit ist durch eine elektrische Steuer-Spg oder durch einen elektrischen Strom möglich, je nach Typ verschieden. Jene Steuerbarkeit ist *die* wesentliche Eigenschaft, egal wie das dann im Detail realisiert sein mag. Zur Erklärung dieser Grundfunktion braucht es keine Verrenkungen und ein Ventil oder ähnliches - zumal manche Transistoren ganz und gar keine Ventilwirkung haben und den gesteuerten Strom in beide Richtungen leiten können (z.b. MOSFETs). Einschränkung auf Halbleiter und Kristalle ist auch nicht nötig bzw. falsch - Vorschlag: Ein Transistor ist ein elektronisches Bauelement der Festkörperphysik womit auch die Abgrenzung zu Elektronenröhre und Umfeld gegeben ist.--wdwd 21:12, 6. Okt. 2009 (CEST), der beim tippen dieser Nachricht auf einen Monitor mit einigen Millionen ganz und gar nicht kristallinen Transistoren blickt...

noinclude

Vielleicht erklärt mir jemand, was es damit auf sich hat.-- Kölscher Pitter 10:38, 7. Okt. 2009 (CEST)

Das ist für die Einbindung der Einleitung in das Portal:Physik/Ausgezeichnete_Artikel. Weiteres am Besten dort erfragen. --Cepheiden 11:14, 7. Okt. 2009 (CEST)

Danke.-- Kölscher Pitter 11:40, 7. Okt. 2009 (CEST)

Bipolartransistor

In der Beschreibund des Bipolartransistors habe ich nicht direkt gelesen, dass: "Wenn von der Basis zum Collector ein genügend großer Strom fließt, dann wird der Widerstand Collector Emitter klein". So habe ich es jedenfalls gelernt. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von Cfischer1995 (Diskussion • Beiträge) 16:13, 10. Jan. 2009 (CET))

Also, zum einen ist das hier ja ein Übersichtsartikel und muss nicht alles beinhalten was in Bipolartransistor steht, zum anderen spielt der Basis-Kollektor-Strom doch garkeine Rolle, oder? --Cepheiden 12:49, 20. Dez. 2009 (CET)

Nicht schön

Bipolartransistoren, der wichtigste Vertreter bipolarer Transistoren, werden durch einen elektrischen Strom angesteuert.-- Kölscher Pitter 11:06, 20. Aug. 2009 (CEST)

erledigt? --Cepheiden 12:50, 20. Dez. 2009 (CET)

Darlington-Transistor

Was da steht im Übersichtsartikel halte ich für nicht OMA-gerecht. Mir fällt das Wort Kaskade ein. Oder: der Kleine steuert den Großen.-- Kölscher Pitter 11:13, 21. Aug. 2009 (CEST)

Besteht das Problem noch? Was derzeit im Artikel steht ist doch sehr oberflächlich, wobei eigentlich nur auf den Spezialartikel verwiesen wird. --Cepheiden 12:52, 20. Dez. 2009 (CET)

Zwei Transistoren werden zusammengeschaltet. Aha. Und was ist nun das Besondere daran? Das würde sich OMA fragen.-- Kölscher Pitter 13:30, 20. Dez. 2009 (CET)

Habe mal anders formuliert. Wenn du einverstanden bist, können wir das als erledigt betrachten.-- Kölscher Pitter 13:43, 20. Dez. 2009 (CET)

Das Besondere ist vorrangih die erhöhte Stromverstärkung, wie es auch schon im Artikel stand. Ich habe auch noch ne Kleinigkeit geändert. Ich denke dabei sollte man es an dieser Stelle belassen. --Cepheiden 13:55, 20. Dez. 2009 (CET)

Gut so. Einverstanden.-- Kölscher Pitter 13:58, 20. Dez. 2009 (CET)

Hilsch und Pohl 1938

Ich habe hier einen Artikel über eine experimentelle Arbeit vorliegen

R. Hilsch, R.W. Pohl, Steuerung von Elektronenströmen mit einem Dreielektrodenkristall und ein Modell einer Sperrschicht, Zeitschrift für Physik A - Hadrons and Nuclei, Springer Berlin / Heidelberg, Volume 111, Numbers 5-6, Mai 1938, pp. 399-408

http://www.springerlink.com/content/hh8885106vx4p30h/

der ein Bauelement beschreibt, das von seiner Strom-Spannungs-Charakterisitk klar als Transistor zu identifizieren ist.

Da der Artikel vor der Veröffentlichung von Shockley, Bardeen und Brattain erschien, dürfte hier wohl der erste Transistor publiziert worden sein.

Schade, dass er im Wikipedia-Artikel nicht erwähnt wird.

--Tsulima 09:32, 26. Mär. 2010 (CET)

Sehr interessant. Leider begegnet einem das im Bereich Transistor häufig. Das betrifft aber eben nicht nur die Wikipedia sondern auch Fachbücher zum Thema (z.B. erwähnt Bo Lojek in seinem Buch "History of Semiconductor Engineering" den Namen Hilscher garnicht). Das gleiche Problem hatten auch die Arbeiten von Lilienfeld, Heil, Mataré und Welker, die in den damaligen Publikationen bewusst oder unbewusst unterschlagen wurden. PR ist halt viel wert ;-). Bei Gelegenheit muss man dem mal nachgehen. --Cepheiden 10:12, 26. Mär. 2010 (CET)

Erster Feldeffekttransisor von Heil

Die Bilder zu diesem Transistor, die ich mal vor einiger Zeit im Netz gefunden haben deuten deutlich darauf hin, daß es kein Sperrschicht FET war, sondern vielmehr ein FET mit isoliertem Gate. Hat jemand zu der behauptung des Sperrschicht-FETs Belege? --Schily 19:59, 7. Jul. 2010 (CEST)

