Transistorgrundschaltungen

Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt. Das ist jene Elektrode, die Eingangs- und Ausgangskreis gemein ist. Im Falle eines Bipolartransistors mit seinen drei Elektroden Emitter, Kollektor und Basis ergeben sich so die Emitterschaltung, die Kollektorschaltung und die Basisschaltung. Aufgrund ihrer Eigenschaften wird die Kollektorschaltung meistens Emitterfolger genannt. Die Transistor-Grundschaltungen unterscheiden sich prinzipiell in ihren elektrischen Eigenschaften und daher im Verwendungszweck.

Übersicht

Entsprechung der Grundschaltungen inkl. englischsprachige Entsprechungen
Bipolar- Transistor	Emitterschaltung common emitter	Kollektorschaltung (Emitterfolger) common collector (emitter follower)	Basisschaltung common base
Feldeffekt- Transistor	Sourceschaltung common source	Drainschaltung (Sourcefolger) common drain (source follower)	Gateschaltung common gate
Elektronen- röhre	Kathodenbasisschaltung common cathode	Anodenbasisschaltung (Kathodenfolger) common plate (cathode follower)	Gitterbasisschaltung common grid

Die in einem Gerät wie etwa einem Audioverstärker enthaltene Anordnung einer Vielzahl von elektronischen Grundbausteinen lässt sich (zumindest gedanklich) in Dutzende der hier beschriebenen Grundschaltungen unterteilen. Die Gesamtfunktion ergibt sich aus der Kombination und dem Zusammenspiel der einzelnen Grundschaltungen.

Im Folgenden werden die Grundschaltungen mit Bipolartransistoren ausführlicher beschrieben. Statt mit Bipolartransistoren können die beschriebenen analogen Schaltungen auch mit Feldeffekttransistoren (FET) bzw. Elektronenröhren realisiert werden. Die Eigenschaften der entsprechenden Schaltungen sind zwar nicht identisch, ähneln sich jedoch wegen der gleichen zugrundeliegenden Prinzipien in ihrem Verhalten. Die entsprechenden FET-Schaltungen werden Sourceschaltung, Drainschaltung/Sourcefolger und Gateschaltung genannt, während die dazu analogen Röhrenschaltungen Kathodenbasisschaltung, Kathodenfolger/Anodenbasisschaltung und Gitterbasisschaltung heißen.

Die Schaltungen werden üblicherweise wie im nachfolgenden Bild in der oberen Reihe dargestellt, um die jeweils gemeinsame Elektrode zu verdeutlichen. Die Funktionsweise wird allerdings deutlicher, wenn man die Schaltungen gemäß der unteren Reihe umzeichnet.

Die oben genannte Methode zur Ermittlung der jeweiligen Grundschaltung ist nicht immer streng erfüllt, so dass ein weiteres Kriterium angewendet werden muss: Die Bezeichnung der Grundschaltung erfolgt entsprechend der Elektrode des Transistors, an welcher das gemeinsame Bezugspotential von Ein- und Ausgang liegt.^[1] Oder: Die Bezeichnung erfolgt entsprechend dem Anschluss des Transistors, der weder als Eingang noch als Ausgang der Schaltung dient.^[2]

Emitterschaltung

Die Emitterschaltung basiert auf der Grundfunktion des Bipolartransistors: Ein in die Basis fließender Signalwechselstrom ruft einen um den Wechselstromverstärkungsfaktor $\beta$ größeren Wechselstrom in dem Kollektor hervor.

Die nebenstehende Abbildung zeigt eine Verstärkerstufe für Wechselspannung in Emitterschaltung mit kapazitiv überbrücktem Emitterwiderstand. Mit den Widerständen $R_{1}$ , $R_{2}$ und $R_{4}$ wird der Arbeitspunkt festgelegt. Dabei dient der Widerstand $R_{4}$ zur Arbeitspunktstabilisierung (siehe Abschnitt weiter unten) durch eine Gleichstromgegenkopplung. Die Kondensatoren legen die untere Grenzfrequenz der Schaltung fest. Sie sind dabei so groß, dass sie oberhalb dieser Grenzfrequenz (im Vergleich zu den jeweiligen parallelen Widerständen) für das zu verstärkende Wechselstrom-Nutzsignal als Kurzschluss angesehen werden können. Hierbei ist insbesondere die Parallelschaltung von $C_{3}$ und $R_{4}$ von Relevanz, die den Emitter wechselstrommäßig an Masse legt. $C_{1}$ und $C_{2}$ blockieren die Gleichspannungsanteile an Ein- und Ausgang. Der Basisstrom steuert den um den Wechselstromverstärkungsfaktor $\beta$ größeren Kollektor-Emitter-Strom.

Der Eingangswiderstand ist relativ klein und entspricht der Parallelschaltung aus $R_{1}$ , $R_{2}$ und (bei sehr großem $C_{3}$ ) dem Basis-Emitter-Widerstand $r_{\mathrm {BE} }$ . Wird $C_{3}$ weggelassen, erhöht sich der Eingangswiderstand, weil dann statt $r_{\mathrm {BE} }$ der Widerstand $r_{\mathrm {BE} }+\beta \cdot R_{4}$ in die Rechnung eingeht. Der Ausgangswiderstand ist die Parallelschaltung aus dem Arbeitswiderstand $R_{3}$ und dem Kollektor-Emitter-Widerstand $r_{\mathrm {CE} }$ (dieser ist in der Regel sehr groß gegenüber $R_{3}$ ). Die Spannungsverstärkung ist bei fehlendem $C_{3}$ das Verhältnis von $R_{3}$ zu $R_{4}$ , ansonsten ist sie vom Transistortyp und der Temperatur abhängig. Der Emitterstrom ist gleich dem Kollektorstrom plus dem Basisstrom.

