Diskussion:Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor/Archiv

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[[Diskussion:Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor/Archiv#Thema 1]]

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https://de.wikipedia.org/wiki/Diskussion:Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor/Archiv#Thema_1

MOS

Zum Absatz: Anmerkungen zum Namen dieser Transistorform

Da derzeit (noch) Polysilizium als Gate-Material eingesetzt wird, ist der Begriff nicht mehr korrekt. ...

Dazu möchte ich bemerken:

Die Abkürzung MO = Metall Oxid bezieht sich auf das Isolationsmaterial ( (SiO2) = (Halb)Metalloxid ) des Gates und nicht auf das Gatematerial selbst. Das sollte geändert werden. (nicht signierter Beitrag von Pistnor (Diskussion | Beiträge) 23:08, 15. Dez. 2007 (CET))

Das Polysilizium bezog sich (korrekt) auf das Gate nicht auf das Gate-Dielektrikum. Es ging also um das M in MOS. Des Weiteren handelt es sich bei MOS um die Bezeichnung eines 3-Schichtstappels und nicht wie du es deutest, als Hinweis auf die Art des Oxids. Ich hab den Absatz mal etwas präzisiert --Cepheiden 11:57, 10. Okt. 2008 (CEST)

Einleitung

Den einleitenden Text versteht nur der, der es bereits versteht. Schade, dass wikipedia nicht mehr für die breite Masse zugänglich ist. So wie folgt verstehe ich es auch:

http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0510161.htm

Ein paar Sätze über Sinn und Zweck, mögliche Anwendungen dieses Dinges wären hilfreich.

PS: Dies ist meine erste Aktivität im wiki und bitte nicht beachtete Etikette zu entschuldigen. Grüße Timestagger.(nicht signierter Beitrag von Timestagger (Diskussion | Beiträge) 21:37, 21. Mai. 2007 (CEST))

Hallo Timestagger. Ich habe mir gerade aufgrund Deines Beitrags die Einleitung auch einmal durchgelesen und vermutlich hast Du recht. Vernünftigerweise werden Artikel in der Wikipedia überwiegend von Leuten mit Fachkenntnis auf dem jeweiligen Gebiet geschrieben, dabei den Blick für Allgemeinverständlichkeit zu behalten ist nicht immer ganz einfach. Wenn Du eine Idee hast, wie die Einleitung verständlicher werden kann, ohne dabei zuviele der Informationen oder Korrektheit einzubüßen, dann sei einfach mutig oder schlage hier auf der Diskussionsseite Alternativformulierungen vor. Liebe Grüße, norro 21:59, 21. Mai 2007 (CEST)

Bewegung der Minoritätsladungsträger ???

Hi,

die Minoritätsladungsträger sind quasi die ionisierten Atomrümpfe. Diese sind AFAIK _NICHT_ beweglich viel mehr werden die Majoritätsladungsträger verschoben!! vgl. Abschnitt: "Aufbau und Funktionsweise" --SaDFuB 09:10, 9. Mär 2005 (CET)

Ich glaub da liegt ein Verständnisproblem vor. Also, mit Minoritätsladungsträger meint man die Ladungträgerart die in einem dotierten Halbleiter nicht Dominant ist. Im n-Leiter werden die Elektronen als Majoritätsträger, die Löcher als Minoritätsträger bezeichnet, im p-Leiter gilt die entsprechende Umkehrung. Außerdem sind Löcher zwar im realen ionisierte Atomrümpfe, aber trotzdem haben sie ein Beweglichkeit. Es bewegen sich dabei allerdings wie du schon richtig anmerktest nicht die Atomrümpfe sondern die Defektelektronen (=Löcher). --Cepheiden 11:34, 9. Mär 2005 (CET)

also aus dem Artikel für Dotierung habe ich folgendes... "Bei der n-Dotierung werden V-wertige Elemente, die so genannten Donatoren, in das Siliziumgitter eingebracht und substituieren dafür IV-wertige Silizium-Atome. Ein V-wertiges Element hat fünf Außenelektronen für Atombindungen zur Verfügung, sodass bei der Einbindung in den Siliziumkristall ein Außenelektron des Donators freibeweglich zur Verfügung steht. Dieses Elektron kann beim Anlegen einer Spannung Arbeit verrichten. An der Stelle des Donator-Atoms entsteht eine ortsfeste positive Ladung, der eine negative Ladung des freibeweglichen Elektrons gegenübersteht." Und da steht was von ortsfest. Also ich sehe das im Widerspruch zueinander, und daher muss eines von beiden falsch sein, oder? Danke, für die Mühe, ich habe anscheinend noch erhebliche Verständnisprobleme ;) -- SaDFuB 15:03, 9. Mär 2005 (CET)