Das Patent von Heil beschreibt eindeutig einen FET mit isoliertem Gate --Schily 14:17, 8. Jul. 2010 (CEST)

Transistoren und auch Thyristoren

Von beiden Bauelementen gehen sehr wohl mechanische "Schwingungen" aus, die auf den Kühlkörper akustisch wahrnehmbar übertragen werden - allerdings betrifft das nur Leistungsbauelemente ab etlichen Ampere, die beim Schalten "Klickgeräusche" abgeben ... Rolf Mader 21:43, 18. Okt. 2010 (CEST)

Das ist denkbar, aber damit das in den Artikel einfließen kann, sollte man klären woher die Geräusche kommen und eine gute Quelle angeben. --Cepheiden 21:49, 18. Okt. 2010 (CEST)

Das halte ich weiterhin für ein Gerücht. Klicks können ja gut sein, aber die Halbleiter sind es bestimmt nicht, da gibt es jede Menge anderer Kandidaten, die sowas produzieren können. --PeterFrankfurt 02:25, 19. Okt. 2010 (CEST)

Informieren ist meist besser als raten.... Leistungstransistoren im Metallgehäuse strahlen sogar sehr gut hörbar Musik ab wenn sie in Audio-Leistungsverstärkern betrieben werden. Im Plastikgehäuse wird dieser Effekt allerdings nicht so gut hörbar weil das Gehäuse stark dämpft. --Schily 10:46, 19. Okt. 2010 (CEST)

Aha, und was bitteschön soll sich da bewegen können? Da ist nichts. Wir hatten die Diskussion vor einiger Zeit schon mal, bei Computer-Hauptplatinen und angeblich singenden Prozessoren, und da hat man sich mehr oder weniger auf Induktivitäten der umliegenden Spannungswandler geeinigt, die sind dafür bekannt und haben Spulen, die nicht 100%ig fest sind und schon mal ein bisschen Spiel haben können. --PeterFrankfurt 02:06, 20. Okt. 2010 (CEST)

Die andere Diskussion war genauer gesagt bei Diskussion:Solid State Drive#Keine Geräuschentwicklung?. --PeterFrankfurt 02:15, 20. Okt. 2010 (CEST)

Durch nicht wahr haben wollen kann man keine Tatsachen aus der Welt schaffen......Das was da angeblich nicht ist führt immerhin bekannterweise zu Materialermüdung. Und in Hi-Fi Verstärkern gibt es keine Spulen. --Schily 09:51, 20. Okt. 2010 (CEST)

Und die Erde ist flach. Da ermüdet nichts durch mechanische Beanspruchung. Durchaus aber möglicherweise durch permanente thermische Überlastung, wenn man einer Endstufe z. B. zu viel lang andauernde Bassleistung abverlangt. --PeterFrankfurt 01:35, 21. Okt. 2010 (CEST)

Du kannst gerne weiterglauben, daß die Erde flach ist...erfahrene E-Techniker wissen aus eigenen Experimenten, das Hi-Fi-Verstärker erstaunlich viel Musik mit den Kühlkörpern abstrahlen wenn man sie gegen einen Lastwiderstand arbeiten läßt, so daß man das auch hören kann. --Schily 09:48, 21. Okt. 2010 (CEST)

Die Diskussion kann man sich sparen, wenn man das Wissen gemäß den Anforderungen von Wikipedia:Belege belegt und im gleichen Rahmen auch die Ursache beschreibt/erklärt. Alles andere führt nicht weiter. --Cepheiden 10:48, 21. Okt. 2010 (CEST)

Was den Effekt genau auslöst weiß ich nicht. Es könnte sowohl eine thermische Verbiegung in Folge eines "Bimetalleffekts" an der Lötstelle zwischen Chip und Gehäuse sein, als auch ein Piezoeffekt an der SiO2-Passivierung. --195.37.78.149 16:47, 21. Okt. 2010 (CEST)

Habe einen Pb-Akku-Impulsbelaster gebaut, der den Akku in kurzen Intervallen mit min. 60A belastet und ihn in den Pausen (wenn der Transistor ausgeschaltet ist) nachlädt, soll angeblich die Lebensdauer des Akkus verbessern. Vom 98A-FET (IRF 3205) im TO 220-Plastikgehäuse mit einem kleinem Al-Kühlkörper sind deutlich Klickgeräusche vernehmbar - also selbst mal ausprobieren und anhören. Meine Vermutung ist, dass die relativ großen Feldstärken (magnetisch oder auch elektrisch) auf die relativ kleinen Si-Halbleiterstrukturen Größenänderungen in der Geometrie des Chips hervorrufen, die akustisch am Kühlkörper abgestrahlt werden. Bei Trafokernen ist ein (ähnlicher) Effekt als "Netzbrummen" wohl jedem bekannt. Bei Microprozessoren auf Mainboards sind die Stromstärken und damit die Felder im allgemeinen nicht so groß und zum anderen dürften Lüftergeräusche alles andere akustisch überdecken. Rolf Mader 22:50, 27. Okt. 2010 (CEST)

Auf jeden stromdurchflossenen Leiter wirken Kräfte (unter anderem die Lorentzkraft), oder wie bei Trafos und deren Brummen/Pfeiffen (Schaltnetzteile) Kräfte zufolge Magnetostriktion im Kern. Was alles bei entsprechender Stärke der Krafte die verwendeten Materialien verformen bzw. bewegen kann und somit "Klickgeräusche" bzw. im perdiodischen Fall ein Summen/Pfeiffen/wasauchimmer als Geräusch abgeben kann. Aber was hat das alles mit Transistoren und deren Funktion zu tun? Ratlos. Man kann mit einen Transistor auch so in der Luft "herumwedeln", sodass es irgendwelche Geräusche gibt. Und wenn man dann den Transistor am Boden fallen lässt, werden im Regelfall auch Geräusche entstehen. Das ist aber alles ziemlich sinnbefreit.--wdwd 23:14, 27. Okt. 2010 (CEST)

