Indiumacetylacetonat
Strukturformel | |||||||||||||||||||
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Allgemeines | |||||||||||||||||||
Name | Indiumacetylacetonat | ||||||||||||||||||
Andere Namen |
Indiumtris[(2Z)-4-oxo-2-penten-2-olat] | ||||||||||||||||||
Summenformel | C15H21InO6 | ||||||||||||||||||
Kurzbeschreibung |
weißer bis hellgelber Feststoff[1] | ||||||||||||||||||
Externe Identifikatoren/Datenbanken | |||||||||||||||||||
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Eigenschaften | |||||||||||||||||||
Molare Masse | 412, 145 g·mol−1 | ||||||||||||||||||
Aggregatzustand |
fest[1] | ||||||||||||||||||
Schmelzpunkt |
187–189 °C[1] | ||||||||||||||||||
Sicherheitshinweise | |||||||||||||||||||
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Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). |
Indiumacetylacetonat ist eine Komplexverbindung des Indiums mit Acetylacetonat als Ligand. Es handelt sich hierbei um einen farblosen Feststoff mit oktaedrischer Kristallstruktur.[3]
Reaktionen
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]Indiumacetylacetonat und Zinn(II)-acetylacetonat können zur Herstellung dünner Indiumzinnoxidfilme mit einer chemischen Gasphasenabscheidung bei Normaldruck verwendet werden. Die resultierenden Filme sind transparent, leitfähig und haben eine Dicke von etwa 200 nm.[4]
Außerdem kann Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (CIGS) mit Indiumacetylacetonat hergestellt werden. CIGS-Solarzellen mit dünnem Film werden mithilfe einer chemischen Gasphasenabscheidung aus Indiumacetylacetonat und Schwefelwasserstoff synthetisiert.[5]
Einzelnachweise
[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]- ↑ a b c d Datenblatt Indium(III)-Acetylacetonat bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 16. Juli 2024 (PDF).
- ↑ harmonisierte Einstufung vor. Wiedergegeben ist eine von einer Selbsteinstufung durch Inverkehrbringer abgeleitete Kennzeichnung von Tris(pentane-2,4-dionato-O,O')indium im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 16. Juli 2024. Für diesen Stoff liegt noch keine
- ↑ G. J. Palenik, K. R. Dymock: The structure of tris(2,4-pentanedionato)indium(III). In: Acta Crystallographica Section B Structural Crystallography and Crystal Chemistry. Band 36, Nr. 9, 1. September 1980, S. 2059–2063, doi:10.1107/S0567740880007935.
- ↑ IEEE Xplore Abstract - Indium‐tin oxide thin films prepared by chemical vapor deposition. 29. November 2014, abgerufen am 16. Juli 2024 (englisch).
- ↑ N. Naghavi, S. Spiering, M. Powalla, B. Cavana, D. Lincot: High‐efficiency copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells with indium sulfide buffer layers deposited by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD). In: Progress in Photovoltaics: Research and Applications. Band 11, Nr. 7, November 2003, S. 437–443, doi:10.1002/pip.508.