Ein Atom der 5. HG sorgt im Siliziumgitter für einen "Elektronenüberschuss", d. h. der Halbleiter wird n-dotiert. Die Elektronen stellen dann die Majoritätsladungsträger dar. Dieses Elektron kann einfacher in das Valenzband gelangen als die Valenzelektronen des Si. Passiert dies so entsteht an der ursprünglichen Stelle im Valenzband ein Loch (unbesetzter Zustand), das Defektelektron, das sich unter dem Einfluss elektrischer und magnetischer Felder wie eine positive Ladung verhält. Das Quasiteilchen kann aber durch Rekombination mit Elektronen von Nachbaratomen wieder am Dotieratom verschwinden. Allerdings fehlt dann an dem anderem Atom ein Elektron, d.h. nun ist dort ein Defektelektronzustand. Ich hoffe das ist eineigermaßen verständlich. Ich weiß aber nicht ob das hier der richtige Platz für Erklärungen ist. Naja egal missbrauchen wir es halt :-P --16:53, 9. Mär 2005 (CET)

Ihr habt Probleme wie eine positive Ladung die ja von den positiven Rumpfatomen dargestellt wird wandern kann? Stellt euch vor wir haben folgende Situation: Achtung ASCII-Art

+- +- +-
+- +  +-
+- +- +-

+- Stellen dabei Atomrümpfe und ihre Elektronen da, sind also neutral. In der Mitte ist ein Defektelektron: ein Loch. Also ein Atomrumpf dem ein Elektron fehlt und deshalb positiv geladen ist. Was passiert jetzt wenn der Atomrumpf in der Mitte ein Elektron von rechts klaut? Das:

+- +- +-
+- +- +
+- +- +- 

obwohl der Atomrumpf ortsfest ist. Hat sich die positive Ladung nach rechts bewegt. Das Loch oder das Defektelektron hat sich bewegt. Es ist ein Quasiteilchen mit eigener effektiver Masse und Beweglichkeit. Noch fragen? --Atosch 09:39, 12. Apr 2005 (CEST)

Aufbau und Funktionsweise:

Wie kann es eigentlich zur Rekombination kommen, wenn ich doch eine hochohmige MO-Schicht am Gate liegen habe? IMHO kann dort gar nichts rekombinieren, außerdem ist doch nicht jeder MOS-FET selbstsperrend oder? Ich meine es gibt ja auch selbstleitende MOS-FET's. (Sorry das ist mir auch mal so eben aufgefallen, ich bin halt gerade am lernen und versuch das Teil möglichst gut zu verstehen) -- SaDFuB 15:08, 9. Mär 2005 (CET)

Die Rekombination findet im Halbleiter zwischen einem Loch und einem Elektron statt. --Cepheiden 16:37, 9. Mär 2005 (CET)

Ist rekombinieren das richtige Wort in diesem Zusammenhang? Ich dachte immer, dass es ein ständiges Regenerieren, Rekombinieren, Regenerieren, Rekombinieren usw ist, damit die Elektroden an den oberen Rand des p-Substrates wandern können und die Majoritätsträger verdrängt werden. Und wenn dann irgendwann am oberen Rand kein Loch mehr vorhanden ist, können die ankommenden Elektronen nicht mehr rekombinieren und stehen dann als freie Landungsträger zur Verfügung. Ist das richtig? Wenn ja würde das so in der Art das "rekombinieren" in diesem Abschnitt etwas eindeutiger beschreiben, oder?

Außerdem finde ich sollte in diesem Abschnitt des Artikels die Sperrspannung erläutert werden, da sie ja z.B. unter "Bauformen" vorkommt. Ist es richtig, dass das die Spannung ist, bei der nach Anlegen einer Gatespannung am oberen Rand des p-Substrates genau alle Löcher besetzt sind? --Meike:-) 18:12, 19. Jan 2006 (CET)

neue einleitung

Hi, in der "neuen Einleitung" von 19.12.05 steht „3 Anschlüssen (Elektroden): G (Gate), D (Drain), S (Source)“, das stimmt nur bedingt. Bei der Modelierung der Transistoren ist auch der Bulk-Anschluss (Masse, auch Body) nicht zu vernachlässigen. Dieser beeinflußt zumindest bei High-End Anwendungen durch seinen Einfluß auf die Kapazitäten, die Transistoreigenschaften. --Cepheiden 14:47, 19. Dez 2005 (CET)

Hi! Ich habe soeben die Einleitung noch einmal stark verändert. Ich denke, die Einleitung sollte möglichst allgemein gehalten werden. Da interessiert niemanden, wie man mit einem FET einen einfachen und nichtlinearen Temperaturregler aufbaut (das ist Schaltungstechnik) oder warum das Substrat mit Source verbunden wird (das steht jetzt weiter unten). Du hast Recht, der Bulk-Anschluss ist schon wichtig. Da er aber nur in wirklich speziellen Fällen nach außen geführt wird, habe ich das ganze etwas abgeschwächt. LG --BataillonDAmour 05:57, 29. Dez 2005 (CET)

Vorurteil leistungslose Ansteuerung

Ich habe den Absatz " Der entscheidene Vorteil gegenüber bipolar ist ..." gestrichen, da dies so nicht stimmt. Es scheint ein verbreitetes Vorurteil zu sein, das MOS-Transistoren leistungslos angesteuert werden können, also quasi ohne Strom. Der Strom, der benötigt wird, um das Gate umzuladen, ist nicht zu vernachlässigen. Gerade bei bei HF-Anwendungen ist der Strom, der zur Ansteuerung eines MOS-Transistors benötigt wird, um ein Vielfaches höher, als der Strom, der Ansteuerung eines BIP-Transistors benötigt wird. Der entscheidene Nachteil des BIP-Transistors ist, dass jeder einzelnes Transistor, im Gegensatz zum MOS, eine eigene Isolierung benötigt. Moderne Technologien, die zur Isolierung ein Oxid statt eines PN-Überganges verwenden, ermöglichen Frequenzen bis zu 200GHz und ermöglichen eine höhere Integrationsdichte.

