Diskussion:Silicen

Bandlücke

Hallo, welche Schlussfolgerung soll der Leser folgender Aussage entnehmen: "Die Bandlücke kann auf bis zu 0,1 eV reduziert werden, was deutlich geringer ist, als eine Bandlücke von 0,4 eV, die typischerweise für konventionelle Feldeffekttransistoren angegeben wird." ? --Cepheiden (Diskussion) 23:17, 19. Sep. 2014 (CEST)

Danke für Hinweis. Dies hat zu bedeuten, dass die Leitfähigkeit des Halbleiters zunimmt. Zwar steht das ebenfalls beim Artikel über die Bandlücke, aber ein zusätzlicher Hinweis wird eingefügt. --CBichlmann (Diskussion) 00:45, 20. Sep. 2014 (CEST)

Hallo, ja, die die intrinsische Leitfähigkeit bei RT steigt bei einer Bandabstandsenergie von 0,1 eV gegen über 0,4 eV um gut 2 Größenordnungen. Bitte beachte, die wenigsten Transistoren auf der Grundlage eines intrisch-dotierten Kanals basieren. In der Regel sind sie dotiert und sind meist eh im Bereich der Störstellenerschöpfung. Was hat diese Information deiner Meinung nach für eine Bedeutung in der Anwendung? Kannst du das bitte erklären. Meiner Meinung nach ist diese Information für den Leser entweder nichtssagend oder führt zu falschen Schlussfolgerungen. Des Weiteren sollte man klarstellen dass es sich bei den Angaben um Berechnungen/Simulationen handelt. -- Cepheiden (Diskussion) 22:11, 20. Sep. 2014 (CEST) P.S. Ich weiß, dass das so im Artikel selbst steht, aber auch dort wird es einfach nur genannt und mir bleibt die praktische Bedeutung unklar.

Ich verstehe zum einen deine Bedenken, dass, v.a. unter dem Halbleiteraspekt, viele Informationen auf theoretischen Kalkulationen beruht. Das hat einfach den Hintergrund, dass das Thema enorm jung und folglich nicht in allen Aspekten erforscht ist. Zum anderen aber sollten - meiner Meinung nach - zumindest die Erkenntnisse, die gewonnen wurden, aufgezählt werden (auch wenn diese theoretischer Natur sind). Wie könnte man für den Leser noch besser darauf hinweisen, als in der Überschrift und im Fließtext? --CBichlmann (Diskussion) 17:03, 21. Sep. 2014 (CEST)

Nein, die Berechnungen sind schon okay, wenn man darauf kurz hinweist. Was ich bemängle sind die reine Nennung mehr oder weniger relevante Werte ohne dem Leser zu zeigen was diese Werte denn überhaupt bedeuten und was man daraus schließen kann. Derzeit könnte man vermuten, das die geringere Bandlücke an sich eine Verbesserung ist, aber was und wie verbessert sich damit? Das alles ist mir unklar und ich bin sicher anderen wird es auch so gehen. Ich habe den Artikel nur kurz überflogen, ggf. muss ich mir diesen und den von ihm referenzierten doch mal zu Gemüte führen. -- Cepheiden (Diskussion) 18:01, 21. Sep. 2014 (CEST)

Manche Formulierungen sind schwer verständlich, z.b.: da diese eine niedrigere Versorgungsspannung benötigen und bei der Annäherung an die Schwellenspannung des Transistors einen niedrigeren Abfall verzeichnen. Ist da mit Abfall ein Spannungsabfall im Source-Drain (Kanal) gemeint? Oder sind das Leckströme vom FET? Auch macht es meiner Meinung wenig Sinn von eine Alternative für die konventionellen MOSFETs zu schreiben, wenn diese Art von FETs bisher nur in Simulationen und nicht real und in Praxis, mit allen Schwierigkeiten, aufgebaut wurde.

Dass das Thema enorm jung und folglich nicht in allen Aspekten erforscht ist ist ja nicht Schlimmes - in diesem Fall ist es besser zuzuwarten bis "was handfestes" vorhanden ist und die ehemaligen Vermutungen, die natürlich wichtig und gut sind, bestätigt/widerlegt/angepasst/whatever sind.

Die Gefahr die bei solchen Artikelinhalten, die quasi die Zukunft selbst überholen wollen, ist, dass allerlei Spekulationen und Vermutungen für real genommen werden, was aber meist nicht zutrifft. Für Wikipedia-Artikel müssen wir hier keinen Drittmittel werben und auch keine Investoren für Forschungsprojekte bei der Stange halten, was meist der Grund für solche Veröffentlichungen ist. Siehe dazu auch Themen wie Memristor und Diskussionen wie Diskussion:Memristor#Abschnitte_mit_Spekultationen vor 6 Jahren, wo dieser problematische PR-Effekt noch stärker aufgetreten ist (und, imho, bis heute anhält).--wdwd (Diskussion) 18:53, 21. Sep. 2014 (CEST)

Ich hab noch ein Problem mit dem Satz. Im abstract des papers, das direkt nach dem Satz verlinkt wird, steht:

"By using first-principles calculations, we predict that a sizable band gap can be opened at the Dirac point of silicene without degrading silicene's electronic properties with n-type doping by Cu, Ag, and Au adsorption, p-type doping by Ir adsorption, and neutral doping by Pt adsorption."

