Diskussion:Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Letzter Kommentar: vor 11 Jahren von Cepheiden in Abschnitt Rätselhaft
Rätselhaft
[Quelltext bearbeiten]Gibt es auch Feldeffekttransistoren, bei denen das Gate nicht durch eine Isolierschicht vom leitfähigen Kanal getrennt ist? --Herbertweidner (Diskussion) 15:28, 10. Apr. 2013 (CEST)
- Na klar, ein non insulated-gate field-effect transistor (NIGFET). --Cepheiden (Diskussion) 15:42, 10. Apr. 2013 (CEST)
- bei dem ist im Standardbetrieb das Gate genauso isoliert. Außerdem: Auch wenn eine MOS-Schicht eingebaut ist, sorgen die üblichen Schutzdioden für Stromfluss, sobald eine gewisse Spannung überschritten wird. Insgesamt: eine an den Haaren herbeigezogene Unterscheidung ohne praktische Relevanz. --Herbertweidner (Diskussion) 17:37, 10. Apr. 2013 (CEST)
- Das sind Jahrzehnte alte Bezeichnungen, die in diversen Standardwerken genutzt werden, beschwere dich bitte nicht hier. --Cepheiden (Diskussion) 19:46, 10. Apr. 2013 (CEST)
- bei dem ist im Standardbetrieb das Gate genauso isoliert. Außerdem: Auch wenn eine MOS-Schicht eingebaut ist, sorgen die üblichen Schutzdioden für Stromfluss, sobald eine gewisse Spannung überschritten wird. Insgesamt: eine an den Haaren herbeigezogene Unterscheidung ohne praktische Relevanz. --Herbertweidner (Diskussion) 17:37, 10. Apr. 2013 (CEST)