HF-MOS Schaltungen sind in der Regel stromhungriger als BIP-Schaltungen! Aber, und das ist entscheidend, sie sind billiger in der Herstellung.

Leppo, 27.1.6(nicht signierter Beitrag von 84.154.59.179 (Diskussion) 22:34, 27. Jan. 2006 (CET))

Also in der Literatur (zB Klaus Beuth - Bauelemente (Elektronik 2) - Vogel Verlang, Seite 213) wird von einer nahezu leistungslosen Schaltung geredet. Genauso findet man diese Information auf so gut wie allen Internetseiten zu dem Thema. Bist du dir da wirklich sicher? Waere schon komisch wenn so ein Fehler so oft in der Literatur auftaucht.

fame, 01.12.07(nicht signierter Beitrag von 87.234.117.236 (Diskussion) 22:30, 1. Dez. 2007 (CET))

Hier sollte zwischen dem quasistatischen Betrieb von idealen MIS-Transistoren und dem Betrieb von MIS-Transistoren in aktuellen Mikrochips untershciedne werden. Im Idealfall ist der Betrieb von MIS-FETs nahezuleistungslos. Durch häufige Schaltvorgänge muss allerdings das Gate umgeladen werden. Dieser Stromfluss verursacht natürliche eine Verlustleistung. Bei modernen FETs kommen dann noch Leckströme durch sehr dünne Gates usw. hinzu. So dass deine CPU mitnichten "nahezu leistungslos" betrieben werden kann. Die Leistungsverluste sind natürlich um ein vielfahces geringer als vergleichbare Bipolartransistoren. Immerhin sind in heutigen Prozessoren mehere Millionen Transistoren. --Cepheiden 11:45, 2. Dez. 2007 (CET)

Weitere Themen

1. Kapazität über Arbeitsbereich (Verarmung, Inversion, ...)
2. Kennlinien!
3. VMOS-FET

(nicht signierter Beitrag von 84.172.222.158 (Diskussion) 21:32, 25. Dez. 2005 (CET))

• Kleinsignalersatzschaltbild in Sättigung.

--84.56.210.200 10:37, 9. Feb. 2010 (CET)

MISFET

Hallo,

du schreibst, dass statt MOSFET auch der Name MISFET verwendet wird. Vielleicht kannst du dann auf der Seite "Transistor", Unterkapitel "Varianten von Transistoren" einen Link von MISFET auf deinen Artikel oder auf den MISFET-Artikel setzen. Denn dort, auf der Transistor-Seite, ist MISFET nicht verlinkt, sondern als "diese Seite existiert noch nicht" deklariert.(nicht signierter Beitrag von 217.82.190.136 (Diskussion) 13:26, 23. Aug. 2006 (CEST))

Wer ist "Du"? MISFET ist der Überbegriff für Transistoren mit isoliertem Gate (daher auch die alternative Bezeichnung IGFET, isolated gate field-effet transistor). MOSFET ist deswegen ein spezieller MISFET, weil hier nur Oxide (meist SiO2) als Dielektrikum genutzt werden. MOSFET ist in der hinsicht auch ein Synonym für MISFET, weil er die mit Abstand meistgenutzte Vaiante darstellt. Das müsste man evtl. alles in den Artikel klar formulieren, da geb ich dir Recht. --Cepheiden 16:29, 23. Aug 2006 (CEST)

Mir ging es nur darum, dass die einzelnen Artikel untereinander verlinkt werden sollten, weil man von der "Transistor"-Seite aus nicht direkt zu MISFET kommt, von hier aus aber schon.(nicht signierter Beitrag von 217.82.172.178 (Diskussion) 10:10, 25. Aug. 2006 (CEST))

Funktionsprinzip (erl.)

Hallo - ich bin von dem Artikel fasziniert. Es ist wissenschaftlich unheimlich viel erklärt. Das, was ich aber gesucht hatte, war mehr eine einfache Prinzipskizze, also ein Funktionsbeispiel. Das zweite und dritte Bild auf dieser Seite hätten alles erklärt, was ich als Mensch der Praxis wissen wollte. Könnte man diese auf für physikalisch nicht so bewanderte Leute irgendwie in den Artikel einbauen? Grüße --77.22.191.78 22:40, 30. Dez. 2009 (CET)

Hallo. Ja, viel erklärt, aber für Laien, leider in weiten Teilen unverständlich. Aber das schreibst du ja selbst. Die Bilder sind recht anschaulich, so dass man schnell weiß, was überhaupt geschaltet wird. Das wird im aktuellen Artikel fast garnicht verdeutlicht, und wenn dann nur indirekt. Ich werd die Tage, wird wohl erst in 14 Tagen, mal eine entsprechende Grafik erstellen und sie im Abschnitt "Aufbau und Funktionsweise" einbauen. Danke für die Hinweise. --Cepheiden 22:54, 30. Dez. 2009 (CET)

