Indium(II)-selenid
| Kristallstruktur | |||||||||
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| _ In2+ _ Se2− Kristallstruktur der γ-Form von Indium(II)-selenid | |||||||||
| Allgemeines | |||||||||
| Name | Indium(II)-selenid | ||||||||
| Verhältnisformel | InSe | ||||||||
| Kurzbeschreibung |
schwarze Kristalle[1] | ||||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | |||||||||
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| Eigenschaften | |||||||||
| Molare Masse | 193,78 g·mol−1 | ||||||||
| Aggregatzustand |
fest | ||||||||
| Schmelzpunkt | |||||||||
| Sicherheitshinweise | |||||||||
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| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). | |||||||||
Indium(II)-selenid (InSe) ist eine chemische Verbindung von Indium und Selen,[1] ein sogenannter III-VI-Halbleiter. Zu unterscheiden von InSe sind In2Se3, In4Se3 und In6Se7.
Gewinnung und Darstellung
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]Der Stoff kann durch Reaktion von Indium mit Selen gewonnen werden.[4]
Eigenschaften
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]Indium(II)-selenid ist ein schwarzer, matt fettglänzender, leicht zerreibbarer Feststoff.[4] Es ist polymorph. β-InSe kristallisiert in der Raumgruppe P63/mmc (Raumgruppen-Nr. 194), ε-InSe in der Raumgruppe P6m2 (Nr. 187) und γ-InSe in der Raumgruppe R3m (Nr. 160).[5] Es wird auch ein Polymorph in der Raumgruppe P6322 (Nr. 182) beschrieben.[6] Die dominierende Phase ist die γ-Form.[7] Die Gitterparameter der γ-Form betragen a = 4,002 Å und c = 24,95 Å.[8] Die Struktur besteht aus In24+-Kationen, die durch überbrückende Selenatome an benachbarte Kationen gebunden sind, so dass eine Schichtstruktur resultiert. Aus dem schichtförmigen Aufbau ergeben sich zwei Bandübergänge, ein indirekter Bandübergang mit einer Bandabstandsenergie von ca. 1,2 eV und ein direkter Bandübergang mit ca. 2,4 eV.[9]
Literatur
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- R. Clasen, O. Madelung: Semiconductors. Physics of Non-tetrahedrally Bonded Binary Compounds II. In Landolt-Börnstein numerical data and functional relationships in science and technology. New series. Group III, Crystal and solid state physics. Band 17, Springer, ISBN 3-540-12160-9 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ a b c Eintrag zu Indiumselenid. In: Römpp Online. Georg Thieme Verlag, abgerufen am 15. Juli 2014.
- ↑ Eintrag zu Selenverbindungen in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 25. Juli 2021. (JavaScript erforderlich)
- ↑ Nicht explizit in Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP) gelistet, fällt aber mit der angegebenen Kennzeichnung unter den Gruppeneintrag Selenverbindungen mit Ausnahme von Cadmiumsulfoselenid, soweit in diesem Anhang nicht gesondert aufgeführt im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 25. Juli 2021. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.
- ↑ a b Georg Brauer (Hrsg.), unter Mitarbeit von Marianne Baudler u. a.: Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band I, Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, ISBN 3-432-02328-6, S. 872.
- ↑ T. Ikari, S. Shigetomi, K. Hashimoto: Crystal Structure and Raman Spectra of InSe. In: Basic Solid State Physics, 111(2), 1982, S. 477–481, doi:10.1002/pssb.2221110208.
- ↑ S. Inoue, T. Yoshida, T. Morita: Crystal Structure of InSe Grown from Melt and Its Structure Transition. In: Japanese Journal of Applied Physics, 21(2), 1982, S. 242–248.
- ↑ J.A. Hollingsworth, D.M. Poojary, A. Clearfield, W.E. Buhro: Catalyzed Growth of a Metastable InS Crystal Structure as Colloidal Crystals. In: Journal of the American Chemical Society, 122, 2000, S. 3562–3563, doi:10.1021/ja000106u.
- ↑ J. Rigoult, A. Rimsky: Refinement of the 3R γ-Indium Monoselenide Structure Type. In: Acta Crystallographica, B36, 1980, S. 916–918, doi:10.1107/S0567740880004840.
- ↑ John Vincent McCanny, R. B. Murray: The band structures of gallium and indium selenide. In: Journal of Physics C: Solid State Physics. 1977, Nr. 10, 1977, S. 1211–1222, doi:10.1088/0022-3719/10/8/022