Indiumacetylacetonat

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Strukturformel
Strukturformel von Indiumacetylacetonat
Allgemeines
Name Indiumacetylacetonat
Andere Namen

Indiumtris[(2Z)-4-oxo-2-penten-2-olat]

Summenformel C15H21InO6
Kurzbeschreibung

weißer bis hellgelber Feststoff[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 14405-45-9
EG-Nummer 238-378-6
ECHA-InfoCard 100.034.874
PubChem 16687813
ChemSpider 4938723
Wikidata Q15428062
Eigenschaften
Molare Masse 412, 145 g·mol−1
Aggregatzustand

fest[1]

Schmelzpunkt

187–189 °C[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[2]
Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Achtung

H- und P-Sätze H: 302​‐​312​‐​315​‐​319​‐​332​‐​335​‐​351
P: 280​‐​301+312​‐​302+352+312​‐​304+340+312​‐​305+351+338​‐​308+313[1]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet.
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Indiumacetylacetonat ist eine Komplexverbindung des Indiums mit Acetylacetonat als Ligand. Es handelt sich hierbei um einen farblosen Feststoff mit oktaedrischer Kristallstruktur.[3]

Indiumacetylacetonat und Zinn(II)-acetylacetonat können zur Herstellung dünner Indiumzinnoxidfilme mit einer chemischen Gasphasenabscheidung bei Normaldruck verwendet werden. Die resultierenden Filme sind transparent, leitfähig und haben eine Dicke von etwa 200 nm.[4]

Außerdem kann Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid (CIGS) mit Indiumacetylacetonat hergestellt werden. CIGS-Solarzellen mit dünnem Film werden mithilfe einer chemischen Gasphasenabscheidung aus Indiumacetylacetonat und Schwefelwasserstoff synthetisiert.[5]

Einzelnachweise

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  1. a b c d Datenblatt Indium(III)-Acetylacetonat bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 16. Juli 2024 (PDF).
  2. Vorlage:CL Inventory/nicht harmonisiertFür diesen Stoff liegt noch keine harmonisierte Einstufung vor. Wiedergegeben ist eine von einer Selbsteinstufung durch Inverkehrbringer abgeleitete Kennzeichnung von Tris(pentane-2,4-dionato-O,O')indium Vorlage:Linktext-Check/Apostroph im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 16. Juli 2024.
  3. G. J. Palenik, K. R. Dymock: The structure of tris(2,4-pentanedionato)indium(III). In: Acta Crystallographica Section B Structural Crystallography and Crystal Chemistry. Band 36, Nr. 9, 1. September 1980, S. 2059–2063, doi:10.1107/S0567740880007935.
  4. IEEE Xplore Abstract - Indium‐tin oxide thin films prepared by chemical vapor deposition. 29. November 2014, abgerufen am 16. Juli 2024 (englisch).
  5. N. Naghavi, S. Spiering, M. Powalla, B. Cavana, D. Lincot: High‐efficiency copper indium gallium diselenide (CIGS) solar cells with indium sulfide buffer layers deposited by atomic layer chemical vapor deposition (ALCVD). In: Progress in Photovoltaics: Research and Applications. Band 11, Nr. 7, November 2003, S. 437–443, doi:10.1002/pip.508.