Vorlage zum Tunneleffekt-Transistor

„Statt der heute häufigsten Bauform des MOSFET auf Basis von Silizium sollen Tunneleffekt-Transistoren (TFET) zum Einsatz kommen. Diese werden aus Silizium oder Silizium-Germanium-Verbindungen gebaut. Die Gates sind dabei um ein Nanoröhrchen angeordnet, in dem der Tunneleffekt stattfindet.“^[4]
Zum vorstehenden Absatz könnte (oder sollte) hier im Artikel vielleicht auch mal ein eigener Absatz eingefügt werden (siehe dazu auch unter Tunneleffekt).
--Konrad – 15:02, 28. Okt. 2010 (CEST)

Also TFET heißt tunnelling field effect transistor oder tunnell field effect transistor, eine deutsche Übersetzung würde ich demnach "Tunnel-Feldeffekttransistor" begrüßen. "Tunneleffekt-Transistor" halte ich für eine Falschübersetzung, die leider in den Medien Einzug gehalten hat. Aktuelle deutschsprachige Fachbücher sind leider eher Mangelware, aber auch da zeichnet sich dies ab. Ich werde mir mal die Tage das Funktionsprinzip genauer anschauen, scheint aber beim IBM und co alles mehr oder weniger auf sehr kleine "Carbon Nanotube Field Effect Transistor" (CNFET) hinauszulaufen. Achso derzeit ist es nur eine IDEE für einen nachfolger, davon gab es aber schon viele. Man sollte also vorsichtig mit Ergänzungen/Spekulationen im Artikel sein --Cepheiden 17:30, 28. Okt. 2010 (CEST)

Spekulationen wie obiger Presseartikel sind im Artikel nichts. Das sind Ideen und Modellrechnungen/Simulationen, tlw. grobe Versuche mit manchmal beachtlichen numerischen math. auch sehr anspruchsvollen Simulationen - aber nur sehr wenig real Aufgebautes/Verifiziertes ob das auch so spielt wie man glaubt.

Es gibt die Resonant Tunneling Transistors (RTT) bzw. Schottky Barrier Quantum Well Resonant Tunneling Transistors im Modell, für mögliche Anwendungen im oberen GHz bzw. THz-Bereichen. Siehe 1, 2 3 oder 4. Zieht sich schon längere Zeit (Jahrzehnte) dahin und es ist eigentlich nicht erkennbar, warum es jetzt plötzlich den "grossen Durchbruch" geben sollte und sogar herkömmliche MOSFETs (MISFETs) durch RTTs abgelöst werden sollten.

Eventuell wäre zu RTT ein eigener Artikel sinnvoll? Die Resonanztunneldiode gibt es schon.--wdwd 20:43, 28. Okt. 2010 (CEST)

Sicher genauso wie bei einigen anderen Varianten, die in Liste_elektrischer_Bauelemente#Diskrete_Halbleiter_und_Leistungshalbleiter schon aufgelistet sind. --Cepheiden 20:54, 28. Okt. 2010 (CEST)

Also ich habe mal grob geschaut, neben Tunelling CNFETs gibt es TFETs auf SiGe-Basis. Soweit ich das sehe kam diese Idee so [5] oder früher auf. Der Aufbau ist von der Geometrie recht ähnlich zu normalen MOSFETs (ohne halo, LDD und so'n Kram) nur eben mit ner oin-Diode. Naja seht selbst [6]. Ich würde mich über jeden neuen Transistor-Artikel freuen, aber die Relevanz für eine mehr oder weniger umfangreiche Erwähnung hier ist nicht gegeben. --Cepheiden 21:11, 28. Okt. 2010 (CEST) P.S. Ein MIMIM-Transistor oder vergleichbares könnte auch als Tunneleffekt-Transistor bezeichnet werden. Egal ich finde die Bezeichung irreführend

Keine Beschreibung für N-MOSFET Bild.

Was ist Polysilizium? Aus welchem Material sind die gelben N+ Bereiche? Welches Metall? -- Jangirke 12:20, 21. Nov. 2010 (CET)

1. Polysilizium = polykristallines Silizium
2. die gelben Bereiche bestehen aus n-dotiertem Silizium (+ = hoher Dotierungsgrad)
3. das Metall ist für die Grundfunktion egal. Es beeinflusst aber die Transistorkennlinien. Für die Materialwahl fließen aber auch noch weitere Faktoren (Diffusionsverhalten, Leitfähigkeit, Kosten, Temperaturbelastbarkeit, Haftung auf dem Substrat, uvm.) ein. In ICs ist hier Wolfram üblich, aber auch Aluminium geht. Da es hier aber nur um ein Schema geht und die wirklichen Beuelemente in heutigen Spitzenprodukten weit komplexer sind, hat es wenig Sinn, dies weiter auszuführen. --Cepheiden 12:28, 21. Nov. 2010 (CET)

Wort Transistor und Wort CPU

Das Wort [Transistor] gibt es im Volltext der Deutschen Wikipedia 996 mal. Das Wort [CPU] gibt es im Volltext der Deutschen Wikipedia 1803 mal.

