Igor Georgijewitsch Neiswestny
Igor Georgijewitsch Neiswestny (russisch Игорь Георгиевич Неизвестный; * 26. November 1931 in Odessa) ist ein ukrainisch-russischer Physiker und Hochschullehrer.[1][2][3]
Leben
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]Neiswestnys Großvater mütterlicherseits war der Astronom Alexander Jakowlewitsch Orlow.[1] Neiswestny studierte an der Fakultät für Elektromechanik des Moskauer Energetischen Instituts mit Abschluss 1956 in der Fachrichtung Dielektrika und Halbleiter. Darauf war er wissenschaftlicher Mitarbeiter im Moskauer Lebedew-Institut für Physik (FIAN) der Akademie der Wissenschaften der UdSSR (AN-SSSR, ab 1991 Russische Akademie der Wissenschaften (RAN)) bei Anatoli Wassiljewitsch Rschanow.[2]
1962 ging Neiswestny mit Rschanow in das neue von Rschanow geleitete Institut für Festkörperphysik im Nowosibirsker Akademgorodok, das 1964 mit dem Institut für Radiophysik das Halbleiter-Institut der Sibirischen Abteilung (SO) der AN-SSSR mit Rschanow als Direktor wurde. 1966 wurde Neiswestny mit seiner Dissertation über die Natur der Rekombinationszentren der Ladungsträger an Germaniumoberflächen zum Kandidaten der physikalisch-mathematischen Wissenschaften promoviert. 1973–1980 leitete er das Laboratorium für Physik und Technologie der Germanium-Metall-Dielektrikum-Halbleiter-Strukturen. Er untersuchte die physikalischen Prozesse an den Halbleiter-Dielektrikum-Grenzflächen und die Wechselwirkung von Strahlung mit Halbleiter-Heterostrukturen. Er leitete die Computersimulation der Bildung dünner Oberflächenschichten. Arbeitsschwerpunkte waren auch die Quantenkryptographie und Oberflächensperrschicht-Biosensoren. Mit der Dissertation über Germanium-Dielektrikum-Grenzflächen wurde er 1980 Doktor der physikalisch-mathematischen Wissenschaften. 1990 wurde er zum Korrespondierenden Mitglied der AN-SSSR gewählt.[4] Ab 2004 leitete er die Abteilung für Dünnschichtstrukturen für Mikroelektronik und Photoelektronik.
Neiswestny lehrte an der Staatlichen Technischen Universität Nowosibirsk am Lehrstuhl für Halbleitergeräte und Mikroelektronik mit Ernennung zum Professor 1983.[5] 1988–2010 leitete er den Lehrstuhl. 2010 wurde er zum Ehrenprofessor der Universität Odessa gewählt.[2]
Ehrungen, Preise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- Orden des Roten Banners der Arbeit (1971)
- Staatspreis der Russischen Föderation für Wissenschaft und Technik für die Entdeckung und die experimentelle und theoretische Untersuchung einer neuen Klasse von lichtempfindlichen Halbleitermaterialien (1995)
- Preis der Regierung der Russischen Föderation für Bildung (2012)
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ a b Диэлектрики и полупроводники определили мою жизнь. In: Наука в Сибири. Nr. 46, 30. November 2006 (nsc.ru [abgerufen am 25. Januar 2019]).
- ↑ a b c S. I. Alfjorow, A. L. Assejew, S. W. Bogdanow, A. W. Dwuretschenski, A. W. Latyschew, О. П. Пчеляков, Э. В. Скубневский, P. А. Сурис, A. W. Tschaplik, W. G. Choroschewski: Игорь Георгиевич Неизвестный (к 80-летию со дня рождения). In: Физика и техника полупроводников. Band 46, Nr. 2, 2012 (ioffe.ru [abgerufen am 25. Januar 2019]).
- ↑ Biblioteka Akademgorodok: Неизвестный Игорь Георгиевич (abgerufen am 25. Januar 2019).
- ↑ RAN: Неизвестный Игорь Георгиевич (abgerufen am 25. Januar 2019).
- ↑ Новосибирский государственный технический университет: Игорь Георгиевич Неизвестный (abgerufen am 25. Januar 2019).
| Personendaten | |
|---|---|
| NAME | Neiswestny, Igor Georgijewitsch |
| ALTERNATIVNAMEN | Неизвестный, Игорь Георгиевич (russisch) |
| KURZBESCHREIBUNG | ukrainisch-russischer Physiker und Hochschullehrer |
| GEBURTSDATUM | 26. November 1931 |
| GEBURTSORT | Odessa |