Diskussion:Bipolartransistor/Archiv

Diese Seite ist ein Archiv abgeschlossener Diskussionen. Ihr Inhalt sollte daher nicht mehr verändert werden. Benutze bitte die aktuelle Diskussionsseite, auch um eine archivierte Diskussion weiterzuführen.

Um einen Abschnitt dieser Seite zu verlinken, klicke im Inhaltsverzeichnis auf den Abschnitt und kopiere dann Seitenname und Abschnittsüberschrift aus der Adresszeile deines Browsers, beispielsweise

[[Diskussion:Bipolartransistor/Archiv#Thema 1]]

oder als Weblink zur Verlinkung außerhalb der Wikipedia

https://de.wikipedia.org/wiki/Diskussion:Bipolartransistor/Archiv#Thema_1

Betreff Steuerung des Transistors

Im Kleinsignal-Ersatzschaltbild wird die Stromquelle am Ausgang entweder durch das Produkt der Stromverstärkung und des Basis-Stromes oder durch das Produkt der Steilheit (Vorwärtssteilheit) und der Basis-Emitter-Spannung beschrieben. In dem hier vorliegenden Artikel wird die erste Version bevorzugt und der Transistor als stromgesteuerte Stromquelle beschrieben. Ist diese Betrachtung nicht nachteilig gegenüber der Betrachtung der spannungsgesteuerten Stromquelle?
Die Stromverstärkung ist zum einen eine Funktion der Temperatur als auch eine Funktion des Kollektorstromes und ist meines Wissens nach nicht mittels einer Formel direkt beschreibbar (ich bin bis jetzt noch auf keine derartige Beschreibung gestoßen), da diese Effekte nicht proportional oder ähnliches sind. Im Gegensatz dazu ist die Vorwärtssteilheit direkt aus der Shockley-Gleichung ableitbar und beschreibt den Transistor über einen weiten Bereich sehr genau. Lediglich die beiden extremen Randbereiche (sehr niedriger bzw. sehr hoher Kollektorstrom) weichen von der Beschreibung auf Grund von verschiedenen Effekten ab. Ist demnach nicht die Beschreibung als spannungsgestuerten Stromquelle der Anderen vorzuziehen?

Also, einen Bipolartransitor mit einer spannungsgesteuerte Stromquelle modellieren kann, ist mir nicht bekannt. Soweit ich weis wird für die Ersatzschaltung beim Bipolar die stromgesteuert und für FET die spannungsgesteuerte Stromquelle genommen. Die Stromverstärkung beim Bipolar ist meiner Meinung nach nur temperaturabhängig (jedenfall im normalen Betriebsbereich). --Cepheiden 22:30, 12. Okt 2005 (CEST)

Da stellt sich die Frage wie der normale Betriebsbereich definiert wird. Schaut man sich zB mal ein Datenblatt an (als Beispiel: [1]), so kann man erkennen, dass sich die Stromverstärkung (in diesem Fall als hfe bezeichnet) schon in einem großen Rahmen ändern kann, wie in dem aufgelisteten Datenblatt als Funktion des Kollektorstromes. Natürlich wird man vesuchen den Arbeitspunkt günstig zu legen, aber bereits ein zehnfacher Kollektorstrom führt zu einer Reduktion der Stromverstärkung von ca. 180 auf 60.
In der Literatur (zB Tietze, Schenk - Halbleiter-Schaltungstechnik) werden je nach Betrachtung (Arbeitspunkteinstellung oder Signalübertragung) die stromgesteuerte oder die spannungsgesteuerte Betrachtung gewählt. Es stimmt, dass hier die stromgesteuerte Stromquelle als Einstellung benutzt wird. Dies wird aber nur für die AP-Einstellung benutzt, da dies aus dem Großsignal-Ersatzschaltbild nach Ebbers-Moll abgeleitet ist. Zur Signalübertragung, und das ist ja die eigentliche Aufgabe des Transistors, wird die Modellierung der spannungsgesteuerten Stromquelle benutzt.

--HohesC 08:10, 13. Okt 2005 (CEST)

---

Bei Zahlenangeben aus englischen Quellen hat man immer das Problem der unterschiedlichen Bezeichnungen englisch/deutsch. Wenn im amerikanischen von "Trillion" die Rede ist, sind 10¹² gemeint. Im deutschen ist eine Trillion 10¹⁸ (weil es im amerikanischen keine Milliarde, Billiarde usw. gibt). Hier müsste man sich anhand der Quelle sicherlich noch mal vergewissern, was genau gemeint war bzw. ob derjenige, der den Text ins deutsche übertragen hat, korrekt mit diesen Bezeichungen umgegangen ist.
Die englische Wikipedia äußert sich dazu so: http://www.wikipedia.org/wiki/Trillion Lukian 11:46, 11. Feb 2003 (CET)

Heise Online bezog sich auf Aussage von Moore mit 10¹⁸.
Heizer 12:18, 11. Feb 2003 (CET)

Ja, jetzt hab ich es auch gefunden: http://www.heise.de/newsticker/data/jk-11.02.03-000/ 12:51, 11. Feb 2003 (CET)

10⁹ -> Milliarde -> (en) Billion, auch in Amerika. Bei größeren Zehnerpotenzen wird es dann aber unübersichtlich, siehe: http://www.jimloy.com/math/billion.htm und natürlich: http://en.wikipedia.org/wiki/Names_of_large_numbers

---

Müsste es statt "Ein kleiner Strom auf der Basis-Emitter-Strecke kann dabei einen großen Strom auf der Emitter-Kollektor-Strecke steuern." nicht "Ein kleiner Strom auf der Basis-Emitter-Strecke kann dabei einen großen Strom auf der Basis-Kollektor-Strecke steuern." heißen? Oder bin ich jetzt im völlig falschen Film? TRauMa 15:36, 5. Apr 2004 (CEST)

"Emitter-Kollektor" ist richtig. Das ist genau der Witz beim Transistor, dass das Bisschen Basisstrom genügt, um den mehrere hundertfach stärkeren Strom zwischen Kollektor und Emitter zu steuern. -- Lukian 17:48, 5. Apr 2004 (CEST)

War ein Fehler in meinem Skriptum ;-) Aber danke für die schnelle Antwort! TRauMa 01:26, 6. Apr 2004 (CEST)

Es tut mir leid, aber auch nach mehrfacher Lektüre hat sich mir als Laien noch nicht erschlossen, was ein Transistor ist. --Benutzer:Moi 13:26, 10. Mai 2004 (CEST)

Versuch für Laien: Transistoren sind kleine Bauelemente, die als Verstärker oder Schalter praktisch in allen elektronischen Geräten enthalten sind: Im kleinen Taschenradio oder im Walkman einige wenige, im Handy -zigtausende und im Computer hunderte von Millionen. Ein einzelner Transistor ist eine kaum erbsengroße Kapsel aus Metall oder Plastik, die im Inneren eine ausgeklügelte Anordnung dreier Siliziumschichten enthält. An diesen Siliziumschichten sind drei Drähte angebracht, die aus der Kapsel herausragen. Einen Draht nennt man Basis, den zweiten Kollektor und den dritten Emitter. Was so ein Transistor gut kann, ist das Verstärken von Strom. Z.B. liefern Mikrofone sehr schwachen Strom, der im Takt der aufgenommenen Töne vibriert. Ein Lautsprecher, der Töne laut wiedergeben soll, braucht aber sehr viel stärkeren Strom, als das Mikrofon liefern kann. Und hier hilft der Transistor: durch die Anschlussdrähte, die Emitter und Kollektor heißen, kann man einen Strom schicken, der stark genug ist, um den Lautsprecher tönen zu lassen. Wenn man nun den schwachen Strom, den das Mikrofon erzeugt, gleichzeitig in den Basisdraht hineinschickt, dann schafft es der Transistor (denn genau das ist sein Job!), dass der starke Strom zwischen Emitter und Kollektor ganz genau mit gleichem Takt und gleicher Form vibriert, wie der schwache Basisstrom, der vom Mikrofon kommt: Der Transistor sorgt so durch seine Stromverstärkung dafür, dass unser Lautsprecher wirklich laut wiedergibt, was das Mikrofon gerade aufnimmt. Bleibt noch die Frage, wie Millionen von Erbsen in den Computer passen. Das kommt daher, dass die Transistoren im Computer extrem klein aufgebaut und in den Schaltkreisen ganz dicht gepackt sind: da passen Millionen in einen Fingerhut. -- Lukian 20:29, 10. Mai 2004 (CEST)

Arbeitsbereiche

Ist diese Formulierung nicht etwas unglücklich: Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt? -- Pjacobi 00:29, 3. Okt 2004 (CEST)

Strukturierung

folgende Vorschläge habe ich als jemand der sich als Lernender mit dem Thema beschäftigt:

• ich finde dieses Thema hätte es verdient neu strukturiert zu werden. Es gibt zum Teil rel. detaillierte Artikel, aber viele Informationen (Text, Bild, Formeln) tauchen mehrfach auf. Dies macht es gerade für Laien schwer einen Einstieg zu finden. Ich werde mich heute Abend mal an Modelle zur Funktionsweise von Transistoren machen.

• m.E. steht im Unterpunkt "Arbeitsbereiche" alles, was in "Verstärkungsfaktor" schon vorweggenommen wurde. gilt die genannte Formel für alle Arten von Transistoren ...?

viel angekündigt. -- Babylon_Inc 8:23, 8. Okt 2004 MESZ

Prima! Mach! -- Stahlkocher 09:26, 8. Okt 2004 (CEST)

Stört sich eigentlich niemand daran, dass beim Thema Transistor eigentlich nur auf den Bipolar Transistor eingegangen wird und das obwohl es dazu einen Extraeintrag gibt. Ich schlage vor die Bereiche Aufbau, Kennlinien, Arbeitsbereichem und Transistorschaltungen hier zu entfernen und sie beim Bipolarartikel einzubauen. Alternativ wären auch klare Hinweise darauf das es sich hier nur um den Bipolartransistor handelt in Ordnung, meinen ersten Vorschlag finde ich aber sinnvoller. --Cepheiden 17:40, 10. Feb 2005 (CET)

Du hast vollkommen recht. Ich würde im Artikel Transistor nur allgemeines schreiben, also ne Erklärung (für Oma) der Funktion und der Anwendungen , und die Historie. Detaillierteres (Bipolar-Transistorschaltungen, Kennlinien, detaillierter Aufbau usw) sollte dann in die Artikeln Bipolartransistor, FET usw., worauf man ja dann von hier verlinken kann.--Jdiemer 17:47, 10. Feb 2005 (CET)

Sollen wir dann die Änderung vornehmen? --Cepheiden 18:53, 13. Feb 2005 (CET)