So, die Grafik ist doch schneller fertig. --Cepheiden 12:06, 1. Jan. 2010 (CET)

optimalerweise müssten den $U_{DS}$ Pfeile evtl. außerhalb der Lampe angesetzt werden, da $U_{DS}$ nichts mit der Lampe zu tun hat -- Tillmann Walther 10:53, 9. Feb. 2010 (CET)

Da hast du recht, reicht es auch wenn wir einfach die übliche Bezeichung $U_{DD}$ für die Versorgunsspannung nehmen? --Cepheiden 10:59, 9. Feb. 2010 (CET)

Mhh, ich bin mir unsicher, ob da nicht noch mehr Sachen nicht ganz korrekt sind. Ich schau mir das die Tage nochmal an. --Cepheiden 11:04, 9. Feb. 2010 (CET)

Zuordnung der Source- und Drain-Gebiete bei PMOS und NMOS

Müsste man hier nicht "Bulk" durch "Drain" ersetzen? --Flowzn 19:21, 13. Okt. 2010 (CEST)

Ja, Bulk ist falsch. Ich habe den ganzen Absatz mal neu formuliert. Jetzt fehlt nur noch eine Quelle. --Cepheiden 20:04, 13. Okt. 2010 (CEST)

Hinweis: Beim Einbau 2009 wurde leider kein Einzelnachweis angegeben. --Cepheiden 20:29, 13. Okt. 2010 (CEST)

Leistungs-MOSFET

Bitte an entsprechender Stelle Verweis auf Leistungs-MOSFET oder Diskussion über Zusammenführung beider Artikel --Tumi 01:34, 10. Dez 2004 (CET)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. -- Cepheiden 13:23, 6. Dez. 2010 (CET)

DMOSFET

Der Absatz ist eine sinnentleerte Aneinanderreihung von nicht weiter erklärten Worten. Entweder da wird das Ding sinnvoll beschrieben, oder der Absatz fliegt raus. Weissbier 06:59, 22. Feb. 2007 (CET)

Hi Dickbauch! Ich weis, Du tust dich bisschen schwer mit so kram, aber ∂ und nochn anderer haben sich Mühe gemacht, um aus dem Ding einen akzeptablen Abschnitt zu machen und ich respektiere das. Ins Deutsche übersetzen würde natürlich nicht schaden, aber bei einer Sammlung des gesamten Wissens seiner Zeit kann nicht jeder Fachbereich in jedem Winkel für jeden Unbeschriebenen völlig verständlich formuliert sein. Das liegt in der Natur der Sache. Ausserdem würde ich es begrüssen, wenn Du deine Signatur aus einem Artikel im Hauptnamensraum nehmen würdest und etwas mehr Höflichkeit an den Tag brächtest. -- Count Edit 07:58, 22. Feb. 2007 (CET)

*plonk* Weissbier 08:05, 22. Feb. 2007 (CET)

Na toll, nach der Entfernung der verschobenen Informationen hat der Redirect vom DMOSFET-Artikel hierher auch keinen Sinn mehr. --Cepheiden 08:38, 22. Feb. 2007 (CET)

Zur Info für die Nachwelt: [1] --Cepheiden 13:26, 6. Dez. 2010 (CET)

Verarmung/Anreicherung

Wird bei einem Anreicherungstyp (Beispielbild) die Zone unterhalb des Gates trotzdem Verarmungszone genannt? Ich hätte jetzt hier eine "Anreicherungszone" erwartet. (nicht signierter Beitrag von 195.145.24.66 (Diskussion) 09:39, 9. Mär. 2009 (CET))

Wenn es um Anreicherung geht, wird es natürlich auch Anreicherungszone genannt. --Cepheiden 13:27, 6. Dez. 2010 (CET)

Handhabung

In der einschlägigen Literatur ( vor allem in Büchern aus den 1960er/1970er Jahren) liest man sehr viel, wie leicht MOSFETs durch statische Aufladungen zerstört werden können. Gilt dies auch noch für moderne MOSFETs? Bitte dieses Kapitel ausbauen. (nicht signierter Beitrag von 91.46.247.116 (Diskussion | Beiträge) 20:30, 25. Apr. 2009 (CEST))

Siehe Abschnitt "Handhabung" --Cepheiden 13:28, 6. Dez. 2010 (CET)

Kann man MOSFETS parallel schalten?

Wie kann man Leistung über mehrere Mosfets aufteilen? Ich finde über Google nur Forenbeiträge aber niemanden der richtig Ahnung hat. -- 89.0.154.77 01:08, 5. Jan. 2011 (CET)

Ja, das geht prinzipiell, denn es gint keinen Grund warum man das nicht machen könnte. Es wird meines Wissens auch in aktuellen Mikoprozessoren, die ja im Wesentlichen nur einen MOSFET-Typ (gemeint ist nicht p- oder n-Kanal, sondern die Weite und Länge des Gates usw.) nutzen, auch so angewendet. Um mehr Leistung zu Übertragen werden dann auch MOSFETs parallel geschaltet. Die Realität ist dann aber noch etwas komplexer. --Cepheiden 07:00, 5. Jan. 2011 (CET)

MOSFETs im Schalterbetrieb lassen sich sehr gut parallel schalten. Da muss man nichts dazu tun. Schlecht schaut es dagegen bei linear gesteuerten MOSFETs aus, denn die Streuung und Temperaturabhängigkeit von U_th ist erheblich. Dazu weiß ich allerdings nichts näheres. ~ Stündle (Kontakt) 19:09, 15. Jan. 2011 (CET)

dotiertes Polysilizium als Gate-Material seit 1980?