Wenn beim Transistor und in der CPU von einem Schalttakt Gigahertz (3,33GHz und 5,2GHz) die Rede ist, bezieht sich das auf den Strom (on/off) der in einer Sekunde durch das Halbleitermaterial des Transistors fliesst. Deshalb ist auch eine Schaltfrequenz von bis zu 999 GHz in der CPU, im Transistor, im Halbleitermaterial technisch machbar. In den Atomen des Halbleitermaterials fliesst der Strom in einer Sekunde mit einem Schalttakt im Jahr 2011 von 3,33GHz Intel und 5,2GHz IBM.

194.83.172.121 12:13, 24. Jan. 2011 (CET)

Und was willst du uns damit genau sagen? --Cepheiden 13:40, 24. Jan. 2011 (CET)

Allgemeine Funktionsweise

Ich habe gerad den Artikel besucht, um heraus zufinden, was ein Transistor grundsätzlich macht. Dabei fand ich die Seite hier nicht so hilfreich. Sowohl in dem Wiki-Artikel zu den FETs als auch zu den BJTs fand ich Skizzen und Erklärungen, die für den Laien wesentlich leichter verständlich sind und einfach erklären, wie so ein Transistor allgemein arbeitet. Das sollte man hier unbedingt reinnehmen, da dies ja der allgemeine Transistor-Artikel ist und er sowohl in der Geschichte als auch bei den Typbeschreibungen sehr ins Detail geht, ohne das solche Grundlagen ausreichend erklärt werden.

Gruß, --Stabacs 12:26, 15. Sep. 2011 (CEST)

Hallo, danke für die Anmerkungen, leider ist es nicht so einfach die Funktion eines Transistors im Allgemeinen zu beschreiben. Der Grund ist, dass es diverse Funktionsprinzipien (vorrangig die des BJT und des FET) gibt, die sich nur wenig ähneln. Der Artikel hier soll daher nur einen Überblick vermitteln, für alles andere sind die Unterartikel da. Was fehlt denn unter diesen Gesichtspunkten deiner Meinung nach genau in diesem Artikel? --Cepheiden 12:38, 15. Sep. 2011 (CEST)

Nutzen / Funktion

Wo genau im Artikel steht, warum man Transistoren einsetzt, was diese leisten? Warum man eine Milliarde auf einem Die hat? Immer davon ausgehen, dass ein 15 Jähriger oder eine 65 Jährige das liest und kein Physikstudent. (nicht signierter Beitrag von 78.54.143.29 (Diskussion) 03:10, 15. Jun. 2011 (CEST))

Meiner Meinung nach in Anwendungsbereiche und entsprechend verlinkten Artikeln, aber das kann ein Laie natürlich anders sehen. Falls dir der abschnitt also nicht weiterhilft melde dich bitte nochmal, ggf. mit möglichst genauen Vorstellungen was du suchst, damit wir den Artikel entsprechend verbessern können. --Cepheiden 07:16, 15. Jun. 2011 (CEST)

Zu der Anzahl habe ich mir erlaubt, ein paar Sätze zu ergänzen. Aber Allgemeinplätze über die Verwendung von Transistoren einzubauen, zögere ich, das müsste zu Adam und Eva zurückführen und der Elektronik insgesamt, also da käme man unweigerlich von Hölzchen aufs Stöckchen, und das würde diesen Artikel wohl sprengen. --PeterFrankfurt 02:36, 16. Sep. 2011 (CEST)

So, jetzt habe ich in der Einleitung doch ein paar Wörter hinzugefügt und habe mich bemüht, das im Rahmen zu halten. Ob das dem Frager reicht? --PeterFrankfurt 02:42, 16. Sep. 2011 (CEST)

Anwendungsbereiche

Was hier steht ist so uninteressant und partiell bis zur Inadäquatheit am topic vorbei, dass man es besser löscht.--Kiu77 17:41, 14. Nov. 2011 (CET)

Und was sollte dort eher stehen, stattdessen? Bisher ist es vielleicht langweilig, aber ziemlich umfassend. Weglassen sollte man davon eher nichts. --PeterFrankfurt 02:47, 15. Nov. 2011 (CET)

Erst mal nichts. Das wäre besser als das, was da steht.--Kiu77 23:03, 15. Nov. 2011 (CET)

Das fände ich unsinnig. Anwendungen gehören essentiell in solche Artikel. --PeterFrankfurt 03:28, 16. Nov. 2011 (CET)

Elektroakustik

Im Artikel steht : Transistoren haben Elektronenröhren als Signalverstärker auf fast allen technischen Gebieten abgelöst, mit Ausnahme etwa der Sendetechnik im Rundfunk. Ein weiterer wichtiger Bereich ist der Verstärkerbau, seien es Audioverstärker oder Gitarrenverstärker. Das wäre auch was für's Kapitel Anwendungen. Ich bin mit dem Thema aus der Praxis vertraut, habe aber zu wenig Hintergrundwissen, um dazu fundiert was schreiben zu können. Wäre toll, wenn sich dem jemand annehmen würde. --Hajo Keffer 09:49, 21. Feb. 2012 (CET)

Erledigt -- Schotterebene 10:15, 21. Feb. 2012 (CET)

Typo-Detail Doppel-Punkt

"S. 317 ff.." am Ende dieser Quellenangabe hinkt doch typographisch? Mir scheint da kommen der Abkürzungspunkt von "ff." und ein Satzendepunkt aus "In: (Sammelwerkname)" zusammen. Ohne korrektweise zusammengelegt zu werden. Betrifft also die Vorlage:Literatur.