Ja, hau rein! :-) Du hattest ja schon etwas geändert (Bipolar-Kennlinien von Transistor nach Bipolartransistor verschoben), aber das wieder rückgängig gemacht. Wieso? --Jdiemer 00:55, 16. Feb 2005 (CET)

Öhm, ich hab deutlich mehr kopiert. Die Kennlinien habe ich wieder zurück kopiert weil die sich auf Bipolar und FETs beziehen. --Cepheiden 15:33, 16. Feb 2005 (CET)

Oh ja, hab ich übersehen, sorry. Das Kapitel über Kennlinien sollte man aber aufbröseln nach Bip und FET, und für den Transistor-Artikel verallgemeinern. --Jdiemer 17:13, 16. Feb 2005 (CET)

Schaltzeichen

In meinen Büchern ist überall ein Kreis um den Transistor in den Schaltplänen. Welches Symbol ist richtig? --Trexer 16:49, 13. Feb 2005 (CET)

Sind beide richtig. Es gibt auch noch andere Schaltzeichen die ebenfalls die verschiednen Typen darstellen. Ich denke aber die hier dargestellten sind in Europa die am häufigsten verwendeten. --Cepheiden 18:52, 13. Feb 2005 (CET)

Gibt es da keine Norm? Also wenigstens für Deutschland? Danke sagt Trexer 18:56, 13. Feb 2005 (CET)

Sicher gibts da irgendwo eine DIN. Ich denk mal die DIN 40700-8 "Schaltzeichen; Halbleiterbauelemente" könnte eventuell weiterhelfen. Da hab ich aber jetzt keinen Zugriff drauf. Denk auch nicht das es so wichtig ist, denn z. B. in den meisten Design Programmen wird eh die US-Symbolik verwendet. Ist das so wichtig? Ich mein üblich sind die im Artikel, genauso wie die mit Kreis drumrum. Im Titzke-Schenk wird auch die Symbolik ohne Kreis benutzt. --Cepheiden 19:29, 13. Feb 2005 (CET)

Für mich persönlich auch nicht, aber wenn man in Physik einen wissenschaftliche Arbeit dazu verfassen soll ist es schon von Bedeutung. Mir scheint das ohne Kreis ist eher technisch und das mit eher physikalisch. --Trexer 20:43, 13. Feb 2005 (CET)

Es ist nur das Symbol ohne richtig, außer der Kollektor wäre mit dem Gehäuse verbunden, wobei dies dann mit einem Punkt an der Kreuzstelle des Kreises mit dem Kollektor deutlich gemacht werden muß. (nach DIN EN 60617-5 1997, Nachfolger der DIN 40900-5 1988) -- Volatile 13:31, 18. Sep 2005 (CEST)

Wenn ich mich richtig erinnere, wird das Symbol mit Kreis auch immer noch für Röhren verwendet --Badphantom

Sperrung

Wieso ist der Artikel gesperrt??--Ot 18:38, 27. Feb 2005 (CET)

[2] - selbsterklärend denke ich.--Trexer 19:45, 27. Feb 2005 (CET)

so langsam könnte man ihn aber mal wieder freischalten! --Trexer 19:49, 27. Feb 2005 (CET)

FET's

Ist zwar schon lange her, daß ich mit FET's experimentiert und gebastelt habe, aber in dem Artikel stört mich eine Aussage: "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos." Entweder ist die Steuerung stromlos oder nicht. Da hier kein Streit entstehen sollte, schlage ich vor mal eine Stromstärke anzugeben die gewöhnlicherweise dabei auftritt. Wenn die Stromstärke so klein ist daß diese kaum meßbar ist kann man ja auch ein "Kleinergleich-Zeichen" mit einer entsprechenden Zahl einsetzen. Das ergibt wenigstens Information mit der man was anfangen kann. --217.234.111.80 13:59, 14. Apr 2005 (CEST)

Das Problem ist, dass der Ansteuerstrom stark frequenzabhängig ist, eine einfache Angabe ist so schwer möglich. --Jdiemer 14:49, 14. Apr 2005 (CEST)

Genau, der Ansteuerstrom von FETs unterscheiden sich jenach Schaltfrequenz, Transistortypen und der jeweiligen Bauform. Ein allgemeine Aussage ist da schwer zu treffen. Der Ansteuerstrom setzt sich ja bei FETs nur aus dem im Gate gespeicherten bzw. "umzuschichtenden" Ladungen zusammen. Im statischen Fall ist der Gatestrom näherungsweise null (Gateleckströme vernachlässigbar klein ca. 10^-18 A/µm²). Der Gatestrom ist auch im dynamischen Fall um einige Größenordnungen kleiner als der Drainstrom, und kann von daher auch vernachlässigt werden. Das alles gilt natürlich nicht für sehr kleine Gateoxiddicken, da spielen nachher schon Tunneleffekt u. a. mit und erhöhen den Leckstrom.. Die Formulierung "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos." ist aber wirklich mist, da sollte man etwas anderes finden. Genauer spezifiziert werden, kann das aber in den Artikeln der jeweiligen Varianten. --Cepheiden 17:33, 14. Apr 2005 (CEST)

STEILHEIT R_f

es gib früher die übliche bezeichnung des differentiellen widerstands im arbeitspunkt; sprich die steilheit der kennlinie im arbeitespunkt. wurde als maß für die verstärkung in kombination mit dem kollektorwiderstand unterrichtet; soll man das noch einbauen oder ist es eher veraltet?

Nein das ist auf garkeinen Fall veraltet, es ist nachwievor ein wichtiger Parameter. Aber er sollte nicht im Artikel "Transistor" behandelt werden, sondern in den Artikeln der jeweiligen Transistorvarianten behandelt werden. Da es sich aber ein Kleinsignalparameter handelt ist es r_f.--Cepheiden 11:30, 17. Apr 2005 (CEST)

Achso, statt des differentiellen Widerstands r_f wird aber meist dessen Kehrwert genutzt, die Vorwärtssteilheit $g_{Tf}={\frac {dI_{T}}{dU_{BE}}}$. --Cepheiden 19:49, 17. Apr 2005 (CEST)

Ich hätte da mal eine Frage: Wenn ein Transistor nur den Strom verstärkt,was macht ein Computer dann beispielsweise 550 mio Transistoren auf einer einzigen Grafikkarte (Geforce 7800GTX) ?

Strom zu verstärken ist nicht das Einzige, wofür man einen Transistor benutzen kann. Wenn man z.B. zwei Spannungspegel ("niedrig" und "hoch") als binäre Zahlenwerte auffasst ("0" und "1"), dann kann man einen Transistor auch dafür einsetzen, um den einen Wert in den anderen umzuwandeln ("Inverter"). Zwei Transistoren kann man über Widerstände so miteinander verbinden, dass die Gesamtschaltung ein Bit speichern kann. Diese Zusammenschaltung nennt man "bistabile Kippstufe" oder Flipflop. Man kann mehrere Transistoren auch so zusammenschalten, dass sie weitere Operationen mit Binärwerten leisten, z.B. als Und-Gatter das "Ausrechnen" des Ergebnisses einer logischen Konjunktion. Aus mehreren Gattern kann man weitere Rechenschaltungen zusammensetzen: Addierer, Multiplizierer, und zusammmen mit genügend bit-Speichern als Register kommt man dann bis zu ganzen Prozessoren wie auch solchen auf einer Grafikkarte. -- Lukian 11:15, 28. Aug 2005 (CEST)

Danke. Das habe ich gut verstanden.

Oskar Heil

Was ist mit "Oskar Heil"?
Angeblich ein weiterer Erfinder des Transistors (1935?). --84.112.72.206 12:46, 2005-12-23

wer schreibt von wem ab?

Hallo Leute,

mir ist aufgefallen, dass dieser Artikel "Transistor" in Wikipedia sehr grosse Ähnlichkeit mit "http://www.lexikon-definition.de/Transistor" hat. Das kann kein Zufall sein. Aber rechtliche Folgen ergeben sich daraus wohl nicht? mfg

sieh mal relativ weit unten auf deiner verlinkten seite nach: "Dieser Artikel von Autoren der Wikipedia wird durch die GNU FDL (Erläuterung) lizenziert.". --Kristjan 14:07, 5. Feb 2006 (CET)

Danke für den Hinweis. Werde in Zukunft genauer hinsehen!

THX

verwaiste Bilder

• 
• 
• 

Sind bei den verwaisten Bildern aufgetaucht, falls noch benötigt. --Gruß Crux 16:27, 31. Mai 2006 (CEST)

Ich denke die Bilder sind veraltet und können gelöscht werden. Noch dazu gehören die Abbildungen für Diac und Triac in die entsprechenden Artikel. siehe auch: Liste der Schaltsymbole. — MovGP0 13:36, 23. Jul 2006 (CEST)

Kategorie

Gehört der Transistor nicht in die Kategorie "Aktives Bauelement"? Ich vermisse ihn dort. Leider kann ich das nicht selber ändern... Noch 4 Tage... --Der Burgstädter 23:14, 3. Aug 2006 (CEST)

Varianten von Transistoren

Hallo, ich finde die Einteilungen nicht ganz richtig bzw. in diesesm Artikel nicht ganz passend:

1. Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) gehört nicht zur Gruppe bipolare Transistoren! Innerlich ist er eine Mischung aus bipolarem Transistor und MOSFET, verhält sich nach außen hin aber eher wie ein MOSFET, da das Gate nach außen geführt ist und nicht die Basis. Der IGBT ist also eher ein Feldeffekttransistor, aber besser noch eine eigene Kategorie. Unter Typen ist das IGBT ja auch als ein eigener Typ aufgeführt!

2. Der Unijunctiontransistor (UJT) ist ebenfalls kein bipolarer Transistor. Er ist ein Vierschicht-Halbleiter und daher eher mit dem Thyristor verwandt. Ich würde auch ihn als eigene Kategorie aufführen.

3. DMOSFET, LDMOSFET und VDMOSFET sind interne Aufbauweisen eines MOSFET, es sind damit aber keine neuen Bauteile. Ich würde dieses aus diesesm Artikel ganz herausnehmen und unter dem Artikel MOSFET aufführen. Auch das Fast Recovery Epitaxial Diode Field Effect Transistor (FREDFET) ist eigentlich auch kein neues Bauteil. Es ist ein MOSFET, das eine schnelle interne Body-Diode besitzt. Ich würde auch dieses hier streichen und im Artikel MOSFET aufführen. Es gibt noch viele weitere Varianten unter den MOSFETs z.B. mit internen Z-Dioden, Kurzschluß- und Überhitzungsschutz (HITFET von Infineon) usw., würde ich aber alles unter MOSFET erwähnen.

4. Ist zwar unwichtig, ich würde aber das JFET als erstes in der Kategorie FET aufführen, denn es war der erste Feldeffekttransistor.