Ich möchte hier hinzufügen, dass ich aus eigener Erfahrung, der Analyse von frühen Mikroprozessoren des Hauses INTEL und der Literatur dazu weiß, dass es mindestens seit 1971 IC's gab, die dotiertes Poly-Si als Gatematerial verwendeten. Dies waren die p-Kanal Schaltkreise INTEL i8008 (µP) und Intel i1702A (EPROM). EPROM in Floating Gate - Technologie konnten eigentlich nur mittels Si-Gate Technologie hergestellt werden. N-Kanal IC's (ebenfalls µP - i8080 und EPROM, i2708) wurden ab ca. 1974/1975 von INTEL ebenfalls in Si-Gate-Technologie auf den Markt gebracht. Siehe auch den Aufsatz von Dov Frohman-Bentchkovsky: D. Frohman-Bentchkovsky,. “A fully decoded 2048-bit electri- cally programmable MOS ROM,” in ZSSCC Dig. Tech. Papers,. Feb. 1971, pp. 80-81. ...

Gunti1470 (nicht signierter Beitrag von 217.92.170.97 (Diskussion) 14:47, 6. Apr. 2011 (CEST)) 

Danke, für den Hinweis, bei der Erstellung des Artikels hatte ich leider keine Quelle für die erste Einführung dieser Technik. Ich werde das bei Gelegenheit versuchen zu prüfen und ergänzen. Alternativ kannst auch du die tun (Seit mutig). Bitte vergiss aber nicht eine brauchbare Quelle anzugeben. Grüße --Cepheiden 17:55, 6. Apr. 2011 (CEST)

Abbildung Ausgangskennlinienfeld

1. Die Ausgangskennlinien (U_GS=1V, U_GS=2V, U_GS=3V, ...) der Abbildung haben im Sättigungsbereich immer den gleichen Abstand. Das ist falsch, da U_GS quadratisch in die Stromgleichung für den Sättigungsbereich eingeht. Die Abstände müssen also mit steigendem U_GS größer werden.

1. Die Ausgangskennlinien der Abbildung verlaufen im Sättigungsbereich nicht parallel zur x-Achse. Laut Stromgleichung im Unterabschnitt Sättigungsbereich sollten sie das jedoch tun. Oder es sollte erwähnt werden, dass die Abbildung sich auf einen Transistor mit Kanallängenmodulation bezieht. (nicht signierter Beitrag von 91.89.190.5 (Diskussion) 16:21, 17. Aug. 2011 (CEST))

Kommentar zu 1. und 2.: Für kurze Kanäle würde die lineare Abhängigkeit des Stromes von U_GS sowie die Steigung im Sättigungsbereich wieder stimmen. Ich habe dies geändert. Allerdings würde hier eine idealisierte Kennlinie den Leser weniger verwirren. Gizz Mo Lee (Diskussion) 13:16, 21. Jun. 2012 (CEST)

Widerstand am Gate?!?

Ich sehe bei Schaltungen oft einen Widerstand (z.B. 100 Ohm) in Reihe zum Gate, beispielsweise wo ein NE555 IC über einen 100 Ohm Widerstand einen BUZ11 ansteuert. Nun frage ich mich nach dem Sinn dieses Widerstands, da hier ja im Prinzip kein Strom fließt. Aufgrund kapazitiver Effekte am Gate könnte ich mir sogar vorstellen, dass der FET damit langsamer schaltet. Kann man so einen Gate-Widerstand einfach weglassen (also überbrücken)? Hat das irgendwelche Nachteile? Oder ist der Widerstand aus irgend einem Grund wichtig? Wer weiß etwas darüber? --87.180.127.68 22:22, 2. Mai 2013 (CEST)

• Es fließt schon Strom, nämlich beim Schalten, da das Gate ja eine relativ große Kapazität darstellt. Ohne Widerstand würde dieser theoretisch nicht beschränkt.
• Ein leicht langsameres Schalten des FETs erhöht zwar die Schaltverluste, erzeugt aber auch weniger Störungen.
• Letztendlich bringt der Widerstand eine Entkopplung zwischen Steuerung (NE555) und Leistungsteil (MOSFET). Wenn der MOSFET eine externe Leitung ansteuert, und dort von außen Störungen auf dem MOSFET kommen, bekommt der NE555 dank des 100 Ohm - Widerstandes wesentlich weniger ab. Das erhöht die EMV-Störfestigkeit.

