Caesiumdithionat
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Strukturformel | ||||||||
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Keine Zeichnung vorhanden | ||||||||
Allgemeines | ||||||||
Name | Caesiumdithionat | |||||||
Summenformel | Cs2S2O6 | |||||||
Externe Identifikatoren/Datenbanken | ||||||||
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Eigenschaften | ||||||||
Molare Masse | 427,96 g·mol−1 | |||||||
Sicherheitshinweise | ||||||||
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Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). |
Caesiumdithionat ist eine anorganische Verbindung aus der Gruppe der Dithionate.
Eigenschaften
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]Caesiumdithionat kristallisiert im hexagonalen Kristallsystem in der Raumgruppe P63mc (Raumgruppen-Nr. 186) mit den Gitterparametern a = 6,357 Å und c = 11,539 Å sowie 2 Formeleinheiten pro Elementarzelle.[1][2] Es weist einen pyroelektrischen und einen piezoelektrischen Effekt auf.[3] Der piezolektrische Effekt bei Raumtemperatur weist eine mittlere Stärke auf.[2] Caesiumdithionat zersetzt sich ab 250 °C teilweise. Ab etwa 300 °C zerfällt es vollständig und bildet unter Freisetzung von Schwefeldioxid Caesiumsulfat.[4]
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ Alexander A. Kaminskii, Eiken Haussühl, Siegfried Haussühl, Jürg Hulliger, Hans J. Eichler: Hexagonal Cs2S2O6 crystals – A new high-gain SRS-active material. In: Optics Communications. Band 252, Nr. 1-3, August 2005, S. 91–96, doi:10.1016/j.optcom.2005.04.031.
- ↑ a b R. Liminga, S. C. Abrahams, J. L. Bernstein: Piezoelectric Cs2S2O6: Room temperature crystal structure. In: The Journal of Chemical Physics. Band 73, Nr. 3, 1. August 1980, S. 1432–1438, doi:10.1063/1.440204.
- ↑ R. Liminga, S. C. Abrahams, J. L. Bernstein: Absolute sense and model for the piezoelectric and pyroelectric coefficients in Ba(NO2)2H2O and Cs2S2O6. In: Journal of Applied Crystallography. Band 13, Nr. 6, 1. Dezember 1980, S. 516–520, doi:10.1107/S0021889880012691.
- ↑ P.K. Gallagher, S.C. Abrahams, R. Liminga: Thermal decomposition of Cs2S2O6. In: Thermochimica Acta. Band 41, Nr. 3, November 1980, S. 291–296, doi:10.1016/0040-6031(80)87204-2.