--Joern M 20:34, 28. Aug 2006 (CEST)

Themenschwerpunkt

Ich muss leider sagen, dass dieser Artikel für jemanden, der nicht schon im Voraus weiss, was ein Transistor ist, ziehmlich unnütz ist. Zuerst kommt der Satz:

Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen und Spannungen verwendet wird.

Ein Huhn ist ein Säugetier, das vom Menschen fürs Eierlegen genutzt wird. Dieser Satz ist wichtig für das Verständnis. Anstatt dass jetzt jedoch auf die genaue Arbeitsweise bzw. den «Sinn» des Transistors eingegangen wird, werde ich mit zig verschiedenen Typen und Variationen bombardiert, mit denen ich als Laie überhaupt nichts anfangen kann.

Ich wäre froh, wenn jemand ausführen könnte was ein Transistor eigentlich macht. Ich weiss jetzt zwar, auf welche Arten man diese Dinger steuert, wieviele davon im Jahr 2002 hergestellt wurden und welche Formeln ich dafür anwenden muss. Aber was macht er eigentlich? Dafür wäre doch der Artikel da, für den Rest kann man Bipolartransistor etc. verwenden.--DerFinne 09:28, 25. Jan. 2007 (CET)

PS: MOSFET : Der Abschnitt Aufbau und Funktionsweise ist dort sehr gelungen. Etwas in die Richtung wäre in diesem Artikel hier erstrebenswert.

Weiter oben hier auf der Diskussionsseite gibt es zwei Absätze: "Versuch für Laien..." und "Strom zu verstärken...". Hilft Dir das beim Verständnis weiter, oder meinst Du noch was anderes? Lukian 10:31, 25. Jan. 2007 (CET)

Ja, das ist nicht schlecht, ist jedoch mehr ein Beispiel. Schau dir jedoch bitte den MOSFET-Artikel an. Ich würde die Sache dann eher so beschreiben:

Eine Aufgabe von Transistoren ist es, Stromimpulse zu verstärken. Hierzu wird um eine isolierende Schicht (z.B. Polysilizium) eine stärkere Spannung angelegt. Der zu verstärkende Strom fliesst dann so an dieser Schicht vorbei, dass durch das entstandene Magnetfeld die Isolationsschicht zu einer leitenden Schicht wird. Sobald also der «schwächere» Strom fliesst, wird der Stromkreis des «stärkeren» Stroms geschlossen. Somit wird der «schwächere» Strom verstärkt.

Ein Anwendungsbeispiel dafür ... <dein Abschnitt käme dann angepasst hierhin>

Dann käme der Aufbau. Dort käme auch die Sache mit der Basis, dem Emitter und dem Kollektor hin. Vielleicht noch ein Bild zur Illustration.

Dies würde dem Artikel einerseits mehr Struktur geben und andererseits Laien sowie Fortgeschrittene berücksichtigen.

Hi, ok ein Absatz über den Einsatz von Transistoren fehlt in dem Artikel wirklich. Über den Aufbau und Funktionsweise sollte in diesem Artikel nicht erklärt werden. Die beiden Grundvarianten Bipolartransistor und Feldeffekttransistor unterscheidnen sich zu sehr. Ein kurzer Absatz und dann der Verweis auf die Hauptartikel reichen völlig. Bilder zum schematischen Aufbau sind auch nciht fehl am Platz, aber detailierte Erklärungen schon. Was die Erklärung zur Aufgabe und Funktion eines Transistors von DerFinne soll, kann ich nciht nachvollziehen. Ein Transistor wird da abe rnciht beschrieben --Cepheiden 13:13, 25. Jan. 2007 (CET)

Der Abschnitt zu den Kennlinen gehört hier meiner Meinung nach auch nciht rein. Das sollte in dem jeweilieg Hauptaritkel stehen.--Cepheiden 13:20, 25. Jan. 2007 (CET)

Dann sag das doch einfach im Artikel, dass sie sich so unterscheiden, dass es aufgeteilt wurde. Dann kann man auf den Link klicken und das durchlesen. Aber sowas der Intuition zu überlassen, finde ich ungeschickt. --DerFinne 13:25, 25. Jan. 2007 (CET)

Überarbeitungen

Der Artikel war in der Tat etwas konfus. Den Abschnitt über Kennlinien hab ich mal entfernt: das gehört eindeutig in die zahlreichen Detailartikel zu speziellen Transistortypen und ist auch dort erwähnt. Statt dessen ist meiner Meinung eine grobe Übersicht über Schaltsymbole und ein wenig Rundumerklärung ohne viel Details wesentlich besser angebracht (wer hat in der Elektronik schon mal nicht, in Anlehnung an die meist eher bekannten npn-Transistoren, die Pfeilrichtung bei n-Kanal-FETs leider verkehrt herum gezeichnet.. :). --wdwd 16:16, 9. Sep. 2007 (CEST)

Ebenso wenig wie die Kennlinien hat die Beschreibung der Schaltsymbole etwas in dem Artikel zu suchen. Erstrecht da es sich um eine triviale Umschreibung der Symbole und nicht um eine Erklärung handelt. Eine Übersichtliche Darstellung der typischen Schaltsymbole mit entsprechender Beschriftung wäre hier vollkommen ausreichend. Außerdem werden mit den Bearbeitungen der letzten Tage zunehmend Sachverhalte im Artikel wiederholt. --Cepheiden 00:34, 11. Sep. 2007 (CEST)

Germanium-Transistor

Was waren das eignetlich gür schwarze kleine Boxen in den Empfängern der Soldaten im 2. Weltkrieg? Der Aufdruck lt. Zeitzeugen soll Siemens gewesen sein. Denk Ihr wirklich der Germaniumtransistor wurde von den Amis erfunden. Das Patent ist deutsche Kriegs-Wiedergutmachung. Zum Beweis solltet ihr mal Zeitzeugen befragen, bevor es zu spät ist. (-- Valentin2007 11:49, 19. Aug. 2007 (CEST))

Vermutlich die damals verbreiteten Detektorempfänger und darin die als Kristall-Detektor (=Diode) genutzen Materialien Bleiglanz und Pyrit die samt der Nadel (Justage) zum Schutz in entsprechenden Gehäusen untergebracht waren. Aber, falls es Dich beruhigt: Die ersten Patente von den heute grossteils genutzten Feldeffekttransistoren gehen nachweislich auf Deutsche zurück, wie auch im Artikel beschrieben.--wdwd 16:33, 9. Sep. 2007 (CEST)

Richtig. Aufwendig gewickelte Spule, Kristall mit fummelig einstellbaren Berührungsdraht, Kopfhöher. Und schon konnte man starke Sender hören. Verstärker und Transistoren (=Doppeldiode) fehlten. Später kam die Röhre als Verstärker hinzu.--Kölscher Pitter 17:29, 9. Sep. 2007 (CEST)

Defektelektronen

Das ist zweifellos der richtige Fachbegriff. Aber dieser muss erläutert werden, denn man kann die Kenntniss dieses Begriffs nicht bei jedem Leser voraussetzen. Fehlendes Elektron = Loch. So ähnlich wird die Erläuterung sein.--Kölscher Pitter 17:01, 9. Sep. 2007 (CEST)

Wikilink auf diesen speziellen Fachbegriff zum Weiterlesen ist gesetzt.--wdwd 18:06, 9. Sep. 2007 (CEST)

Geschichte

Warum kommt in deutschen Fachartikeln die Geschichte immer als erstes? Für mich ist die Reihenfolge immer anders. Was ist es? Wie funktioniert es? Welche Bedeutung hat es? Wer hat's gemacht?--Kölscher Pitter 17:09, 9. Sep. 2007 (CEST)

Nun, wir schreiben hier ja kein Fachbuch. Sondern wirken mehr oder weniger an einer Enzyklopädie mit. Und da ist meiner Meinung ein geschichtlicher Abriss, so möglich und passend, schon sinnvoll. Und rein von der Abfolge macht es für mich auch Sinn in diesem Kontext, die Geschichte und deren Abfolgen zuerst zu bringen. Da passt das Bild und Zusammenhänge dann meist besser, als wenn man sich gleich in irgendwelche Details verliert. Und eine grobe Erklärung in wenigen Sätzen sollte sich in der Einleitung finden, was ja so mehr oder weniger auch der Fall ist. Details wie und was und wie es funktioniert kommen für den geneigten Leser dann später im Artikel - oder wie in diesem Fall als Art "Übersichtsthema", sind Details einzelnen Unterartikeln vorbehalten um Redundanzen möglichst zu vermeiden.--wdwd 18:05, 9. Sep. 2007 (CEST)

Doppeldioden

Im Anfang war die Diode da. Dann kam die Doppeldiode. Habe ich da was überlesen?--Kölscher Pitter 17:40, 9. Sep. 2007 (CEST)

Hmm, was meinst Du genau? Geschichtliche Entwicklung? Könnte man noch einbauen. Befürchte aber, das verwirrt da diese Doppeldiode als Ersatzvorstellung öfter kommt. Oft sogar zur Erklärung der Funktionsweise eines Bipolartransistors verwendet wird, aber das ansich ein falsches (Vorstellungs)modell ist.--wdwd 17:58, 9. Sep. 2007 (CEST)

Anwendnungsbereiche

Hallo, die Tabelle mit der Anzahl der Transistoren ist etwas Intel-lastig. Es wäre schön wenn hier noch andere Hersteller mit ihrne Spitzenprodukten (Sun, IBM, AMD usw.) zur jeweiligen Zeit auftauchen würden.--Cepheiden 00:04, 11. Sep. 2007 (CEST)

Aufteilung des Artikels

Da ich sehr viele Formeln in den Artikel eingebracht habe und noch mehr einbringen will hat Benutzer:Cepheiden den Vorschlag geäußert den Artikel in mehrere Unterartikel aufzuteilen. Ich schlage daher die folgenden Unterartikel vor:

1. Formeln:
   1. Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung
   2. Bipolartransistor (Formelsammlung)
2. Rauschen:
   1. Bipolartransistor/Transistorrauschen
   2. Transistorrauschen
3. Ersatzschaltungen:
   1. Bipolartransistor/Ersatzschaltungen
   2. Bipolartransistorersatzschaltungen
   3. Ersatzschaltungen des Bipolartransistors
   4. Ersatzschaltungen (Bipolartransistor)
   5. etc.

siehe auch: Diode, Diskussion:Diode#Aufteilung_des_Artikels
MovGP0 10:14, 5. Mär 2006 (CET)

Klingt gut. Es sollte aber im eigentlich Artikel auch kurz in Worten beschrieben werden und dann auf die weiterführenden Informationen verwiesen werden. Ich bin für Formeln -> Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung Rauschen -> Bipolartransistor/Transistorrauschen Ersatzschaltungen: -> Bipolartransistor/Ersatzschaltungen

Vorallem da so ein Konflikt mit einer eventuellen Erweiterung der Feldeffekttransistor-Artikel vorgesorgt wird. Dabei geht dann auch der bezug nicht verloren. Die wichtigstens Gleichungen sollten aber auch im Hauptartikel enthalten sein. --Cepheiden 13:50, 5. Mär 2006 (CET)

Die wichtigsten Formeln würde ich zwar im Artikel lassen - aber so einfach wie möglich halten. Im ausgelagerten Teil kann man die Formeln ausführlicher behandeln. Als wichtige Formeln halte ich eigentlich auch nur die Großsignalgleichungen, da diese bei niedrigen Frequenzen den Transistor ausreichend beschreiben. MovGP0 16:15, 5. Mär 2006 (CET)

Wie sieht es mit Kleinsignalersatzschaltbild etc. aus? Solche DArstellungen könnte man auch noch aufnehmen -- Badphantom 13:03, 11. Jan. 2007 (CET)

In dem ausgegliederten Artikel Ersatzschaltungen des Bipolartransistors gibt es Kleinsignalersatzschaltbilder (auch für den statischen Fall) --Cepheiden 16:17, 11. Jan. 2007 (CET)

Tippfehler?