Quelltext ist (ohne die Auslassungspunkte "..."): <ref...>{...{Literatur...|Autor=Bo Lojek|Titel= The MOS Transistor|Sammelwerk=History of Semiconductor Engineering|Verlag=Springer|Ort=Berlin|ISBN=978-3540342571|Jahr=2007|Seiten=317 ff.}}</ref...> --Helium4 (Diskussion) 01:17, 2. Nov. 2014 (CET)

erledigtErledigt. --Komischn (Diskussion) 01:29, 2. Nov. 2014 (CET)

"Halbleitertriode"

Dieses Wort wurde genau einmal, nämlich von Schottky in den 1950er Jahren verwendet, allerdings nicht für Transistoren sondern für eine sehr spezielle Art von Transistor, für die ihm damals kein anderer Name einfiel. Der Satz in der Einleitung gehört gelöscht. Jede Triode ist, wie jede Elektronenröhre, ein Halbleiter. Es gibt keine "Ganzleitertrioden". --Asugar (Diskussion) 09:21, 2. Nov. 2014 (CET)

Der Name mag veraltet sein, was man auch klarstellen sollte, suche aber mal bei google books unter Halbleitertriode, dann wirst du sehen dass die Verwendung als Synonym für Transistor kein Einzelfall war, z.B. Stuart, Klages Kurzes Lehrbuch der Physik, Springer 2009, S. 147 unter Transistor: "Als Halbleitertriode besitzt der Transistor....". Günter Haase "Physik für Mediziner" 1968: "Paragraph 202 Die Halbleitertriode: der Flächentransistor". Der Satz in der Einleitung verdeutlicht außerdem, dass der Transistor die Funktion der Triodenröhre übernahm (ähnlich wie Halbleiterdiode bei der entsprechenden Röhrendiode). Deine Identifizierung von Röhren mit Halbleitern, mit der du für Löschung des Satzes plädierst, ist (auch wenn das der simplen Wortbedeutung nach stimmen mag) dagegen in meiner Sicht völlig ungebräuchlich, unter Halbleitern versteht man heute ganz überwiegend ein bestimmtes elektronisches Material.--Claude J (Diskussion) 09:52, 2. Nov. 2014 (CET)

Dreibeinigkeit

Damit ist die Ähnlichkeit aber auch schon erschöpft. --Huckebeinchen (Diskussion) 17:06, 2. Nov. 2014 (CET)

Was genau willst Du uns damit sagen, Huckebeinchen? --Docbritzel (Diskussion) 15:48, 3. Nov. 2014 (CET)

Triode zu Transistor. Natürlich fangen auch beide mit Tr an. --Huckebeinchen (Diskussion) 16:14, 9. Nov. 2014 (CET)

Also mir erschließt sich der Kommentar immer noch nicht. Ist das ein Kritikpunkt am Artikel oder was willst du uns sagen? --Cepheiden (Diskussion) 17:54, 9. Nov. 2014 (CET)

Ich bin zwar kein Förderschullehrer, aber für Euch mache ich eine Ausnahme. Man hilft ja wo man kann. Zitat aus dem Artikel: "Da die Wirkungsweise einer entsprechenden Elektronenröhre, nämlich der Triode, ähnelt, wird der Transistor auch als „Halbleitertriode“ bezeichnet."--Huckebeinchen (Diskussion) 19:17, 17. Nov. 2014 (CET)

Nur mal so als Einwurf (falls du den Begriff Halbleitertriode meinst): Ob der Begriff "Halbleitertriode" im Text stehenbleiben soll oder nicht wird (oder wurde) schon in der Diskussion oberhalb von dieser diskutiert. Gruß, Korrektor123 (Diskussion) 17:11, 18. Nov. 2014 (CET)

Das du kein Förderschullehrer bist erkennt man daran, dass du denkst, alle würden verstehen was du sagen willst, wenn du ihnen zwei Textbröckchen zu Diskussion hinwirfst. Bitte formuliere deine Gedanken aus, dann kann man damit auch was anfangen. Denn zumindest ich bin ein "Telelegasteniker" (Dieter Nuhr). --Cepheiden (Diskussion) 11:58, 19. Nov. 2014 (CET)

Glückwunsch lieber Korrektor123, du hast den (bereits erklärten) Zusammenhang tatsächlich erkannt, selbst der räumliche Zusammenhang mit dem vorhergehenden Abschnitt ist dir nicht entgangen. Da sollte sich Cepheiden ein Beispiel nehmen. Es ist doch selbstverständlich, dass ich in einer Diskussion die Kenntnis des Hauptartikels vorraussetze. --Huckebeinchen (Diskussion) 15:46, 25. Nov. 2014 (CET)

Also da mit der Halbleitertriode bin ich mir nicht ganz sicher ob das so stimmt. Ich hab zwar hier gefunden, dass ein Transistor auch als Halbleitertriode bezeichnet wird, aber das war so ziemlich der einzige Google-Treffer der zu diesem Thema etwas aussagt. Bei Wiktionary gibt es noch einen kleinen Artikel über den Transistor. Dieser Artikel listet unter Synonyme auch die Halbleitertriode, wobei ich mir aber nicht ganz sicher bin ob dieses Synonym nicht aus der Wikipedia übernommen wurde, da ein Einzelnachweis auf die Wikipedia-Seite vorhanden ist. Ich persönlich bin eher nicht dafür, dass man einen Transistor als Halbleitertriode bezeichnet (zwar sind die Grundeigenschaften von Triode und Transistor gleich, aber es gibt ja doch gewisse unterschiede). Gruß, Korrektor123 (Diskussion) 17:39, 25. Nov. 2014 (CET)

@Huckebeinchen: Sorry, aber wer sein Anliegen nicht formulieren kann und denkt die anderen sollen sich selbst kümmern, die geäußerten unklaren Gedanken in einen sinnvollen Kontext zu bringen, muss einfach damit leben, dass sein Anliegen nicht ernstgenommen wird. --Cepheiden (Diskussion) 20:12, 25. Nov. 2014 (CET)