Gruß --Akapuma (Diskussion) 15:03, 23. Aug. 2013 (CEST)

Parameter m

Der Parameter m wird mehrfach im Artikel verwendet, jedoch an keiner Stelle erklärt. (nicht signierter Beitrag von 141.30.123.16 (Diskussion) 08:59, 7. Mai 2012 (CEST))

Hallo, m ist der Emissionsfaktor im Unterschwellenbereich und üblicherweise wird dafür n genutzt. Ich habe aber nur eine Stelle im Artikel gefunden an der m bzw. n genutzt wird. --Cepheiden (Diskussion) 18:47, 16. Jan. 2014 (CET)

FOM

Wie werden MOSFETs verglichen? (nicht signierter Beitrag von 87.162.2.155 (Diskussion) 12:42, 16. Jan. 2014 (CET))

Kommt auf den Vergleich an, Transistorarten kann man natürlich hinsichtlich Funktion, Aufbau usw. vergleichen. Ansonsten kann man MOSFETs /wie auch Transistoren im Allgemeinen) anhand ihrer elektrische Daten vergleichen, Schwellspannung, Leckströme, Kapazitäten, max. Schaltfrequenz uvw. --Cepheiden (Diskussion) 18:20, 16. Jan. 2014 (CET)

Kennlinie im Sättingsgungbereich

Im Figurentext zur Kennlinie wird im Sättigungsbereich dem Strom I_DS ein linearer Zusammenhang gegenüber U_GS attestiert. Im Text dann sieht man aber eine quadratische Abhängigkeit im Sättigungsbereich, eine lineare Abhängigkeit allerdings im linearen Bereich. Wie passt das jetzt zusammen? In der englichen Version ist auch die quadratische Abhängigkeit zu sehen. Daher gehe ich mal davon aus, dass die Grafik hier falsch ist? --134.3.123.48 12:28, 23. Mär. 2014 (CET)

Hallo, ja da stimmt etwas nicht. Ich werde die UGS-Abhängigkeit in der Grafik mal korrigieren und auch den merkwürdigen Verweis auf die Kanlalängenmodulation entfernen. --Cepheiden (Diskussion) 17:26, 23. Mär. 2014 (CET)

Bulk-Anschluss besser erklären

Ich musste auf anderen Seiten nachforschen, was der Bulk ist und dass er bei den meisten MOSFETS direkt mit dem Source-Anschluss verbaut wird.

Es wäre schön, wenn Jemand das etwas verständlicher erklären könnte. (nicht signierter Beitrag von 46.5.19.39 (Diskussion) 14:21, 23. Nov. 2014 (CET))

Wieso auf anderen Seiten? Im Text steht doch: „Bei einigen Bauformen wird ein zusätzlicher Anschluss B (bulk, Substrat) nach außen geführt. Meistens ist das Bulk jedoch intern mit Source verbunden.“ --Cepheiden (Diskussion) 14:40, 23. Nov. 2014 (CET)

Ich hab' versucht, den Anschluss zu erklären und was passiert, wenn man eine Spannung an ihn anlegt. Eine Schaltung, in der jemand diese jemals Möglichkeit jemals bei einem MOSFET, der nicht in einen IC integriert ist, gewinnbringend ausgenutzt hat, habe ich aber bisher nur in Bastelbüchern aus der Anfangszeit der MOSFETs gesehen. Peterpall (Diskussion) 22:47, 24. Jan. 2015 (CET)

Um dazu bin ich zuwenig Designer/Device-Ingenieur. Aber der Bulk-Anschluss wird vor allem genutzt um das Bulk oder die Wannen auf definierte Potentiale zu legen. Das soll unter anderem verhindern, dass die Wannen/Bulk sich durch nicht abfließende Ladungen auflädt. Ich weiß nicht ob ich dazu komm, aber ich versuche mal in den Standardwerken zu schauen. --Cepheiden (Diskussion) 15:43, 25. Jan. 2015 (CET)

Schaltzeichen Norm

m.E. sind auch Schaltzeichen genormt. Auf jeder Blödipedia Seite werden andere Symbole hergenommen, einmal mit und auch ohne Krei herum - könnt Ihr Euch nicht einigen?--91.34.196.43 22:42, 20. Mär. 2015 (CET)

Der Kreis steht meines Wissens nach für gehauste Transistoren. Sollte man mal in den Text einfügen und belegen. -- Cepheiden (Diskussion) 23:41, 20. Mär. 2015 (CET)

VMOS-FET

Der letzte Satz in diesem Abschnitt bezieht sich wahrscheinlich auf beide Varianten - nicht nur auf die davor genannte vertikale. (In dem Fall müssten die Verben ja in der Einzahl stehen.) Zur Verdeutlichung sollte darum das erste "sie" (nach "ermöglichen") durch "VMOS-FETs" (oder "beide") ersetzt werden. --Friedelh22 (Diskussion) 16:44, 25. Apr. 2016 (CEST)

Erledigt, du darfst solche Änderungen auch gerne selbst vornehmen. --CaZeRillo (Diskussion) 10:23, 6. Mai 2016 (CEST)