Hallo, im letzten drittel steht unter "Spannungen", Zitat:

Basis-Emitter-Durchbruchsspannung: Bei der Basis-Emitter-Diode des PNP-Transistors liegt die Basis-Emitter-Durchbruchsspannung U(BR)EBO für die meisten Transistoren im Bereich zwischen 5 und 7 Volt. Da PNP-Transistoren üblicherweise nicht mit einer negativen BE-Spannung betrieben werden, ist diese Angabe meist nicht relevant. Diese Spannung ist die kleinste Grenzspannung eines Transistors.

Die Basis-Emitter-Durchbruchsspannung müsste doch bei 0,5V bis 0,7 V liegen, oder? Alles andere fände ich etwas merkwürdig. Ansonsten alles Top, großes Lob!

Gruß Armin (nicht signierter Beitrag von 217.80.68.236 (Diskussion) 19:37, 25. Mai 2006 (CEST))

Hi, nein das ist für silizium ein richtiger wert. Denn es geht hier nicht um die Schwellspannung eines Bipolartransistors, sondern um die Durchbruchspannung (in dem Fall eines PNP-Transistors) --Cepheiden 15:22, 26. Mai 2006 (CEST)

hm da muss ich wohl irgendwie was nicht mitbekommen haben. Durchbruchspannung?

Also am Emitter 5-7V positiver als an der Basis und dann bricht er durch und leitet Strom? (nicht signierter Beitrag von 217.80.72.238 (Diskussion) 16:34, 26. Mai 2006 (CEST))

Dann bricht er durch und zerstört bei normalen Bipolartransistoren den pn-Übergang. Es gibt aber auch pn-übergänge in Dioden und auch in Transistoren die extra so konstruiert wurden, dass sie bei dieser Spannung durchbrechen und dann den Strom leiten. schau mal unter Z-Diode --Cepheiden 10:43, 27. Mai 2006 (CEST)

jetzt ist alles klar. Danke!(nicht signierter Beitrag von 217.80.78.249 (Diskussion) 13:18, 29. Mai 2006 (CEST))

Diodenersatzschaltbild

Es wäre vielleicht besser das Diodenersatzschaltbild zu entfernen, weil es das Verständnis des Transistors nicht gerade fördert sondern sogar verfälscht (ein Transistor ist nunmal nicht aus zwei Dioden zusammengesetzt). Statt dessen könnte man einfach die Schichten aneinander reihen oder das Kleinsignalersatzschaltbild zeichnen.

Ich finde folgende Textstellen auch verwirrend, wenn nicht widersprüchlich:

oben: Anordnung der p-n-Übergänge (Dioden) in einem npn-Bipolartransistor (keine Ersatzschaltung!)

und

Es handelt sich hierbei nur um Ersatzschaltbilder. Das bedeutet, dass man mit zwei Dioden keinen Transistoreffekt erzeugen kann.
Murmeltier 16:25, 3. Mär. 2008 (CET)

das finde ich auch. ein transistor hat wenig mit einer diode gemein. ich finde es unverständlich das alle halbleiterbauelemente mit HL-Dioden verglichen werden, manchmal ist es hilfreich beim BiPoTran ist es das nicht. nur weil etwas einen pn-kontakt hat ist es noch nicht wie eine diode. die funktionsweise eines BiPoTran ist nicht anhand einer diode zu erklären.--Moritzgedig 16:01, 16. Jan. 2009 (CET)

Fehler im Bänderdiagramm-Bild Nr.3?

So wie ich das sehe, müsste da doch kein Knick rechts im Bänderdiagramm sein, weil ja auch keine Sperrschicht existiert. Ich vermute da mal einen Zeichenfehler, bin mir aber nicht ganz sicher. Könnte sich dazu jemand äußern, der da entsprechend Ahnung davon hat? (nicht signierter Beitrag von 83.176.144.108 (Diskussion) 18:51, 8. Apr. 2007 (CEST))

Also die Graphik zeigt ein leicht verfälschtes Bild der Bandverbiegungen. Diese fallen und steigen zum einen nicht liniear (also es gibt auch einen Übergangsbereich). Auch ragt die Raumladungszone auf Grund der Dotierungsverhältnisse nicht gleichermaßen in die Basis und den Kollektor, naja bei bestimmten Spannungen im Vorwärtsbetrieb evtl.). Der "Knick" am pn-Übergang zwischen Basis und Emitter ist aber richtig. Auch die Größenordungen sind ok --Cepheiden 21:48, 9. Apr. 2007 (CEST)

Einen Abschnitt über Grundlagen?

Nun haben schon einige fleißig am Artikel gearbeitet. Es gibt umfassende Unterartikel und eine, leider etwas verstreute, allgemeine Beschreibung. Nach einem QS Bapper bin ich auf diverese Miniartikel (Basisstrom, Kollektorstrom...) gestoßen. In der QS kam das Argument es fehlen eine Beschreibung des Transistor, wie man es in der Schule lernt. Dem könnte ein Abschnitt Grundlagen abhhelfen. Welcher Ansicht seit ihr, hat das hier noch Platz oder eher unpassend? --mik81^diss 10:12, 6. Mär. 2008 (CET)

Gab es schon mal, Transistoreffekt verlinkt jetzt nach hier. Leider weiss niemand so recht Bescheid und bei PN-Übergang ist alles bereits falsch erklärt. Wenn, dann richtig. Dann würde es aber wieder einen eigenen Artikel rechtfertigen, in einem Absatz geht das leider nicht. --NorbertR. 16:53, 8. Mär. 2008 (CET)

Da hast Du glaub ich was falsch verstanden, ich dachte an eine einfache Beschreibung der Funktion in der Anwendung so z. B. I_C = Beta * I_B und kurz U_CE Sättigungsspannung anhand der Transistorkennlinie anschneiden. Die Beschreibungen in Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors sind schon sehr komplex. MfG --12:54, 9. Mär. 2008 (CET)

Verstehe, du meinst eine praktische Kombination von Transistorgrundschaltungen und Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors. Gibt wohl jetzt schon zuviele Transistorartikel und das ganze ist schon ziemlich unübersichtlich. Transistor ist schon viel zu umfangreich und redundant zu Bipolartransistor. das wesentliche fehlt bis heute: Wie funktioniert der Bipolartransistor? --NorbertR. 09:25, 10. Mär. 2008 (CET)

Dem möchste ich auch zustimmen. Zum Transistoreffekt selbst findet man leider fast garnichts hier. Wäre schön, wenn jemand der was davon versteht das etwas genauer erklärt.. 85.177.139.132 01:00, 3. Aug. 2008 (CEST)

Ja dem kann ich nur Beipflichten. Es fehlt auch etwas darüber wie man Transistoren ganz praktisch anwendet, und entsprechende Schaltungen dimensioniert. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag (siehe dazu Hilfe:Signatur) stammt von StefanL38 22:21, 8. Jul. 2008 )

Was wäre denn für euch der "Transistoreffekt"? Das ist doch nur die Stromverstärkung, ansosnten müsste mann noch zwischen den Effekten in Bipolar- und Feldeffektransistoren unterscheiden. Ich stimme aber zu die Effekte die im Bipolartransistor sind kurz und knapp. Könnte man evtl. ausbauen. Wobei es dannevtl. nicht mehr oma-tauglich wird. --Cepheiden 09:18, 3. Aug. 2008 (CEST)

wieso sollte es hier einen abschnitt über die grundlagen geben? es geht hier um etwas spezielles. "das wesentliche fehlt bis heute: Wie funktioniert der Bipolartransistor?" Das kann man hier nicht erklären. so wie es jetzt ist, ist es ein guter kompromiss. wer das wissen möchte sollte elektrotechnik studieren, da gibt es einige grundlagenvorlesungen und im 7. semester kann man eine vorlesung "Bipolartransistor" belegen. irgendwo stößt wikipedia an seine grenzen. hier kann nicht in einem artikel das stehen, was in sonst in büchern mit hunderten von seiten steht. Die meißten Dipl.Elektrotechniker verstehen nicht einmal den Bipolartransistor, wie soll es da ein wiki-artikel vermitteln? eine HL-diode zu verstehen ist die eine sache, den Bipolartransistor zu verstehen eine ganz andere.--Moritzgedig 16:17, 16. Jan. 2009 (CET)

Das stimmt zwar im Wesentlichen was du sagst, aber der Verweis auf eine Vorlesung "Bipolartransistor" (welche Uni?) um die Komplexzität zu verdeutlichen ist übertrieben. So kompliziert ist es nun auch nicht, und dort werden sicher diverse andere Aspekte im Zusammenhang mit Bipolartransistoren (Schaltungstechnik, Einsatz, Fertigung, optimierung) behandelt. Trotz der erwähnten Komplexität wäre eine vereinfache Erklärung auch in der Wikipedia machbar und definitiv sinnvoll. --Cepheiden 17:19, 16. Jan. 2009 (CET)

das war keine übertreibung. in der genannten vorlesung (normale uni) geht es nur um den bipolartransistor nicht um schaltungen mit bipolartransistoren. Ich habe noch nie eine gute kurze erklärung gelesen, man kann schon froh sein wenn kurze erklärungen nicht verklären. eine erklärung müsste auf die geometrie, dotierkonzentration, ladungsträgerlebenszeit, elektrische- und kinetischeenergie und weiteres eingehen. Dieser quatsch mit dem Dioden-halbwissen schadet nur. eine triode als zwei dioden mit kontakt dazwischen zu beschreiben ist dümmlich, mit der tatsächlichen geometrie hat das nichts zu tun.

