Diskussion:Siliciumcarbid

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Letzter Kommentar: vor 11 Monaten von 217.229.57.33 in Abschnitt Hochspannungsvaristor
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Diese Diskussionsseite dient dazu, Verbesserungen am Artikel „Siliciumcarbid“ zu besprechen. Persönliche Betrachtungen zum Thema gehören nicht hierher. Für allgemeine Wissensfragen gibt es die Auskunft.

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Frage

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Hätte eine Frage, deren Antwort eventuell in den Artikel eingebaut werden könnte: Die Schmelztemperatur von SiC liegt bei ca. 2830°C. Nun habe ich gelesen, dass die Zersetzungstemperatur aber schon bei 2000°C liegt, d.h. das Material dissoziiert. Wie kann die Schmelztemperatur höher liegen? Ich hoffe, das ist keine dumme Frage. Bitte trotzdem um Antwort.

  • Ist keine dumme Frage, denn wenn man schmökert, kommt verschiedenes zu Tage. Was wohl stimmt, ist SiC bei Normaldruck nicht schmilzt (Gmelin, Handbuch der anorganischen Chemie, Band Silciumcarbid), sondern sich bei 2830°C zersetzt. Im Handbook of Chemistry and Physics steht, dass SiC sich bei ~2700°C zersetzt...Werde im Artikel mal schauen, was da zu korrigieren ist. --Leumar01 11:33, 13. Jul 2006 (CEST)
Von welchem Jahrgang sind die Bücher? --Cepheiden 11:50, 13. Jul 2006 (CEST)
...schon etwas älter: Gmelin 8th Edition, 1986, und Handbook 69th Edition, 1988/89, sind halt die Dinger, die mir verfügbar sind. Neuere und vielleicht korrektere Daten wären natürlich besser. --Leumar01 10:26, 17. Jul 2006 (CEST)
Ich hab mal ins Handbook 75th Edition geschaut (glaub 1998) da steht für α- und β-SiC 3070 K --Cepheiden 11:25, 17. Jul 2006 (CEST)
Das zu messen, ist scheint wohl ein ziemlich dickes Problem zu sein. Die Unsicherheit mit der Temperatur sollte im Artikel dann wohl erscheinen; dass es keinen Schmelzpunkt hat, scheint aber doch sicher zu sein, oder? --Leumar01 12:39, 17. Jul 2006 (CEST)
SiC fängt schon bei weitaus niedrigeren Temperaturen an sich im Vakuum zu "zersetzen". Es graphitisiert bereits bei 1280°C, d.h. das Silizium sublimiert aus dem Festkörper heraus und es bleibt der Kohlenstoff als Graphit zurück. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 131.188.164.174 (DiskussionBeiträge) 12:31, 21. Mai 2008 )
Das ist ja sehr schön, dass du Informationen zu diesem Thema beiträgst. Mit Quellen wäre es allerdings deutlich besser nachzuvollziehen. Grüße--Cepheiden 08:44, 22. Mai 2008 (CEST)Beantworten

auch eine Frage

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geht die Passivierung bei Bildung der SiO2-Schicht mit einer Volumenaenderung ein her? Wenn ja, Dehnung oder Schwindung? vlg und Danke! (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von 218.56.102.171 (DiskussionBeiträge) 07:43, 8. Jul. 2008 )

Wenn Sauerstoffatome dazukommen und Kohlenstoffatome verschwinden, nimmt die Masse zu. Die Dichte von SiC liegt bei 3,2 und die von SiO2 bei 2,6. Wenn man annimmt, das für jedes SiC ein SiO2 Platz einnimmt, ist deshalb zu erwarten, dass das Volumen zunimmt; die SiC-Oberfläche bzw. -Haut wird durch eine dickere SiO2-Oberfläche bzw. -Haut ersetzt. In der Hoffnung, dass kein Denkfehler drin steckt.... --Leumar01 09:14, 8. Jul. 2008 (CEST)Beantworten

hoert sich recht plausibel an, danke!(nicht signierter Beitrag von 218.56.102.171 (Diskussion) 10:33, 8. Jul. 2008 (CEST))Beantworten

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Ich habe den Link auf Carborundum entfernt, da er mittlerweile nur noch ein Redirect auf den Artikel selbst ist.-- FoxtrottBravo 12:31, 20. Aug. 2009 (CEST)Beantworten

Fußnoten und Einzelnachweise

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Die Links der Fußnoten 19 und 21 funktionieren (zumindest beim mir) nicht.-- 62.159.30.170 13:51, 15. Mär. 2011 (CET)Beantworten

Auch wenn es lange her ist. Die Links der Fußnoten 19 und 21 funktionieren bei mir. Fußnote 20 wurde angepasst, die PDF hat wohl einen anderen Namen bekommen. --Farigon (Diskussion) 11:45, 15. Jan. 2013 (CET)Beantworten