Nachteilig ist die Reduzierung der oberen Grenzfrequenz durch den Millereffekt. Dieser kann durch eine Kaskode aus zwei Transistoren vermieden werden.

Die zur Emitterschaltung analoge Grundschaltung mit Feldeffekttransistoren wird als Sourceschaltung bezeichnet; die entsprechende Grundschaltung mit Elektronenröhren heißt Kathodenbasisschaltung.

Dimensionierung der Bauelemente

Die Spannung an $R_{4}$ ist näherungsweise der Wert, der sich aus dem Spannungsteiler $R_{1}$ und $R_{2}$ ergibt abzüglich der Durchlassspannung von ca. 0,5 bis 0,7 V (bei Silizium-Transistoren). $R_{3}$ sollte so dimensioniert werden, dass der Spannungsabfall an $R_{3}$ ungefähr halb so groß ist wie die Betriebsspannung $U_{\mathrm {cc} }$ abzüglich des Spannungsabfalls an $R_{4}$ , weil dann beide Halbwellen ihren maximalen Wert erreichen können. Die Schaltung im Bild besitzt keine Wechselstrom-Gegenkopplung und verzerrt deshalb das Signal. Das lässt sich durch einen Widerstand $R_{GK}$ in Reihe zu $C_{3}$ deutlich verbessern. Allerdings sinkt dadurch auch die Verstärkung auf näherungsweise ${\frac {R_{3}}{R_{GK}}}$ .

Eigenschaften

invertierend
Stromverstärkung: hoch (10¹...10³)
Spannungsverstärkung: hoch (10¹...10³)
Leistungsverstärkung: sehr hoch (10²...10⁶), etwa Spannungsverstärkung × Stromverstärkung
Eingangswiderstand: mittel (500 Ω–2 kΩ)
Ausgangswiderstand: mittel (50 Ω–100 kΩ, etwas kleiner als der Arbeitswiderstand R₃)
verzerrungsarme Verstärkung nur für sehr kleine Eingangsspannungen: wenn C₃ vorhanden in der Größenordnung von µV bis max. einige mV, ansonsten abhängig vom Verhältnis ${\tfrac {R_{3}}{R_{4}}}$

Einsatzgebiete

Die Emitterschaltung wird in vielen Bereichen der Elektronik eingesetzt, zum Beispiel in Kleinsignal-Verstärkern und elektronischen Schaltern. Sie ist die mit Abstand am häufigsten anzutreffende der drei Grundschaltungen.

Stabilisierung des Arbeitspunktes

Die Art der Stabilisierung des Arbeitspunktes ist von der Transistorgrundschaltung prinzipiell unabhängig. Man unterscheidet folgende Stabilisierungsschaltungen:

Stabilisierung durch Emitterwiderstand beziehungsweise Gleichstromgegenkopplung (siehe Abbildung „Gleichstromgegenkopplung“)
Der Transistor erwärmt sich im Betrieb, dadurch wird er leitender und es fließt ein größerer Kollektorstrom. Der größere Kollektorstrom bewirkt einen größeren Spannungsabfall am Emitterwiderstand $R_{4}$ . Die Basis-Emitterspannung nimmt ab und der Transistor sperrt mehr.
Gleichspannungsgegenkopplung (siehe nebenstehende Abbildung)
Bei Zunahme des Kollektorstromes durch Eigenerwärmung des Transistors fällt mehr Spannung am Widerstand $R_{\mathrm {c} }$ ab. Dadurch werden die Basis-Emitterspannung und die Kollektor-Emitterspannung kleiner. Der Transistor sperrt mehr und der Kollektorstrom wird kleiner.

Kollektorschaltung (Emitterfolger)

Für die vergleichbare Common-Drain-Schaltung des Feldeffekttransistors siehe Feldeffekttransistor#Grundschaltungen

Die versorgende Spannungsquelle soll für das Signal keinen Widerstand besitzen (gegebenenfalls einen Kondensator parallel schalten), daher ist der Kollektor auf einem konstanten Spannungsniveau. In der Schaltung fließt ein kleiner Basis-Emitter-Strom und steuert einen größeren Kollektor-Emitter-Strom. Dieser wird vom Arbeitswiderstand $R_{3}$ bestimmt; an ihm liegt eine Spannung $U_{\mathrm {a} }=U_{\mathrm {e} }-U_{\mathrm {be} }$ mit der Eingangsspannung $U_{\mathrm {e} }$ und der Basis-Emitter-Spannung $U_{\mathrm {be} }$ von circa 0,7 V.

Die Ausgangsspannung am Emitter folgt daher annähernd der Eingangsspannung, weshalb man auch von einer Emitterfolgerschaltung spricht. Da der Strom durch den Arbeitswiderstand am Eingang um den Faktor der Stromverstärkung verringert erscheint, ist die Eingangsimpedanz einer Emitterfolgerschaltung sehr hoch, die Spannungsverstärkung ist etwa 1. Das macht die Schaltung zu einem Impedanzwandler.

Die dazu analoge Grundschaltung mit Feldeffekttransistoren wird als Drainschaltung bzw. Sourcefolger bezeichnet; die entsprechende Grundschaltung mit Elektronenröhren heißt Kathodenfolger oder Anodenbasisschaltung.