Anhand von diesem Bild

Geometrie

könnte man zeigen, das die Basis so dünn ist, dass ladungsträger die vertikal in sie injeziert werden kaum platz haben ihre richtung zu ändern oder zu rekombinieren. Damit ist die sache aber immernoch nicht erklärt. Bevor man leute mit halbwahrheiten verwirrt sollte man es ganz lassen und sich auf die phänomenologie beschränken. --Moritzgedig 15:42, 18. Jan. 2009 (CET)

Also, 1. hatte ich aus allgemeinen Interesse gefragt WELCHE Uni das anbietet, der Aufbau der Studiengänge unterscheidet sich stark von Uni zu Uni. Ich frage weil ich mir nicht vorstellen kann, dass sich eine Vorlesung an einer Uni NUR mit Wikprinzip des Bipolartransistors (ohne Schaltungen, oder andere Transistortypen). 2. ich geb zu, dass ich kein Schaltungstechnologe bin der Modelle von Bipolartransistoren aufstellt oder verwendet. Von daher beschränkt sich meine Kenntniss nur auf Grundwissen aus dem Studium und betreu den Artikel nicht inhaltlich. 3. Ich hoffe deine Kritik ist als Einstieg in die Verbesserung des Artikels gemeint und du lässt uns an deinen Kenntnissen in Form von einem aktiven Beitrag teilhaben. Aber ich denke es ist fast jedem klar, dass der Artikel niemals die Ansprüche eines Experten in Sachen Vollständigkeit erfüllen kann. Und ich denke schon, dass jemand der sich mit dem Bipolartransistor wirklich auskennt, die zugrundeliegenden Mechanismen einfach beschreiben kann. Ich füle mich dazu leide rnicht im Stande. Grüße P.S. ich geb dir aber ohne Zweifel recht, dass ein Bipolartransistor nicht mit zwei dioden erklärt werden kann, das sollte wirklich raus. --Cepheiden 17:41, 18. Jan. 2009 (CET)

Vorschlag

Hallo, ich habe einen Vorschlag für ein Grundlagenkapitel geschrieben. Wenn es gefällt, werde ich es mit Quellen versehen und in den Artikel einbauen. (Absätze gehen auf der Diskussions-Seite anscheinend verloren, dafür stehen die Auflistungspunkte.)

• Grundlagen Bipolar-Transistor
• Im Bipolar-Transistor tragen zwei Ladungsträgersorten zum Stromfluß bei, nämlich Elektronen (im Leitungsband) und Löcher (Defektelektronen) im Valenzband des Halbleiters.
• Transistoren werden in der Elektronik verwendet, weil sie einen steuerbaren hohen Widerstand darstellen. Zusammen mit einer Spannungsquelle und einem Lastwiderstand, der klein ist gegen den Widerstand der Basis-Kollektor-Diode, wird daraus eine Stromquelle, d.h. der Gesamtstrom ist unabhängig vom Lastwiderstand. (Spannungsquelle und Lastwiderstand sitzen abhängig von der Schaltung an verschiedenen Anschlüssen des Transistors.) Wo also eine steuerbare Stromquelle in einen Schaltung benötigt wird, setzt man einen Transistor ein.
• Die Steuerung kann über einen Strom geschehen, der in die Basis eingeprägt wird, oder direkt über eine Spannung an der Basis. Um einen Basisstrom einzuprägen, muß eine Spannungsquelle mit einem Vorwiderstand versehen werden, der hoch ist gegen den Widerstand der Basis-Emitter-Diode. Durch den Spannungsabfall, den der Basisstrom am Basis-Vorwiderstand verursacht, entsteht am Basisanschluß des Transistors eine Basisspannung, genau wie bei der direkten Ansteuerung über eine Basisspannung. In der Praxis wird die Steuerung über einen Basisstrom bevorzugt, weil der Kollektorstrom (annähernd) linear vom Basisstrom abhängt, während der Kollektorstrom exponentiell von der Basisspannung abhängt. Die lineare Charakteristik ermöglicht eine feinere Steuerung.
• Mit einer solchen steuerbaren Stromquelle kann man Gleichströme schalten, wie mit einem mechanischen Relais, oder Wechselstromsignale verstärken. Dies sind die beiden Hauptanwendungen jedes Transistors.
• Daß überhaupt ein Basis-Gleichstrom zur Steuerung benötigt wird, ist ein Nachteil des Bipolar-Transistors gegenüber dem Unipolar-Transistor, denn jeder Eingangsstrom bedeutet Verluste. Der Unipolar-Transistor nutzt den Feldeffekt aus, hat einen sehr hohen Eingangswiderstand und kommt daher quasi ohne Eingangsstrom aus. Bipolartransistoren sind für Hochfrequenz-Verstärker jedoch besser geeignet, weil sich mit ihnen höhere Grenzfrequenzen erzielen lassen.
• Die (Gleich-) Stromverstärkung des Bipolar-Transistors B=IC/IB wird am npn-Bipolar-Transistor erklärt: Wie oben beschrieben liegt letztendlich eine Basisspannung VB zur Steuerung über der Basis-Emitter-Diode an. Wenn die Polung richtig ist (hängt von der Transistorart und der Schaltung ab, beim npn in Emitterschaltung VBE positiv), wird in der Basis-Emitter-Diode die Diffusions-Barriere für beide Ladungsträgersorten erniedrigt, also die BE-Diode weniger stark gesperrt. Die Basis-Emitter-Diode gelangt aus dem stromlosen Gleichgewichtszustand, wo sich Drift- und Diffusionsströme aufheben. Der Emitter injiziert Elektronen in die Basis, die Basis injiziert Löcher in den Emitter. Die Flußrichtung der beiden Ladungsträger ist unterschiedlich, die technische Stromrichtung die gleiche. Der Emitterstrom wird von Eigenschaften der Basis bestimmt, der Basisstrom von Eigenschaften des Emitters. Für einen hohen Emitterstrom muß die Basis niedrig dotiert und kurz sein, für einen niedrigen Basisstrom, muß der Emitter hoch dotiert und weit sein. Außerdem ist der Strom im entsprechenden Gebiet hoch, wenn dort die Beweglichkeit u hoch ist. Also folgt insgesamt: B=(NE*WE*uB)/(NB*WB*uE). Diese Formel liefert den Wert der Stromverstärkung in akzeptabler Näherung, wenn man die Designparameter des Bipolar-Transistors kennt.
• Wenn Die Stromverstärkung des Bipolartransistors z.B. 100 ist, bedeutet das, daß für jedes Loch, das aus der Basis in den Emitter injiziert wird (steuernder Basisstrom), 100 Elektronen aus dem Emitter in die Basis injiziert werden (resultierender Emitterstrom). Wenn die Rekombination vernachläßigbar ist (Weite der Basis kurz gegenüber der Diffusionslänge der Elektronen), dann gelangen die meisten Elektronen, d.h. ein Großteil des Emitterstroms, an die Basis-Kollektor-Diode. Diese ist für Elektronen in Sperr-Richtung gepolt, das entsprechende elektrische Feld beschleunigt diese zum Kollektoranschluß hin. So wird aus dem Emitterstrom ein annährend so großer Kollektorstrom. Im Endeffekt hat man dadurch die Einprägung eines großen Stroms (IC) durch einen kleinen Steuerstrom (IB) erreicht.

--Carloinwiki 07:25, 27. Jan. 2009 (CET)

das ist soweit ganz ok. es könnte überschneidungen geben. hier einpaar formelbrocken:
$\beta ={\frac {N_{E}w_{E}\mu _{B}}{N_{B}w_{B}\mu _{E}}}$ $\beta ={\frac {I_{C}}{I_{B}}}$ den rest kann man sich denken.

"Bipolartransistoren sind für Hochfrequenz-Verstärker jedoch besser geeignet, weil sich mit ihnen höhere Grenzfrequenzen erzielen lassen." da bin ich mir nicht so sicher, das kann man heute nicht mehr so sagen, eher im gegenteil. FETs sind, soweit ich weiss, rausch ärmer, zumindest in der eingangsstufe wird man einen FET einsetzen. Bipotrans sind jedoch für leistungselektronik gut geeignet, da sie hohe sperrspannung und niedrigen durchschalt-widerstand haben. --Moritzgedig 15:41, 31. Jan. 2009 (CET)

Für Hochfrequenzanwenungen von über 100 GHz gibt es wohl einige spezielle GaAs- oder Ge-Bipolratransitoren. Meiner Meinung nach stimmt das im vesentlichen, eine Quelle und somit genauere Einordnung wäre aber besser. --Cepheiden 17:54, 31. Jan. 2009 (CET)

Zum Vorschlag, Danke ersteinmal für die Zusammenstellung. Hier sollte evtl. ersteinmal geklärt werden was als "Grundlagen" beschrieben werden sollte. Aus sicht von Fachleuten wird der gesammte Artikel wahrscheinlich Grundlagen bleiben, denn alles Weitere sind Modelle zur Beschreibung und Details zu den Einsatzbereichen. Ich wäre daher eher für eine Richtigstellung einiger Sachen im bestehenden Artikel (vor allem Funktionsweise) anstatt einer weiteren (etwas überdimensionierten) Einleitung. --Cepheiden 17:54, 31. Jan. 2009 (CET)

---

Ich habe auch einen Vorschlag, es ist nur eine Überarbeitung des Artikels(ohne Garantie der Richtigkeit): Eine Erklärung muss sich vor allem an zwei punkten messen. Wie gut erklärt sie:

• das zustande kommen eines Stromes durch die Basis-Kollektor-Sperrschicht
• den Sättigungsbereich mit seiner sehr geringen Kollektor-Basis-Spannung.

Beim Bipolartransistor steuert ein Strom IB im Basis-Emitter-Kreis einen (stärkeren) Strom IC im Kollektor-Emitter-Kreis.

Die drei Kristallschichten bilden zwei p-n-Übergänge aus. Die Kristallschichten sind dabei nicht mit der gleiche Konzentration dotiert. Der Emitter ist stärker und die Basis schwach dotiert. Die Dotierungskonzentration ist relativ: Emitter > Kolektor > Basis. Ohne angelegte Spannung bilden sich zwei Verarmungszonen die unterschiedlich dick sind. Da die Basis sehr dünn ist und schwach dotiert ist, reicht die Verarmungszone relativ weit in die Basis hinein.