Fußnote 10

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Der Primärspiegel des GREGOR-Teleskop sollte zwar aus Cesic hergestellt werden, konnte aber so nicht realisiert werden. Die Angabe im Text als größtes Einzelstück ist also überholt.--79.194.223.191 13:52, 18. Mär. 2013 (CET)Beantworten

Darüber bin ich auch gerade gestolpert, wieso wird das nicht berichtigt? (nicht signierter Beitrag von 62.157.91.9 (Diskussion) 10:02, 17. Okt. 2013 (CEST))Beantworten

Acheson-Verfahren

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Laut unterschiedlicher Literatur (vgl. Spannen: Grundlagen, B.Denkena, 2011; Technische Keramik, W. Kollenberg, 2004; u.a.)ist das Acheson Verfahren noch immer die einzige großtechnische Herstellungsmöglichkeit für SiC, der Verweis auf Norwegen legt aber die gegenteilige Vermutung nahe (außer es gibt keine SiC-Herstellung mehr in Europa außerhalb Norwegens). Die Frage ist jetzt, ob das stimmt oder ob die einfach alle, wie auch mein Uni-Prof. 1:1 seit ~1975 von E.H.P. Wecht abschreiben(diverse Bücher). Sonst ist der Absatz zwischen verwirrend und falsch einzuordnen.-- Flohhhh 14:12, 14. Feb. 2012 (CET)Beantworten

Der Satzteil nach dem Semikolon ist unvollständig. "Das Sägemehl wird verwendet, um zusätzlichen Kohlenstoff einzubringen; das Salz (SiC-grün) zur chemischen Reinigung von Schwermetallen und als gasförmige Chloride." Wer kann den Satz vervollständigen? --CarstenH (Diskussion) 23:01, 17. Dez. 2013 (CET)Beantworten

Fußnote 14, semisouth.com

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Fußnote 14 verlinkte auf eine englischsprachige Pressemitteilung des ISE, bei ihrem Lieferanten SemiSouth Lab. Diese Firma existiert nicht mehr, die Domain wurde von einem Diätproduktemarketingunternehmen übernommen, etwas, was man aus SPAM kennt.

http://msbusiness.com/blog/2013/03/29/high-tech-manufacturer-semisouth-laboratories-closes-after-decade-plus-run/

http://semisouth.com/wp-content/uploads/2011/05/press-release-fraunhofer-ise-sets-a-new-world-record-pdf-file_Jul_29_2009.pdf

Ich nehme an, daß folgender Artikel gemeint war, und obigen Link im Artikel korrigiert: http://www.ise.fraunhofer.de/de/presse-und-medien/presseinformationen/presseinformationen-2009/fraunhofer-ise-verbessert-eigenen-weltrekord-ueber-99-prozent-wirkungsgrad-bei-photovoltaik-wechselrichtern

Satzstellung

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Neu in der Materie, kann ich mir nicht erlauben, selbst zu korrigieren. Daher frage ich: Ist gemeint, dass SiC trotz quantitativ großen Abstands (hinsichtlich der Emissionseffektivität) ernstzunehmend mit Nitridhalbleitern konkurriert, z.B. weil es generell wenig Konkurrenten /Kandidaten gibt, oder weil die relevanten Größen derzeit noch großer Dynamik unterliegen? Falls das so ist, dann sollte man das Wörtchen liegt im Satz nach hinten schieben, um auch der deutschen Grammatik genüge zu tun. --217.225.56.218 12:07, 8. Okt. 2019 (CEST)Beantworten

Wurde nun durch Grottenolm geändert. Korrekturlesen durch IPs offensichtlich unerwünscht. Erfüllt ja nicht das Klischee vom nur motzen und nichts Konstruktives beitragen. --217.225.56.218 14:42, 11. Okt. 2019 (CEST)Beantworten
Es gibt keinen Anmeldezwang, Frechheit siegt = sei mutig! --217.229.57.33 07:35, 11. Dez. 2023 (CET)Beantworten

Chemische Eigenschaften

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Der Artikel sagt nicht viel darüber. Wahrscheinlich reagiert das Zeug mit so gut wie gar nichts, aber das sollte vielleicht auch erwähnt werden.--Giftzwerg 88 (Diskussion) 23:55, 6. Jun. 2021 (CEST)Beantworten

Hochspannungsvaristor

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SiC-Varistor - Lightning Arresters aka "Blitzfänger" Überspannungsschutz - 1930 als Thyrite patentiert

https://ieeexplore.ieee.org/document/5055515

Nachtrag: die Oschis heißen Überspannungsableiter ich muß also doch nichts mehr tun ;) Gruß --217.229.57.33 08:04, 11. Dez. 2023 (CET)Beantworten