Diskussion:Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Warum heißt der MESFET? Wofür steht das E? --DB1BMN 22:19, 11. Okt 2005 (CEST)

Metal Semiconductor Field Effelt Transistor (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag (siehe dazu Hilfe:Signatur) stammt von 134.130.168.4 15:25, 4. Aug. 2008 )

Höchst mögliche Gate-Spannung bei Si bzw. GaAs

Im Text steht "Bei Silizium-MESFETs wären das etwa 0,3 V. Wird hingegen GaAs als Halbleiterwerkstoff verwendet liegt die mögliche Spannung bei ca. 0,7 V. "

Ist das nicht genau umgekehrt? (Silizium 0,7 V, GaAs 0,3 V)? (nicht signierter Beitrag von 84.132.210.11 (Diskussion | Beiträge) 14:46, 31. Mär. 2006 (CEST))

Abbildung sollte geändert werden

Die Abbildung ist ein pn-JFET und kein MESFET. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag (siehe dazu Hilfe:Signatur) stammt von 134.130.168.4 15:25, 4. Aug. 2008 )

Ja, der aufbau ist nicht ganz korrekt. In der Funktionsweise sind beide allerdings fast gleich. Ich werd die Tage mich mal bemühen eine entsprechende Grafik zu erstellen.--Cepheiden 16:55, 4. Aug. 2008 (CEST)

Absatz neu formulieren:

"Dieses Halbleiterbauelement wird dann auch als High Electron Mobility Transistor bezeichnet." Nein, wird dieser nicht. Der MESFET zeichnet sich durch den Metall-HL-Kontakt aus, sich wie ein Schottky-Kontakt verhält. Ein High Electron Mobility Transistor (HEMT) wird bezeichnet, weil sich ein 2D-Elektronengas ausbildet. Dieses gibt es beim MESFET nicht. Um dieses 2D-Gas im HL zu erhalten, sind spezielle Bauformen nötig. Hierin unterscheiden sich HEMT und MESFET auch deutlich. 130.75.178.23 14:52, 30. Sep. 2009 (CEST)

Dem stimm ich zu. Der HEMT ist aber wohl eine spezialvariante des MeSFET. Ungeachten dessen ist der Zusammenhang hier wage und verleitet zu Fehlinterpretationen. Ich habe den Teil mal gestrichen. Danke für den Hinweis. --Cepheiden 16:45, 30. Sep. 2009 (CEST)