Als Beispiel ist ein npn-Transistor gewählt:

Nachfolgend sind schematisch die Verhältnisse als Bändermodell im Kristall dargestellt. Hierbei stellen die kleinen ±-Symbole bewegliche Ladungsträger (Majoritätsladungsträger, Elektronen bzw. Defektelektronen) dar, während die großen die ionisierten Dotieratome symbolisieren. Kristallaufbau und Bändermodell eines Bipolartransistors

Werden nur Kollektor und Emitter angeschlossen (+ am Kollektor, - am Emitter) entspricht dies schaltungstechnisch zwei Dioden von denen eine gesperrt ist, es fließt also nur ein kleiner Strom, welcher betragsgleich mit dem Sperrstrom der BC-Diode ist. Die angelegte Spannung verkleinert zwar die B-E-Sperrschicht, vergrößert jedoch die C-B-Sperrschicht. Kristallaufbau und Bändermodell eines Bipolartransistors bei angelegter Kollektor-Emitter-Spannung

Durch Schließen des Basis-Emitter-Stromkreises (+ an der Basis, - am Emitter) wird die Basis-Emitter-Diode leitend.

Nun können Elektronen aus dem Emitter in die Basis und weiter in die Verarmungszone gelangen. Anstatt mit den wenigen Defektelektronen der Basis oder in der Verarmungszone zu Rekombinieren, gelangen sie aufgrund der geringen dicke der Basis per Diffusion durch sie hindurch zum Kollektor. Der I_BC Strom ist zwischen Emitter und Kollektor kein leitungs-/drift-strom sondern ein Diffusionsstrom von Minoritätsladungsträgern.

Eine Erhöhung der BC-spannung führt zu vergrößerung der BC verarmungszone, auch zu kosten der Basis, wodurch die Gesamtweite von Basis und veramungszone weniger zunimmt.

Kristallaufbau und Bändermodell eines Bipolartransistors mit angelegter Basis-Emitter-Spannung

Da der zwischen Basis und Emitter fließende Strom nur die Basis-Emitter-Sperrschicht leitend machen muss, genügt hier eine Spannung von ca. 0,7V an der Basis. Die in die Basis gelangten Elektronen fließen zum größten Teil (ca. 99 %) weiter zum Kollektor. Es wird also durch den kleinen Basistrom ein viel größerer Kollektorstrom gesteuert. Das Verhältnis der Ströme ist vom Typ abhängig, man bezeichnet es als den Stromverstärkungsfaktor ß. Er beträgt etwa 4 bis 1000, je nach Konstruktion des Transistors und der Größe des Kollektorstromes.

Die Wirkungsweise eines pnp-Transistors ist entsprechend, jedoch sind die Polungen beider Stromkreise umzukehren, um der entgegengesetzten Polung der beiden Sperrschichten Rechnung zu tragen.

--Moritzgedig 10:41, 8. Feb. 2009 (CET)

Vorweg mal ein Hinweis. Größere Entwürfe am Besten auf einer Seite im eigenen Benutzernamensraum erstellen (z.B. Benutzer:Moritzgedig/Bipolar). Es nützt ja nichts wenn diese Seite mit haufenweise Text belastet wird. Außerdem kann man dies gleich aktiv als Entwurfsversion nutzen und bearbeiten.

Zum Text, das Prinzip ist im Groben richtig. Allerdings versteht ein Laie diese Erklärung sicher kaum. Es werden sofort unerklärte Begriffe und Symbole (IB, Ic ...) genutzt. Des Weiteren sind die Funktionsmechanismen sehr stark zusammengefasst, womit du etwas deinen eigenen Ansprüchen weiter oben widersprichst. P.S. die Spannungsangaben sind offensichtlich an Silicium orientiert, dies sollte irgendwo vermerkt werden.

Ich habe mal zur besseren Verständingung eine Kopie der Abschnitte Aufbau und Funktionsweise unter meinem Namensraum erstellt (Benutzer:Cepheiden/Bearbeitung Bipolartransistor). Hier können alle Mitarbeiter frei den Text korrigieren/bearbeiten, ohen dass die aktuelle Verion geschädigt wird. GLeichzeitig kann man besser Änderungen verfolgen. Größere Korrekturen am besten aber auf der zugehörigen Diskussionsseite besprechen. --Cepheiden 11:43, 8. Feb. 2009 (CET)

"womit du etwas deinen eigenen Ansprüchen weiter oben widersprichst."
vollkommen richtig. aber wie ich auch schrieb gibt es IMHO keinen guten kompromiss wenn es um so etwas kompliziertes geht.--Moritzgedig 15:37, 9. Feb. 2009 (CET)

Auf Fälschung reingefallen?

Das Bild 2N3055 freigelegter die.jpg zeigt vermutlich einen gefälschten 2N3055 der die technischen Daten gar nicht einhalten kann. Ich hätte hier einen ähnlichen MJ15003, der ebenso ein kleines Die hat und schon bei deutlich unter Nennbelastung ausgefallen ist. Nicht alles, was moderner ist, ist besser :-) Vielleicht findet mal jemand ein zuverlässigeres Bild. (nicht signierter Beitrag von 79.198.50.142 (Diskussion | Beiträge) 03:12, 10. Jul 2009 (CEST))

Also soweit hier nur Vermutungen geäußert werden, vertrau ich den Angaben von Benutzer:Quark48. Für den Artikel ist es meiner Meinung nach auch nicht entscheidend was für eine Die dort gezeigt wird. Wenn hier jedocjh wirklich ein Fehler/Fälschung vorliegt sollte man das beheben. --Cepheiden 08:04, 10. Jul. 2009 (CEST)

Hi, die Bilder von diesen aufgesägten (="zerfetzten") Transistorgehäusen sind schon etwas strange. Ein unbedarfter Leser könnte da meinen, dass "normale" Bipolartransistoren, mit Metallgehäuse wo die Metallspäne weghängen, typisch sei. Hab diese deftigen Abbildungen im oberen Bereich mal durch was weniger rustikales ersetzt.

Was vielleicht interessant wäre, so im grösseren Zusammenhang: Historischer Abschnitt, inbesondere zu den ersten Germaniumtransistoren a la OC-76 und Co - vielleicht am Rande deren Fertigung und was sich da im Bezug zu heutigen Bipolartransistoren änderte. Verbindung zu speziellen Bipolar-Bauformen z.b. Phototransistor. Konnex zu speziellen neuen Formen von FET/Bipolar wie den IGBT oder BiCMOS im Logikbereich. Eventuell auch kurzer Abriss zu Bipolartranstoren auf exotischen Halbleitermaterialien wie SiC. Na, mal schauen.--wdwd 20:13, 27. Jul. 2009 (CEST)

Ungereimtheiten bei der Funktionsweise

Hallo, irgendwie passt die Beschriebung weiterhin nicht. Der Bipolartransitor ist dirket Basisstrom gesteuert, wie man an der Eingangskennlinie (I_C vs. U_BE) sieht. Die Verhältnisse sind komplizierter. Wir müssten hier mal Klarheit schaffen. --Cepheiden 11:42, 22. Jun. 2009 (CEST)

Ich habe heute mal versucht die Funktionsweise und die Verhältnisse im Bipolartransistor besser zu beschreiben. Die derzeitige Fassung ist aber bei weitem nicht OMAtauglich und wirft selbst bei mir noch etliche Fragen auf. Ich werde in der nächsten Zeit versuche, dies weiter zu glätten. Über entsprechende Hilfe in jeder Hinsicht würde ich mich sehr freuen. --Cepheiden 13:38, 26. Aug. 2009 (CEST)

n-leitend

Oder auch p-leitend. Was ist damit gemeint?-- Kölscher Pitter 20:55, 20. Aug. 2009 (CEST)

n-leitden bedeuted es handelt sich um ein n-Gebiet, also ein dotierterer Bereich in dem Elektronen die Majoritätsladungsträgerstellen (beispielsweise phosphordotierte gebiete). p-leitend hingegen bedeutet das Defektelektronen die Majoritätsträger sind, -> p-Gebiet -> p-dotiert (beispielsweise Bor-dotierte Bereiche). --Cepheiden 08:31, 25. Aug. 2009 (CEST)

Danke. p-Gebiet oder p-dotiert finde ich sprachlich ok. Die sprachliche Verbindung von "positiv" oder "negativ" mit dem Verb "leiten" ist Murks.-- Kölscher Pitter 10:07, 25. Aug. 2009 (CEST)

Aber nicht unüblich. eben weil Defektelektronen/Löcher positive Ladungsträger repräsentieren --Cepheiden 10:16, 25. Aug. 2009 (CEST)

Ja, der Unsinn entsteht durch das Weglassen des Substantivs (Defektelektronen/Löcher). Man kann Substantive nicht einfach durch Adjektive (positiv/negativ) ersetzen. Selbst wenn das "üblich" sein sollte. Es bleibt Murks. Sprachlich gesehen.-- Kölscher Pitter 11:06, 25. Aug. 2009 (CEST)

Ich hab das im Artikel mal ausgetauscht, da es sich sonst dem Laien nicht erschließt. Insgesamt sehe ich aber nicht, dass es sprachlicher "Murks" ist. Es ist eben wie bei vielen fachüblichen Bezeichungen. --Cepheiden 11:29, 25. Aug. 2009 (CEST)

Alternatives Modell eines Bipolartransistors

Alternatives Modell eines Bipolartransistors zur Veranschaulichung der Stromverstärkung.

Hallo, das nebenstehende Bild findet sich derzeit im Artikel. Meiner Meinung nach leifert es ein vollkommen ungenaues wenn nicht sogar falsches bild von der Funktionsweise eines Bipolartransistors. Das Hauptproblem was ich mit der Abbildung habe ist folgendes. Das Bild geht offensichtlich von einem Teilchenstrom in technischer Stromrichtung aus. Es erweckt somit den Anschein, als wenn nur eine Ladungsträgerart (Löcher) die Funktion realisieren. Für die Funktion des BJT sind aber sowohl Elektronen als auch Löcher essentiell. Meiner Meinung nach sollte das Bild entfernt werden. --Cepheiden 14:13, 27. Okt. 2009 (CET)

Wer das Bild überinterpretiert der interessiert sich nicht für die details. Das Bild ist nur eine sehr grobe abstraktion, das sollte jedem klar sein. Ich finde das Bild ok, es richtet sich an den absoluten einsteiger und für diesen ist es gut. Wir wollen ja nicht päpstlicher sein als der papst. --Moritzgedig 18:22, 27. Okt. 2009 (CET)

Wo ist der Nutzen eines Bildes, das ein Funktionsprinzip veranschaulichen soll, aber die Vorgänge falsch bzw. derart stark vereinfacht darstellt? Und vor allem was hat es neben einem Abschnit zu suchen, der sich eben nicht mit dieser sehr vereinfachten "Black-Box"-Vorstellung beschäftigt? --Cepheiden 18:38, 27. Okt. 2009 (CET)

ja, die position ist nicht so gut. wäre besser ganz oben wo noch keine details genannt wurden und jemand zunächst ankommt wenn er wissen will was ein BJT macht. Du mußt dir jemanden vorstellen der von HL keine ahnung hat und jetzt einfach mal wissen will was ein BJT macht. Vielleicht einen 12t Klässler oder Azubi im 2. Jahr. --Moritzgedig 10:13, 28. Okt. 2009 (CET)