Bodydiode oder Body-Diode

Bitte im ganzen Artikel (und in der Zeichnung) konsequent entweder "Bodydiode" oder "Body-Diode" als Schreibweise verwenden. Hatte zuerst ziemlich Mühe mit der Suchfunktion, da es innerhalb des Artikels auf 2 verschiedene Arten geschrieben steht. Welche die Richtige/Bessere ist, weiss ich allerdings nicht. Eine Suche innerhalb von deutschem Google hat ziemliches Unentschieden ergeben, taugt also auch nicht zur Entscheidungsfindung. Also "Body-Diode" verwenden, dann muss immerhin die Zeichnung nicht geändert werden... -- Blunino 19:22, 3. Mai 2011 (CEST)

Ich sehe nur 1x im Text und 1x in einer Grafik "Body-Diode". Denke das hat sich erledigt. --Cepheiden (Diskussion) 21:30, 7. Dez. 2017 (CET)

Kanalweitenmodulation nur im Sättigungsbereich

Laut meinem Professor wird der Faktor für die Kanalweitenmodulation nur im Sättigungsbereich multipliziert, und nicht wie es hier erwähnt war "aus Stetigkeitsgründen" auch im linearen Arbeitsbereich. (nicht signierter Beitrag von 89.13.101.180 (Diskussion) 13:03, 16. Okt. 2014 (CEST))

Hallo, das ist richtig. Sollte aber auch schon 2014 im Text als Bedingung gestanden haben. --Cepheiden (Diskussion) 21:29, 7. Dez. 2017 (CET)

Formel für die Kanalweitenmodulation

In allen Quellen, die ich spontan finde, lautet die Formel für den Strom in Sättigungsbereich

$I_{\mathrm {DS} }=I_{\mathrm {DS0} }\cdot \left(1+\lambda \cdot U_{\mathrm {DS} }\right)$

und nicht wie im Artikel $I_{\mathrm {DS} }=I_{\mathrm {DS0} }\cdot \left(1+\lambda \cdot \left(U_{\mathrm {DS} }-U_{\mathrm {DS,sat} }\right)\right)$ Oder ist mit $I_{\mathrm {DS0} }$ etwas anderes gemeint, als ich darunter verstehe, nämlich dem Strom im Sättigungsbereich ohne Kanallängenmodulation. --Maggyrz (Diskussion) 22:30, 16. Mär. 2015 (CET)

Das kam mit dieser Änderung rein: Spezial:Diff/61966011. Diverse Bücher ist leider nicht nachvollziehbar. Ich habe das mal entsprechend der Literatur korrigiert. --Cepheiden (Diskussion) 21:26, 7. Dez. 2017 (CET)

spannungspfeile abb falsch

Als Beispiel sei der selbstsperrende n-Kanal-MOSFET (Anreicherungstyp) gegeben.

die spannungen sind falsch herum gepfeilt// das heißt gepooohholt! (nicht signierter Beitrag von 188.104.143.188 (Diskussion) 23:46, 21. Mai 2017 (CEST))

Kannst du bitte sagen, welche Abbildung genau gemeint ist? --Cepheiden (Diskussion) 20:42, 7. Dez. 2017 (CET)

Oma? Hast du was verstanden?

Dass ein MOSFET keine Häkelnadel ist, ist mir auch klar. Aber dieser ganze Artikel ist ein heilloses Durcheinander und schon in der Einleitung völlig unverständlich. Es ist der typische Fall eines Artikels von Expert:innen für Expert:innen. Ja, Wikipedia ist kein Lehrbuch, aber das Oma-Prinzip gilt nach wie vor! Zitat: "In ihrer ursprünglichen und auch heute noch oft verwendeten Form sind sie durch einen Schichtstapel aus einer metallischen Gate-Elektrode, einem Halbleiter und dem dazwischen befindlichem oxidischen Dielektrikum bestimmt. Dies stellt eine Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur dar, weshalb man verallgemeinert auch von Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET) sprechen kann, die auch Varianten mit nicht-oxidischen Dielektrika umfassen." Alles klar? Schichtstapel? Gate-Elektrode? Oxidisches Dielektrikum, das im Satz darauf auch gleich wieder nicht oxidisch sein kann? Das hat was vom dozentischen Trivial, vulgo: "Wer nicht kapiert, was ich sagen will, hat in meiner Veranstaltung (meinem Artikel) nix verloren!" Weiters: "Metal-Isolator-Halbleiter" = MIS. Kann ich noch so eben mit leben, da ja in der Übersetzung "Halbleiter = Semiconductor" steht. Ich plädiere auch nicht dafür, international übliche Abkürzungen zwanghaft einzudeutschen. Aber dann bleibe man bitte bei "Isolator" und benutze weiter unten nicht auf Biegen und Brechen "Nichtleiter"! Dass das im Groben dasselbe ist, ist mir klar, und auch Leuten mit 9. Klasse Gymnasium, aber Oma sicher nicht!