Lieber Cepheiden, ich habe keinerlei Anliegen an dich oder Wiki. Was ich mit Dreibeinigkeit, etwas salopp umschrieben habe, bezieht sich natürlich auf die Elektroden. Die Heizung bei der Triode habe ich einfach weggelassen, obwohl sie bereits einen gravierenden Unterschied zum Transistor darstellt. Nächster Punkt: Spannungssteuerung am Gitter der Triode versus Stromsteuerung an der Basis des Transistors. Ein ganz schlauer wird jetzt mit dem MOSFET ankommen. Dem empfehle ich die Gitterkapazität, die im einstelligen pF-Bereich liegt, mit der Gatekapazität im nF-Bereich zu vergleichen. Alles in allem muss man einen ordentlichen Knick in der Optik haben um Gemeinsamkeiten zwischen Röhren und Transistoren zu erkennen. Der Unterschied wird auch fürs Ohr deutlich wenn man die Teile vom Arbeitstisch auf den gefliesten Werkstattboden fallen läßt.--Huckebeinchen (Diskussion) 00:48, 28. Nov. 2014 (CET)

Um allen eine Lösung zu bieten schlage ich hier einmal folgende Änderung im Einleitungssatz vor:

Aktuell: Da die Wirkungsweise einer entsprechenden Elektronenröhre, nämlich der Triode, ähnelt, wird der Transistor auch als „Halbleitertriode“ bezeichnet.

Vorschlag: Da die Wirkungsweise einer Elektronenröhre (Triode), der eines Transistors ähnelt, hat der Transistor die Triode in den meisten Fällen abgelöst.

Gruß, Korrektor123 (Diskussion) 16:54, 8. Dez. 2014 (CET)

Nein, lieber Korrektor123, die Wirkungsweisen ähneln sich eben nicht. Beide haben drei Elektroden, was ich mit Dreibeinigkeit umschrieben habe, das wars dann aber auch. Abgelöst hat der Transistor auch Tetroden und Pentoden, um nur zwei weitere Röhren zu nennen. Der ganze Vergleich gehört in die Rundablage.--Huckebeinchen (Diskussion) 07:38, 14. Dez. 2014 (CET)

Ich sehe zwischen Spannungssteuerung und Stromsteuerung keinen Unterschied, der so fundamental ist, dass diese beiden Arten der Steuerung nicht vergleichbar sind: Die Stromstärke beim Gate ist ja (wenn man die Temperatur konstant lässt) ausschließlich von der angelegten Spannung abhängt. Und die Temperatur lasst man ja üblicherweise in einem Bereich, in dem die Temperaturunterschiede keinen Einfluss auf den Betrieb haben. Die wichtigste Ähnlichkeit zwischen Transistor und Triode ist aber mMn, dass man mit beiden die gleichen logischen Schaltungen (Gatter) bauen kann und der Aufbau sich auch im Prinzip nicht ändert (abgesehen davon, dass man bei den Trioden noch zusätzlich die Heizung einbauen muss), wenn man Trioden durch Transistoren ersetzt, weil man in beiden Fällen den Strom zwischen zwei Anschlüssen elektrisch mit einem dritten Anschluss regeln kann. Oder anders ausgedrückt: man kann beides als einen elektronischen Schalter verwenden. --MrBurns (Diskussion) 09:26, 14. Dez. 2014 (CET)

PS: es gibt auch Transistoren mit annähernd leistungsloser Steuerung (also "fast Spannungssteuerung"): die Feldeffekttransistoren allgemein, dazu gehören auch die MOSFETs, die wohl die heute am meisten verwendeten Transistoren sind. --MrBurns (Diskussion) 09:47, 14. Dez. 2014 (CET)

Ich zitiere mich mal selbst, vom 28.11.14 "Ein ganz Schlauer wird jetzt mit dem MOSFET ankommen. Dem empfehle ich die Gitterkapazität, die im einstelligen pF-Bereich liegt, mit der Gatekapazität im nF-Bereich zu vergleichen. Ich bin raus, ist mir zu albern hier.--Huckebeinchen (Diskussion) 03:56, 15. Dez. 2014 (CET)

Wenn etwas vergleichbar ist bedeutet das ja nicht, dass es genau gleich funktioniert. m.E. reicht e dafür völlig aus, wenn mans in im Prinzip gleich aufgebauten Schaltungen verwenden kann, was bei Trioden und Transistoren der Fall ist. --MrBurns (Diskussion) 08:50, 15. Dez. 2014 (CET)

@Huckebeinchen: Ich wollte fragen warum sich deiner Meinung nach eine Triode nicht mit einem Tranistor vergleichen lässt? Ein Transitor funktioniert zwar physikalisch gesehen komplett anders als eine Triode, zeigt aber doch vergleichbare Eigenschaften auf. Wieso hat der Transistor die Triode im Computer abgelößt, wenn eine Triode so viel anders ist als ein Transistor? Die Wichtigste Eigenschaft ist doch eigentlich, dass beide den Widerstand von Kollektor und Emitter über einen dritten Pin (Basis) verändert werden kann. Zwar fließt im gegensatz zur Triode ein Basis-Emitter-Strom, was sich aber durch den Einsatz eines, wie schon des öfteren erwähnt, MOSFETs verhindern lässt. Du nennst zwar unterschiede in der Gitter- und Gatekapazität, jedoch ist diese meines Erachtens so gering, dass in normalen Anwendungen (Transistor als Schalter hergenommen) vernachlässigt werden kann. Soll irgendetwas verstärkt werden, Beispiel Radio, hört man ja den Unterschied. Deshalb auch mein vorschlag, dass der Transistor die Triode in den meisten (nicht in allen) fällen abgelößt hat. Außerdem steht ja im Artikel, dass sich die Wirkungsweisen ähneln, also dass sie nicht komplett gleich sind. Gruß, Korrektor123 (Diskussion) 17:37, 15. Dez. 2014 (CET)