Die Abbildung sollte unabhängig vom Wissensstand bom Nutzer richtig eingeordnet werden. Da sie nicht die Funktionsweise eines BJT erklärt, muss die Abbildung besser beschrieben werden. In meinen Augen taugt die Abblidung nur zur Demonstration der Stromverstärkung, aber es ist zwingend notwendig weitere Beschreibungen beizufügen, eben dass das Wasser nicht Elektronen oder Löcher repräsentiert. Ansonsten bekommen Laien von Anfang an eine falsche Vorstellung von dem Bauelement. Ich greif das Thema ja nur wiedermal auf, weil ich darauf angesprochen wurde. --Cepheiden 11:09, 28. Okt. 2009 (CET)

Cepheiden hat recht. Das Bild ist schlecht. Auch wenn es animiert ist. Weg damit. Ich bin ja sehr für das Vereinfachen. Dabei darf nichts Falsches herauskommen.-- Kölscher Pitter 12:47, 28. Okt. 2009 (CET)

wenn man schreibt, dass das wasser den ladungstransport repräsentiert ist es egal wie sich die elektronen bewegen. Ich finde die kritik überspitzt, es muß doch jedem klar sein, dass da kein wasser im transistor ist. --Moritzgedig 19:00, 28. Okt. 2009 (CET)

War mal so frei und hab die Bildunterschrift von dem Bild angepasst. Ansich ist die Kritik von Cepheiden zutreffend nur ist der Punkt mit den Ladungsträgern für jemanden ohne Detailkentnisse nur schwer verständlich. Meiner Meinung sollte in der Einleitung/Anfang eines Artikels eine solch vereinfachte und damit auch nicht 100% präzise Beschreibung in Ordnung sein, daher hab ich's auch nach vorne verschoben. Alternativ ist diese "Wasser-Modell" natürlich nicht, es ist ein (stark) vereinfachtes Modell welches der groben Veranschaulichung dient. Im weiteren Artikelbereich ist dann Platz&Raum für die Präzisierung. - Abildung Transistorgehäuse habe ich entfernt, da nicht spezifisch für Bipolartransistoren, in diesen Gehäusen werden auch integrierte Schaltungen verpackt.--wdwd 19:23, 28. Okt. 2009 (CET)

Stromfluss nur in eine Richtung

Wie steht es mit dem Wahrheitswert der Aussage des 2. Abschnitts in der Anfangsbeschreibung?

Im Gegensatz zu Feldeffekttransistoren kann mit einem Bipolartransistor der Stromfluss durch den Transistor nur in einer Richtung erfolgen.

Der Transistor kann auch Invers (Rückwärts) betrieben werden, dann fließt der Strom in eine andere Richtung, lediglich die Verstärkung verringert sich -- Tillmann Walther 17:11, 18. Jan. 2010 (CET)

Das ist Lying-to-Children, unter "Arbeitsbereiche" wird es dann richtig gesagt. --Pjacobi 17:59, 18. Jan. 2010 (CET)

Das vereinfacht doch aber nicht die Erklärung der Anwendung noch der Funktionsweise. Sollte es dann nicht besser raus? --Cepheiden 18:02, 18. Jan. 2010 (CET)

Mir fiel nur keine bessere Formulierung ein, aber Streichen des Satzes wäre eventuell das Mittel der Wahl. --Pjacobi 09:45, 19. Jan. 2010 (CET)

Vielleicht sowas wie "Im Gegensatz zu Feldeffekttransistoren wird bei einem Bipolartransistor der Stromfluss durch den Transistor nur in einer Richtung technisch genutzt.". -- Tillmann Walther 12:00, 19. Jan. 2010 (CET)

Das bezweifel ich und auch bei FETs gibt es eine "bevorzugte Nutzung", erst recht bei MISFETs bei denen Bulk und Soucre intern verbunden sind.

@Pjacobi: was wolltest du denn ausdrücken mit dem Satz? --Cepheiden 12:39, 19. Jan. 2010 (CET)

Obwohl der schematische Aufbau der Dotierungsgebiete symmetrisch ist, ist die technische Realisierung asymmetrisch und der Bipolartransistor wird fast ausschließlich in einer Stromrichtung betrieben -- nur weiß ich nicht, ob's wirklich für die Einleitung taugt. Ursprünglich stammt der Satz übrigens nicht von mir (außer wenn es solange her ist, das ich es schon wieder vergessen habe), ich wollte ihn nur ein wenig in Schutz nehmen. --Pjacobi 13:16, 19. Jan. 2010 (CET)

Er stammt auch nicht von dir ;-) [3] [4] --Cepheiden 13:26, 19. Jan. 2010 (CET)

Ich hab ihn mal gelöscht, da ich auch denke, das der Satz für die Einleitung nicht taugt. Man könnte evtl. in einem anderen Abschnitt darauf eingehen - Tillmann Walther 20:27, 19. Jan. 2010 (CET)

2.bild des abschnitts funktionsweise

in der beschreibung des 2. bildes steht pnp-transistor, obwohl es sich um einen npn-transistoren handelt, wie auch in den beiden anderen bildern steht. keine ahnung ob des hierhergehört, aber da stand, dass die bilddiskussion nicht genutzt wird. (nicht signierter Beitrag von 132.180.216.139 (Diskussion) 20:04, 19. Mai 2010 (CEST))

Hallo, welches ist das zweite Bild? Ich kann auf die Schnelle keinen Fehler erkennen. --Cepheiden 20:10, 19. Mai 2010 (CEST)

http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Datei:Bipolartransistor2.PNG&filetimestamp=20031008031834 (nicht signierter Beitrag von 132.180.216.139 (Diskussion) 21:21, 19. Mai 2010 (CEST))

Ahh, ich hab's mal korrigiert. Hättest du aber eigentlich auch selbst machen können (also von den Rechten her). Sei mutig ! --Cepheiden 21:39, 19. Mai 2010 (CEST)

Bauteilname und Verwendung

Es gibt viele Firmen die BJTs herstellen oder es in der vergangenheit taten und ebensoviele namensschemata. Aber es gibt einige standard typen deren namen mit: BC, BD, BF, BS, BU (USA/europäisch ?) anfangen und nicht mit z.B. 2S, 2N, MJ (Japanisch/Sony ?). Bei diesen BJTs kann man am zweiten buchstaben den gedachten einsatzzweck erkennen. Was bedeutet dieser zweite buchstabe? Ich meine 'C' ist ein NF-Verstärker und 'D' ist ein schalter, 'F' könnte für HF sein. Ich habe keine information hierüber im internet finden können. Der erste buchstabe gibt über das material und somit über die minimale BE-Spannung auskunft. --Moritzgedig 14:55, 15. Aug. 2009 (CEST)

• Du meinst das da: Halbleiter-Kennbuchstaben, ich habe es unter siehe auch nachgetragen. --Nurbert 16:57, 20. Jun. 2010 (CEST)

Ich habe den Artikel mal nach Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen verschoben. Ich kann nicht erkennen, dass der Begriff "Halbleiter-Kennbuchstaben" außerhalb der Wikipedia genutzt wird und die Kennzeichnung beschreibt ja auch keine Halbleiter (Material) sondern Halbleiterbauelemente. --Cepheiden 17:17, 20. Jun. 2010 (CEST)

Danke Nurbert. der artikel ist nicht gut zu finden, es sollte mehr links auf ihn geben und vielleicht redirects. Wie wäre es mit "Kennzeichnung aktiver diskreter Bauelemente"? --Moritzgedig 21:58, 21. Jun. 2010 (CEST)

Ungenutzte Redirects bringen da garnichts, außerdem sollten sie nur angelegt werden wenn sie sinnvoll sind, gleiches gilt für die Berlinkung von anderen Artikeln aus. --Cepheiden 22:04, 21. Jun. 2010 (CEST)

Bild

Vielleicht sollten wir das folgende Bild aus der englsichen Wikipedia übernehmen, weil es die Funktionsweise sehr anschaulich erklärt: en:Image:NPN_BJT_Basic_Operation_(Active).svg --MrBurns 13:24, 16. Feb. 2008 (CET)

Eine deutsche Übersetzung (Datei:NPN BJT Basic Operation (Active) DE.svg) wurde mittlerweile eingefügt. --Cepheiden 20:41, 1. Sep. 2010 (CEST)

Erklärung zur Funktion.

Die Erklärungen zur Funktion, sind durchwegs Analogien. Weiter unten steht dann aber:

• "Analog dazu werden Elektronen aus dem Emitter (lat. emittere = aussenden) in die Basis injiziert. Aufgrund der geringen Weite der Basis, die kleiner als die Diffusionslänge der Ladungsträger sein muss, rekombinieren jedoch nur wenige der Elektronen mit den Defektelektronen. Die meisten Elektronen (ca. 99 %) diffundieren durch die Basis in die Kollektor-Basis-Sperrschicht, der Basis-Kollektor-Übergang wird in Sperrrichtung betrieben. Dort driften sie wegen des großen Potentialabfalls (UCB > 0) in den Kollektor (lat. colligere = sammeln). In Form des Kollektorstroms IC fließen somit Elektronen vom Emitter in den Kollektor."

Das wäre aber so definitiv falsch, da die Kollektorsperrschicht auch ohne Basisstrom direkt an der Basisgrenze auf Emitterpotential liegt und Elektronen trotzdem nicht eindringen. Weiters ist die Erklärung auf Elektronen, also auf den NPN fixiert, also nicht universell und daher schon falsch. Weiss wer was wirklich passiert? Der falsche Absatz sollte jedenfalls ersetzt werden, er schadet mehr als er nützt, die Erklärung ist nicht nachvollziehbar und verwirrt. Der Autor hat quasi einen Pseudotext/POV/Theorienfindung hinterlassen. --Nurbert 17:11, 20. Jun. 2010 (CEST)

Im Lemma steht ausdrücklich: Im Folgenden wird am Beispiel eines npn-Transistors die generelle Funktionsweise eines Bipolartransistors im Vorwärtsbetrieb (UBE > 0, UCB > 0) dargestellt. korrekter wäre evt. UBE > 0,6V da der BJT vorher eher sperrt aber der Übergang ist nun einmal stetig.

