Diskussion:Grabentechnik
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren von Cepheiden in Abschnitt Interessant
Interessant
[Quelltext bearbeiten]Bitte nicht wieder löschen...
Die Technologie ist wirklich interessant, der Artikel sollte ausgebaut werden! (nicht signierter Beitrag von 78.53.80.179 (Diskussion | Beiträge) 23:31, 5. Nov. 2007 (CET))
- Ach so, das dürfen jetzt andere für Dich machen --Eva K. Post 23:39, 5. Nov. 2007 (CET)
- Der Artikel ist ja ein schöner Anfang, aber das ist doch nicht alles. Zumindest werden/wurden Trenches nicht nur ausschließlich zum Herstellen von Gates benutzt, sonder auch zum isolieren von einzelnen Bauelementen (was meines wissens AMD, Intel [CPU, GPU] und X-FAB [Hochvolt Anwendungen] machen). Wobei man sagen muss, dass diese Trenches auf SOI-Wafern hergestellt werden.
- Ausserdem ist die Aussage "Da die präzise Fertigung tiefer Gräben/Löcher und die Beschichtung der Innenseiten sehr kompliziert ist" nicht ganz richtig, sonder sollte besser "Da die präzise Fertigung tiefer Gräben/Löcher und die Beschichtung der Innenseiten sehr schwierig ist" heißen. Warum nicht kompliziert sondern schwierig? Weil das Ätzen und Befühlen nicht komplizierter sind als das heutige herstellen von spacern, Gate-Oxid und so weiter. Was jedoch SCHWIERIG ist, ist das herstellen der Trenches ohne sogenannte Lunker (kann man sich als Luftblasen/Lufteinschlüsse im Trench vorstellen) (nicht signierter Beitrag von 84.184.46.236 (Diskussion | Beiträge) 16:10, 14. Mai 2009 (CEST))
- Ein Artikel zur Grabenisolation (STI) ist im Entstehen, mal sehen wann ich das in einer einigermaßenen Qualität zusammen hab (Zeitmangel). Das die Gräben (Trenches) ausschließlich auf SOI-Wafern genutzt werden ist falsch und wiederspricht dem Argument dass Intel STI nutzt, denn Intel macht zwar STI aber noch nie SOI. Trenches von Kondensatoren zu beschichten ist zudem deutlich komplizierter als sie nur zu füllen. Denn dazu gehören die äußere Elektrode (dünne Schicht), der Isolator (möglichst High-k) und dann die inner Elektrode (meist auch nicht nur ein Material). Es sit schon was deutlich anderes Als Spacer oder Gate-Oxid, bei dem Argument bezweifel ich irgendwie dass du wirklich weißt wie die Elemente Hergestellt werden. Mit der Wortwahl kompliziert und schwierig liegst allerdings richtig. Schwierig ist evtl die bessere Formulierung, auch wenn der unterschied nicht signifikant ist. --Cepheiden 17:55, 14. Mai 2009 (CEST)
Bild aus en.wikipedia.org
[Quelltext bearbeiten]Vielleicht ist dieses Bild hilfreich für den Artikel (aus en:DRAM).