Zustimmung @Huckebeinchen! Unabhängig von den tatsächlich gegebenen Vergleichbarkeiten und Unterschieden zwischen Röhre und Transistor halte ich den Begriff Halbleitertriode für derart ungebräuchlich, dass ich ihn jedenfalls nicht für geeignet halte, im Einleitungssatz erwähnt zu werden. Die Kürzung auf "Die Wirkungsweise ähnelt der einer entsprechenden Elektronenröhre, nämlich der Triode." halte ich für geboten. Grüße --losch (Diskussion) 18:17, 15. Dez. 2014 (CET)

Mir ist der Begriff Halbleitertriode auch bevor ich auf Wikipedia darauf gestoßen bin erst einmal untergekommen, aber ich hab mich nicht genuig damit befasst um wirkllich zu wissen, ob der Begriff ungebräuchlich ist. Sollte dem wirklich so sin, halte ich deine Formulierung für die beste von allen, die bisher vorgeschlagen wurden. --MrBurns (Diskussion) 19:42, 15. Dez. 2014 (CET)

Kollektorschaltung: völlig unzureichende Kennzeichnungen -wiki-krankheit: abschreiben, mit nur leiser Ahnung

Zitat: "Die versorgende Spannungsquelle soll für das Signal keinen Widerstand besitzen (gegebenenfalls einen Kondensator parallel schalten),I) [sorry: könnte man Buchstaben an die jew. Ecken setzen? Versorgungs U = Ende R1 bis Ende R 2 ?

• II) R1 nd R2 teilen die Spannung an C1; da könnte ich ein Potio setzen u. einstellen, aber auf wieviel R und damit U ?
• III) Schwächt C 1, falls parallel zur Signalspannung nicht das Signal? Aber: C1 ist doch hier nicht parallel zu R2, sondern in Reihe! Wenn parallel, - würde das Sigal wohl geglättet- oder ? (was niemand will);
• IV) ZITAT: "Dieser (ich frage, wer?), wird vom Arbeitswiderstand bestimmt"; "an ihm liegt eine Spannung mit der Eingangsspannung und der Basis-Emitter-Spannung von circa 0,7 V.
• V) Von wo bis wo geht der Arbeitswiderstand? Ist man zu blöd, alle Ecken, mit Buchstaben zu benennen?
• VI) von wo bis wo wird gemessen: "mit der Eingangsspannung UND der Basisemitter-Spannung.. von 0,7 Volt";
• VII) Private Frage: möchte mit enem Transtor eine Autobirne, 12 V / 60 W, mit einem Taster (wie manuelles Stroboskop) schalten. Also: * Manuell schaffe ich 4- 5 Tastungen / sec; das wären an einer rotierenden Scheibe 300 U / min, ebensoviele 300 Blitze/ min.
• Ich würde gerne mit dem Taster die Basis "antasten".
• Welche Schaltung empfiehlt ihr?
• Collectorschaltung? Und: wie dimensionieren? (nicht signierter Beitrag von 93.104.120.195 (Diskussion) 14:34, 4. Jul 2015 (CEST))

Kann es sein, dass du dich mit dem Artikel vertan hast? Deine Anmerkungen beziehen sich nicht auf den Inhalt dieses Artikels "Transistor", sondern offensichtlich auf den Artikel "Transistorgrundschaltungen" im Abschnitt "Kollektorschaltung (Emitterfolger)". Führe deine Diskussion also dort weiter.

Ansonsten finde ich deine Anmerkung in dieser Diskussionsüberschrift sowie Formulierungen im Inhalt reichlich unangemessen. Du scheinst selbst keineswegs die Kompetenz zu haben, derartige Kritik anzumelden.

Also, versuche es bitte noch einmal von vorne an der richtigen Stelle und im richtigen Ton! Vielen Dank & Grüße --losch (Diskussion) 15:31, 4. Jul. 2015 (CEST)

Indiumpille

Ich habe ein Problem: Gerade habe ich das mit den Indiumpillen ergänzt, wie ich es auch früher gelernt habe. Dafür gibt es notfalls auch Web-Quellen als Beleg. Nun ist Indium als Dotiermaterial ja 5-wertig, sollte also ein Elektronendonor sein, also N-Dotierung bewirken. Solche Transistoren waren aber PNP, mit rechts und links je einer Indiumpille, und nicht NPN. Da muss ich irgendwas in den falschen Hals bekommen haben. Ich weiß auch nicht, ob das Ge-Grundmaterial irgendwie vordotiert war. Vielleicht macht das ja dann den Unterschied? --PeterFrankfurt 03:00, 4. Nov. 2011 (CET)

Zunächst einmal ist Indium nach unserem Artikel 1- oder 3-wertig. Außerdem steht es in der III. Hauptgruppe, hat also ein Elektron weniger in der äußersten Schale als das Germanium der IV-Hauptgruppe. Damit ist es also ein p-Donator und die Reihenfolge p-n-p des "normalen" Germaniumtransistors stimmt wieder. --Wosch21149 (Diskussion) 17:12, 24. Aug. 2016 (CEST)

Bipolare Transistoren prinzipiell selbstsperrend?

Im Abschnitt über den Bipolartransistor steht, dass solche Transistoren prinzipiell selbstsperrend sind. Das würde bedeuten, dass alle Bipolaren Transistoren (ganz gleich ob pnp oder npn) sperren, wenn die Basis-Emmitterspannung 0V beträgt. Stimmt das?