So. Ich bin auch kein Freund von Einleitungen, die halbe allgemeinere Artikel wiederholen. Aber eine Einleitung wie "Ein MOSFET ist ein ->Transistor, und ein Transistor ist ein ->elektronischer ->Schalter. Er ist ein ->Feldeffekttransistor und gehört wie sein enger Verwandter, der ->bipolare Transistor, zu den ->Halbleitern. Transistoren funktionieren ähnlich wie Wasserhähne: Je weiter man sie aufdreht, desto mehr ->Strom fließt durch sie. Anders als bipolare Transistoren, die umso mehr Strom durchlassen, je mehr Strom man an ihr "Ventil" anlegt, passiert dies bei MOSFETs über eine angelegte ->elektrische Spannung. Der sogenannte Feldeffekt bewirkt dies und wird nachfolgend beschrieben." wäre mein Vorschlag. Der ist bestimmt nicht perfekt, aber nen Block verdient dieser Artikel auf jeden Fall. Drum hab ich ihn mal gesetzt. -- Cp70.de (Diskussion) 18:52, 7. Mär. 2022 (CET)

Und warum wirfst du einen Baustein rein, statt zu verbessern? --Smial (Diskussion) 14:08, 8. Mär. 2022 (CET)

+1 Sei mutig! Inhaltlich bitte aber Bipolartransistoren nicht als enge Verwandte bezeichnen. Oder leitest du den Artikel Apfel auch über eine eng verwandschaft zu Birnen ein? Meiner Meinung nach ist die Länge der Einleitung noch okay, vor allem in Bezug auf den Gesamtartikel--Cepheiden (Diskussion) 16:51, 12. Mär. 2022 (CET)

Na gut, dann mache ich das mal, aber ich wette, der Revert kommt stehenden Fußes ^.^ --Cp70.de (Diskussion) 14:55, 16. Mär. 2022 (CET)

Nungut, was mir nicht an der neuen Einleitung gefällt, ist das die Einornung des MOSFET in die Welt der Transitoren unsauber ist. Die Obergruppen wie MISFET > IGFET > Feldeffekttransistor sind genauso entfallen wie die zugrundliegende Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur. Das finde ich ist keine Verbesserung. Des Weiteren nutzt du zunächst die Einleitung um den Begriff Transistor zu beschreiben, das sollte (wie üblich in der Wikipedia) nicht erneut erklärt werden, sondern per Verknüpfung erfolgen. Auch die Verknüpfung von Polysilizium auf Polysiliziumverarmung, ist zwar sinnvoll, ist aber nicht intuitiv und verbessert auch nciht die Allgemeinveständlichkeit. --Cepheiden (Diskussion) 09:26, 20. Mär. 2022 (CET)

Ursprung der Elektronen im P-Subtrat

Vielleicht sollte man erwähnen, wo die Elektronen aus dem P-Subtrat herkommen? Ist ja erst mal nicht klar. Folgendes Zitat aus Göbel: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik (genau genommen von der beigelegten CD) könnte man dazu benutzen:

"Wird die Spannung am Gate weiter erhöht, so dass schließlich die Einsatzspannung überschritten wird (UGB>Uth,n), werden Elektronen-Loch Paare generiert, wobei die positiven Löcher in das Substrat wandern, die negativen Elektronen jedoch von der positiven Elektrode angezogen werden, wo sie eine leitende Inversionsschicht bilden. Bei einem n-Kanal Feldeffekttransistor mit n-dotierten Source- und Drain-Anschlüssen stellt dieser Elektronen-Kanal eine leitende Verbindung zwischen Source und Drain dar: Ein Feldeffekttransistor leitet also, wenn die Gate-Source Spannung die Einsatzspannung überschreitet." -Emes2k 14:20, 24. Mär. 2009 (CET)

Hallo, ich bin mir nicht sicher, ob das eine bessere Beschriebung ist. Dass die Elektronen aus dem Substrat kommen steht ja drin. In dem Auszug klingt es hingegen so, als wenn die Gate-Spannung Ursache für die Generierung von Elektronen-Loch-Paaren ist. Das ist aber meines Wissens nach in diesem Fall nicht, sondern es ist die allgemeine thermische Anregung. Die Ladungsträgertrennung ist für den vorliegenden Detailgrad der Beschreibung okay, steht aber auch im Artikel. Ggf. müsste man Mängel nochmal genauer betrachten. Dein Verbesserungshinweis ist ja schon 13 Jahre alt. --Cepheiden (Diskussion) 14:12, 31. Jul. 2022 (CEST)

Ich stimme beiden Parteien zu. Es könnte erklärt werden, aber das Zitat ist keine gelungene Erklärung. Siehe Massenwirkungsgesetz des schwach dotierten Halbleiters unter Eigenleitungsdichte. Die Spannung verschiebt die Ladungen lediglich und beeinflusst nur das lokale Gleichgewicht. --Moritzgedig (Diskussion) 17:14, 2. Aug. 2022 (CEST)

unferti

Der Abschnitt " Spürbare Auswirkungen zeigt die Kanallängenmodulation bei Strukturgrößen von L < 1 µm. In Näherung lässt sich diesem Effekt durch folgende Näherungsgleichung Rechnung tragen, wobei der Kanallängenmodulationsparameter λ … wobei IDS0 der Transistorstrom ohne Berücksichtigung der ist. " ist mir unklar.
Da fehlt IMHO etwas. Kann das mal jemand mit detailierter Kenntniss der Zusammenhänge überarbeiten? Horst Emscher (Diskussion) 13:32, 17. Apr. 2018 (CEST)

Hallo, das Problem kann ich leider nicht nachvollziehen. -- Cepheiden (Diskussion) 14:20, 31. Jul. 2022 (CEST)