Aluminiumdotiertes Zinkoxid
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Aluminiumdotiertes Zinkoxid (ZnO:Al, engl. aluminum doped zinc oxide, AZO, auch zinc aluminum oxide, ZAO) ist ein transparenter Oxidhalbleiter, der als transparentes, elektrisch leitfähiges Oxid als Ersatz für Indiumzinnoxid in der LCD-, TFT- und Photovoltaik Verwendung findet. In ein Kristallgitter aus Zink- und Sauerstoffatomen sind Aluminiumatome dotiert, wodurch die Leitfähigkeit erhöht wird.[1][2]
Literatur
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- Ke Bin Low, Hao Gong, Eng Fong Chor: Annealing Effects on Contact Properties of Aluminum Doped Zinc Oxide Thin Films. In: International Journal of Modern Physics B. Band 16, 01n02, 2002, S. 294–301, doi:10.1142/S0217979202009780 (englisch).
- Hagen Klauk, Jiunn-Ru Huang, Jonathan A Nichols, Thomas N Jackson: Ion-beam-deposited ultrathin transparent metal contacts. In: Thin Solid Films. Band 366, Nr. 1–2, 2000, S. 272–278, doi:10.1016/S0040-6090(00)00728-8 (englisch).
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ Aluminum Zinc Oxide (AZO) bei Foyol ( vom 18. Juli 2007 im Internet Archive)
- ↑ M. Suchea, S. Christoulakis, K. Moschovis, N. Katsarakis, G. Kiriakidis: Nanostructured ZnO and ZAO transparent thin films by sputtering-surface characterization. In: Reviews on Advanced Materials Science. Band 10, Nr. 4, 2005, S. 335–340 (esperia.iesl.forth.gr [PDF; 522 kB; abgerufen am 2. Mai 2014]).