Nach meinem Verständnis sind npn-Transistoren selbstsperrend, und pnp-Transistoren selbstleitend. (nicht signierter Beitrag von 132.231.178.197 (Diskussion) 16:13, 8. Okt. 2016 (CEST))

Bipolartransistoren sind stromgesteuert, d.h., wenn die Basis offen (nicht angeschlossen) ist bzw. die Spannung zwischen Basis und Emitter 0V ist, fließt (idealerweise) kein Strom durch die Basis und der Transistor hat nichts zu verstärken. Wenn du bei Systemen mit positiver Versorgungsspannung den Emitter des pnp-Transistors an die (positive) Versorgung legst und die Basis an "0V" (Masse), fließt natürlich ein Strom durch die Basis und der Transistor leitet. Um aber wirklich eine Basis-Emitter-Spannung von 0V am pnp-Transistor zu haben, müsstest du also auch die Basis an die positive Versorgung legen; dann fließt wieder kein Strom durch die Basis und der Transistor sperrt. Deshalb hatten Systeme in der Zeit der (pnp) Germanium Transistoren meist auch eine negative Versorgungsspannung, d.h. Plus war an Masse gelegt. --Wosch21149 (Diskussion) 00:41, 9. Okt. 2016 (CEST)

Links

Der Link zu: "Peter Salomon: „Deutsche Halbleiter-Technik vor 1945 ?“" erscheint mir unangebracht. Der Text stellt nur die Meinung einer Einzelperson dar und entspricht nicht dem wissenschaftlichen Konsens. Man betrachte auch die anderen Texte seiner Seite, welche eher eigene Erfahrungsberichte und als politische Meinung getarnte Stammtischparolen darstellen. Der schlechte Stil und die Fülle an Fehlern runden das Bild einer nicht vertrauenswürdige Quelle ab. (Leider kann ich z.Zt. nicht auf mein BEnutzerkonto zugreifen, da Passwort vergessen und neue Email, daher "nur" die IP:) --217.226.239.244 17:21, 17. Feb. 2009 (CET)

Kann da nur zustimmen. Da sollen das "Deutschtum" der Technologie betont werden, die Niederlage Deutschlands im WK2 soll kleingeredet werden. Auf einer Stufe mit Reichsflugscheiben. Der Text im Link entspricht nicht wissenschaftlichen Standards und ist unter Phantasterei einzuordnen. Der übrige Inhalt der Seite beschränkt sich auf sog. Ostalgie. Links zu solchen Seiten braucht Wikipedia garantiert nicht. Darum gelöscht. Nazikacke. --5.56.223.79 18:02, 19. Jul. 2017 (CEST)

Was ist ein Transistor?

Bevor ich mit ellenlangen historischen Einblicken in die Entwicklungsgeschichte des Transistors (die m.E. in einen eigenen Artikel ausgegliedert werden könnten) behelligt werde, würde ich in einem Lexikon erwarten, die Funktionsweise dieses Bauelements erläutert zu bekommen. Ich habe leider keine Ahnung von Transistoren und werde hier als anonyme IP nichts ändern, im Englischen Artikel lieferte mir dieser Abschnitt aber so ziemlich genau die Information, die ich auch im Deutschen eingangs erwartet hätte:

"A transistor is a semiconductor device used to amplify or switch electronic signals and electrical power. It is composed of semiconductor material usually with at least three terminals for connection to an external circuit. A voltage or current applied to one pair of the transistor's terminals controls the current through another pair of terminals. Because the controlled (output) power can be higher than the controlling (input) power, a transistor can amplify a signal."

62.141.166.10 09:15, 5. Feb. 2018 (CET)

Der Artikel beginnt mit der Einleitung - nicht gelesen und/oder nicht verstanden?--wdwd (Diskussion) 19:58, 6. Feb. 2018 (CET)

Immer leitend beim JFET ist falsch!

So gibt's zum beispiel bei den üblichen Distributoren JFETs mit P-Base (siehe z.ß. http://www.freepatentsonline.com/7180105.html) wie auch Normally-off JFETs in SiC-Technologie. Bertram (nicht signierter Beitrag von 90.146.41.35 (Diskussion) 08:11, 24. Feb. 2012 (CET))

Interessant. Das sind aber alles recht spezielle Varianten, die Grundform des JFET ist immer selbstleitend. Ich schau mal ob man das hier in der Kurzzusammenfassung darstellen kann ohne das Wesentliche der JFETs nicht aus den Augen zu verlieren. --Cepheiden (Diskussion) 11:26, 23. Jul. 2020 (CEST)

Schaltzeichen nach welcher Norm?

Das abgebildete Schaltzeichen unterscheidet sich von dem aus https://de.wikipedia.org/wiki/Liste_der_Schaltzeichen_(Elektrik/Elektronik)#Transistoren

Vermutung: das hier abgebildete Schaltzeichen ist aus EN 60617 (Teil 5?), während das andere vielleicht zu DIN 40900 gehört.

5.158.162.136 10:18, 5. Sep. 2017 (CEST)

In beiden Artikel sind mehrere Schaltzeichen, teils das gleiche Bild. Ich vermute du beziehst dich auf die Bipolartransistoren. Der Artikel nutzt das Symbol ohne Kreis, also ohne Gehäuse, wie sie bei Schaltungszeichnungen mit diskreten Bauelementen genutzt werden. Beides ist richtig, beschreibt aber nicht genau das gleiche. --Cepheiden (Diskussion) 11:34, 23. Jul. 2020 (CEST)

Name

Pierce sollte gesagt haben, Transistor komme von 'Transresistance' and something like 'Varistor' and 'Thermistor'. Madyno (Diskussion) 19:54, 16. Nov. 2021 (CET)

Unglaublich frech. Belegpflicht gilt für Artikel, wenn es dir nicht passt, denn schreibe das. Madyno (Diskussion) 22:49, 16. Nov. 2021 (CET)