Ich lese das so, dass eine Bandlücke _geöffnet_ werden kann durch Dotierung mit ..., und dass Silicen eine solche Bandlücke eben nicht von selber hat. Es würde mich interessieren, was die Bandlücke von undotiertem Silicen ist, und ob sie überhaupt gemessen wurde, und wenn ja, wie (optisch: nicht so toll; photoelektronenspektroskopische Messung: schon interessanter, ...), oder ob Bandstruktur und Bandlücke errechnet wurden. Theoretische Festkörperphysiker würde wiederum interessieren, wie sie berechnet wurde, was mir wieder weniger sagte. Ich plädiere hier also überhaupt erstmal zu prüfen, ob das überhaupt richtig rum wiedergegeben wurde.

Außerdem wundert es mich, warum eine hohe intrinsische Leitfähigkeit überhaupt von Nutzen wäre, denn die erhöht doch nur die Verlustleistung und die Leckströme der Transistoren, verschlechtert also die Brauchbarkeit der Bauelemente.

Einstellbarkeit der Bandlücke ist im Gegensatz dazu interessant, denn damit kann man Dinge anstellen, die mit Halbleitern, deren Bandlücke nicht bis schwer veränderbar sind, unmöglich oder teuer sind.

Die Bauteil-Baumöglichkeiten mögen zwar sein, aber es sind so viele Sachen der heiße Scheiß der Halbleiter gewesen, und Bulk-Silizium hat sie, außer für Photoelektronisches und Spezialanwendungen, weitestgehend verdrängt. Dass das Material überhaupt für die Bauelemente-Anwendung interessant ist, muss also ziemlich gut begründet werden. Das spricht nicht gegen die Forschung daran oder gegen deren Darstellung hier, aber für eine Relativierung der Aussage, dass das technisch nutzbar ist.

Der Artikel scheint damit nicht nur nicht besonders verständlich zu sein, sondern deutet zusätzlich darauf hin, dass er erstmal auf Korrektheit geprüft gehört. --Blauer elephant (Diskussion) 22:46, 19. Okt. 2017 (CEST)

@Cepheiden, CBichlmann, Wdwd, Blauer elephant: Der Allgemeinverständlichkeitsbaustein ist nun seit fast sechs Jahren drin. Seither wurde der betreffende Abschnitt überarbeitet. Kann der Baustein nun raus? --Leyo 11:43, 7. Jul. 2020 (CEST)

Der Abschnitt "Mögliche Bedeutung für die Halbleitertechnik" ist spekulativ (alles nur Konjunktiv; wenig handfestes) und basiert nur auf einer (meiner Meinung) nicht besonders bedeutenden Quelle. Bis jetzt dürfte es auch keine relevante Auswirkung auf den Bereich der Halbleitertechnik, Betonung auf Technik, geben. Lasse mich aber gerne vom Gegenteil überzeugen. Bis dahin hab ich mal den fraglichen Abschnitt mit viel Glaskugelei samt Bapperl entfernt.--wdwd (Diskussion) 12:04, 7. Jul. 2020 (CEST)

Dass die Spalulation zur Halbleitertechnik raus ist, ist mir eine außerordentliche Freude. Der Artikel hat aber immer noch eine enorme Informationsdichte. Beispiel: "Silicen (englisch silicene) ist die Bezeichnung für eine zweidimensionale, allotrope Modifikation des Siliciums mit einer hexagonalen Wabenstruktur, ähnlich der des Graphens."

Da steckt drin:

• Zweidimensionale: Das Ding ist flach und hat senkrecht zur Ebene nichts, was dazugehört. Viel Inhalt für ein Wort.
• allotrope Modifikation: Zwei absolutes Fachwort, das die meisten klicken werden müssen und nichts anderes heißt, als dass es eine von mehreren Erscheinungsformen eines Stoffes ist, wie Graphit und Diamant.
• hexagonale Wabenstruktur: nicht mehr ganz so kompliziert, aber immer noch ganz ordentlich.

Davor gibt es ein paar verständliche Worte, die man braucht, damit es ein Satz wird, und hinten stehen vier Wörter, die tatsächlich was erklären, wenn auch nur durch einen Vergleich mit einem Stoff, der fast so exotisch ist wie Silicen.

Für eine Einleitung ist das viel zu heavy. Baustein kann aber draußenbleiben, der hat ja auch nichts geholfen. --Blauer elephant (Diskussion) 23:15, 12. Jul. 2020 (CEST)