Diskussion:Single Event Effect

SEB

Wenn ein Leistungsmosfet in einer Schaltung verbaut wird, warum soll der bei Kurzschluss zerstört werden? Ist doch ein definierter Zustand. (nicht signierter Beitrag von 178.12.37.63 (Diskussion) 19:04, 19. Feb. 2012 (CET))

Mhh, als ganz genau kann ich es nicht erklären (müsst ich erst nachlesen), aber allgemein bewirkt ein einfallendes energiereiches Ion eine Ionisationsspur im Halbleiter, die dadurch entstehenden Ströme bewirken zusammen mit der hohen Spannung in Leitsungshalbleitern von 300 V und mehr eine erhöhte Stoßrate energiereicher Ladungsträger mit den Gitterionen. Es setzt ein starker Lawineneffekt und die Zündung eines parasitären Transistors ein. Dies führt dann zur strukturellen Zerstörung des Leistungshalbleiters. --Cepheiden 20:28, 19. Feb. 2012 (CET)

O.K., das klingt wieder sehr technisch und ich kann das deshalb auch nicht widerlegen.. Ich würde dich trotzdem um eines Bitten. Lese dir bitte diese beiden Quellen durch und bringe sie eventuell mit ein. http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/anasw2.htm http://www.montenegros.de/sergio/lehre/informatik_fuer_satellitenbau/027-cmos-und-strahlung.pdf Eine Quelle ist keine Quelle. Ich würde nähmlich behaupten, daß der Latchup kein Phänomen der Raumfahrt ist sondern schon früher Bestand hatte. Durch Transienten z.Bsp. Der Latchup scheint allgemein bekannt zu sein auch ohne Strahlung. Und jetzt muss ich noch mal betteln, könntest du nicht nur die NASA als Quelle angeben, sondern auch das Dokument, welches das Thema beinhaltet?

LG (nicht signierter Beitrag von 178.12.37.63 (Diskussion) 21:21, 19. Feb. 2012 (CEST))

Ich denke es ging dir um SEB und nicht SEL? Daher ist mir der Bezug zu den von dir angegeben Dokumenten auch unklar. Übrigens, Änderungen kannst du auch selbst einfügen, sei mutig! --Cepheiden 21:26, 19. Feb. 2012 (CET) P.S. bzgl. Latc up vgl. Latch-Up-Effekt

Meine Theorie ist, das der Effekt der gleiche ist, nur die Auswirkung ist stärker ( Mehr Strom eben). Ich kann mir nicht vorstellen, daß bei einem permanenten Beschuß, wenn der Effekt auf Lawinenebene ist, nicht permanennt alle Bauteile burnen. Vielmehr denke ich, daß das wirklich nur parasitäre Thyristoren betrifft, welche teilweise besser oder schlechter mit Vorwiderständen ausgestattet sind. Was denkst du eigentlich über die Quellen? (: (nicht signierter Beitrag von 178.12.37.63 (Diskussion) 21:38, 19. Feb. 2012 (CET))

Die Effekte erscheinen sehr ähnlich, aber mMn nicht gleich. Die Unterscheidung ist aber wahrscheinlich nur bei näherer Betrachtung ordentlich zu formulieren, und daher sehr technisch. SEB tritt aber generell nur bei Leistungsbauelementen auf SEL kann auch bei normaler Logik auftreten. Auch die genaue Ausfallursache müsste man genauer in der Literatur recherchieren. Die Quellen? Nunja, die könnte ich nur bewerten wenn ich im Thema bin und sie aufmerksam lesen würde. Zum Thema SEB scheinen sie nicht betragen zu können, daher auch nicht zum unterschied zu anderen SEUs --Cepheiden 21:54, 19. Feb. 2012 (CET) P.S. Bitte beachte den blauen Balken über dem Quelltextfenster und signiere deine Beiträge

Ich habe den Vorteil des Signierens noch nicht verstanden. Wenn der Staatsanwalt meine IP-Adresse wünscht, kriegt er diese auch so. Habe aber noch etwas anderes gefunden. http://www.smpstech.com/power-mosfet-single-event-burnout.htm Die Sache scheint doch etwas komplizierter zu sein. Sorry, das überschreitet meine Kompetenz gänzlich. (nicht signierter Beitrag von 178.12.37.63 (Diskussion) 22:22, 19. Feb. 2012 (CET))