Bitte führen Sie Ihre Kritik weiter aus. Stellen Sie ihre Folgerungen bzw. die Widersprüche bitte genauer dar und halten Sie sich mit Vorwürfen zurück. --Moritzgedig 19:55, 3. Apr. 2011 (CEST)

Kleinsignalersatzschaltbild

Kann bitte jemand, der mehr Erfahrung mit Wiki hat das Bild mit der Spannungsgesteuerten Stromquelle entfernen! Das ist schlicht weg FALSCH! Ein Bipolartransistor ist KEINE Spannungsgesteuerte Stromquelle, sondern eine stromgesteuerte Stromquelle! Ich meine das Bild unter "Transistormodelle und Ersatzschaltbilder" das zweite Bild. "Kleinsignalmodell" (nicht signierter Beitrag von 141.24.48.189 (Diskussion) 04:07, 17. Feb. 2011 (CET))

Ich stimme zu. ich verstehe nicht warum da $i_{T}=S\cdot u_{BE}$ steht. Ich werde den Autor darauf aufmerksam machen. --Moritzgedig 20:08, 3. Apr. 2011 (CEST)

Zumindest Tietze&Schenk enthält in etwa das selbe Kleinsignalmodell. Jedoch wäre das Modell stromgesteuerte Stromquelle konsequenter im Bezug auf das Großsignalmodell und die H-Parameter. Dann werd ich es bis heute Abend anpassen. -- Biezl ✉ 11:23, 4. Apr. 2011 (CEST)

Super, danke. Ich bin der Ansicht da müsste $i_{C}=\beta \cdot i_{B}$ stehen. Streng genommen: $i_{C}=\beta (U_{CE})\cdot i_{B}$. (nicht signierter Beitrag von Moritzgedig (Diskussion | Beiträge) 20:14, 4. Apr. 2011 (CEST))

Das β(U_CE) entspricht dem r_CE aber Datenblätter geben so etwas normalerweise gar nicht mehr an. Genauere Betrachtungsmöglichkeiten liefern dann sowieso die (etwas unübersichtlichen) Unterartikel. -- Biezl ✉ 20:40, 4. Apr. 2011 (CEST)

Im Endeffekt war das bild nicht wirklich falsch, aber ich meine das beta ist auch konstanter als die steilheit, diese ist schließlich stark vom AP abhängig. --Moritzgedig 13:39, 5. Apr. 2011 (CEST)

Die Betrachtung mittels Steilheit hat bei dynamischer Betrachtung nicht den Nachteil, das parallel Umladeströme fließen, die den wirksamen Steuerstrom herabsetzen. Spannungsbezogene Betrachtung hat dagegen mit R_E' Probleme. ~ Stündle (Kontakt) 11:22, 15. Apr. 2011 (CEST)

Raumladungszone - taucht nicht im Artikel auf??

sollte eigentlich.. - 194.95.142.180 11:59, 2. Okt. 2012 (CEST)

der Artikel nutzt den Alternativbegriff Sperrschicht. Ich habe mal einen Nebensatz ergänzt. --Cepheiden (Diskussion) 12:12, 2. Okt. 2012 (CEST)

Wiederaufnahme Diskussion übers Kleinsignalersatzschaltbild

In Diskussion Bipolartransistor Kleinsignalersatzschaltbild wurde darüber diskutiert den Bipolartransistor als "stromgesteuerte Stromquelle" zu bezeichnen.

Allerdings sehe ich das überhaupt nicht so. Denn in meinen Augen ist ein Transistor eine spannungsgesteuerte Stromquelle. Denn durchs Anlegen einer genügend großen Spannung an die Basis, im Vergleich zum Emitter, diffundieren Elektronen vom Emitter über die Basis in den Kollektor. Als Nebeneffekt ist ein Basisstrom zu beobachten.

Warum kommte ich darauf? In meinem Studium habe ich mal eine Gleichung gelernt nach der der Kollektorstrom $I_{C}$ abhängig ist von der Spannung $U_{\text{BE}}$.

$I_{\text{C}}=I_{\text{S}}\,\left(e^{\frac {U_{\text{BE}}}{n\,U_{\text{T}}}}-1\right)$

Für mich wird also der Strom am Kollektor definitiv durch die Spannungsdifferenz zwischen Basis und Emitter gesteuert. Nachdem sich hier viele direkt einig waren, habe ich mich mit einem Kollegen unterhalten, um meinen Irrtum auszuschließen. Dieser Kollege hatte mir versichtert, dass [Gilbert] dies genauso sieht, also der Transistor eine spannungsgesteuerte Stromquelle ist.

Ich hoffe einige der Hauptautoren schauen hier ab und zu noch rein und geben ihre Meinung dazu ab.

--Farigon (Diskussion) 16:19, 8. Aug. 2012 (CEST)

Hallo, wie oben schon erkennbar ist, nutzt man "stromgesteuerte Stromquellen" bei der Modellierung des Kleinsignalverhaltens. In grober Vereinfachung kann man in diesem Bereich auch den gesamten Bipolartransistor als "stromgesteuerte Stromquelle" auffassen. Deine Formeln beziehen sich auf das Großsignalverhalten. Hier wird der Bipolartransistor üblicherweise als spannungsabhängig Modelliert und man kann ihn als "spannungsgesteuerte Stromquelle" auffassen. Wichtig ist hier die Unterscheidung zwischen Groß- und Kleinsignalverhalten. --Cepheiden (Diskussion) 12:42, 7. Sep. 2012 (CEST)

Die Gleichung ist aber nicht linear. Strom und Spannung hängen offensichtlich immer zusammen (zur Not über eine Differentialgleichung), da ist unsinnig darüber zu diskutieren ob es das eine oder andere ist. Genutzt wird aber meist ein bestimmter Bereich in dem ein linearer Zusammenhang der Ströme besteht. Die Stromverstärkung ist recht konstant.(Ja, am BJ-Transistor ist nichts linear) --Moritzgedig (Diskussion) 17:11, 8. Sep. 2012 (CEST)

Ich findes es halt unglücklich, wenn man in dem Artikel die eine Hälfte weglässt, bzw nicht erwähnt in welchem Zusammenhang die Bezeichnung als stromgesteuerte Stromquelle zutrifft. Klar geworden ist auf jeden Fall, dass nicht eine der beiden Definition alleine stehend gültig ist. Das kam mir bei der letzten Dikussion zu kurz. Da hat halt jemand so überzeugend gewirkt, dass die andere Betrachtung unter den Tisch gefallen ist. --Farigon (Diskussion) 13:07, 12. Sep. 2012 (CEST)

Aber es wird doch nirgends behauptet oder doch? Wenn ja wo? --Cepheiden (Diskussion) 13:16, 12. Sep. 2012 (CEST)

Direkt im ersten Absatz: "Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert [...]" und unter "Funktionsweise" erster Satz: "Beim Bipolartransistor wird durch einen elektrischen Strom IBE zwischen Basis und Emitter ein stärkerer Strom ICE zwischen Kollektor und Emitter gesteuert." 217.10.52.10 14:37, 28. Nov. 2012 (CET)

Ja, und was wollen Sie jetzt? Machen Sie mal einen konkreten Änderungs- oder Ergänzungsvorschlag. Eine Ersatzschaltung ist halt ein Ersatz und kein Original. "in welchem Zusammenhang die Bezeichnung als stromgesteuerte Stromquelle zutrifft." Im durchlassbereich außerhalb der Sättigung o.a. Arbeitspunkt. "nicht eine der beiden Definition alleine stehend gültig" Es sind keine Definitionen sondern Ersatzschaltungen. --Moritzgedig (Diskussion) 16:43, 29. Nov. 2012 (CET)

Abschließend würde ich das so stehen lassen. Also ich mich anfangs gefragt habe, was nun was an einem Transistor steuert, war ich der Meinung es kann nur die Spannung sein die einen Strom steuert. Deswegen habe ich die Diskussion gestartet. Am Ende ist es ja relativ egal wie es beschrieben wird solange die Beschreibung ja korrekt ist. --217.10.52.10 15:56, 30. Nov. 2012 (CET)

Das Funktionsprinzip "eines Transistos" gibt es eh nicht, hier muss man zumindest zwischen Feldeffekttransistoren und Bipolartransistoren unterscheiden. --Cepheiden (Diskussion) 16:03, 30. Nov. 2012 (CET)

Ja klar, aber hier geht es ja um den Bipolartransistor. Über den FET habe ich auch nicht gesprochen. --Farigon (Diskussion) 14:24, 1. Dez. 2012 (CET)

Ich habe auf die IP geantwortet und wollte es nochmals klarstellen, oder stammen diese Beiträge auch von dir? --Cepheiden (Diskussion) 15:43, 1. Dez. 2012 (CET) P.S. Ansonsten ist es wie Moritzgedig gesagt hat, es sind Modellvorstellungen/Ersatzschaltbilder und auch für "stromgesteuerte Stromquelle" lassen sich unzählige Belege finden. Eine kritische Diskussion in einem Fachbuch ist mir noch nicht untergekommen

Oh ja die Beiträge mit der IP sind auch von mir. Ich war scheinbar nicht eingeloggt. Ja sicher wird man dazu unzählige Belege finden. Ich habe ja auch nur auf eine alte Diskussion verweisen wollen, in der jemand felsenfest davon überzeugt war, dass es nur die "stromgesteuerte Stromquelle" sein kann und viele gleich mit in den Chorus eingestiegen sind. Von mir aus können wir das Thema auch beenden. Ein Änderungsbedarf von meiner Seite aus gibt es schon länger nicht mehr. --Farigon (Diskussion) 10:16, 3. Dez. 2012 (CET)

Da ein BJT ohne Stromfluss durch die Basis nicht funktioniert, denke ich, dass die aktuelle Darstellung in Ordnung ist. Es wird ja nirgends gesagt, dass es es eine gesteuerte Stromquelle ist, auch wenn einige Leser dies mit der Wortwahl "gesteuert" verbinden. Wenn dir eine bessere Formulierung einfällt, können wir hier aber durchaus Verbesserungen vornehmen. --Cepheiden (Diskussion) 11:45, 3. Dez. 2012 (CET)

Gibt es überhaupt jemanden der ab und zu die Änderungen sichtet? Das wurde ja schon länger nicht mehr getan. --Farigon (Diskussion) 10:02, 4. Dez. 2012 (CET)

Verbesserungsvorschlag

Ich hatte die Seite eigentlich nur aufgesucht, um das Schaltbild eines Trandistors mit seiner realen Gestalt abzugleichen, also Basis, Kollektor und Emitter am echten Gegenstand zu identifizieren, weil ich mir sicher war, dass mir das hier bestimmt erklärt wird. Jetzt such ich halt woanders weiter. Mfg --2003:C0:1F0A:2FB5:C0B1:A84:5922:671E 00:19, 17. Feb. 2019 (CET)

Diese Daten sind jenach Transistortyp/Gehäuse verschieden und finden sich im Datenblatt.--wdwd (Diskussion) 08:25, 17. Feb. 2019 (CET)

dynamisches Verhalten

Es fehlt eine Erklärung warum der BJT nicht beliebig schnell ist. Hier zwei Entwürfe zum Millereffekt und zum begrenzten negativen Stromgradienten:

Ein weiterer, jedoch schaltungstechnisch zu überwindender, limitierender Faktor ist der Miller-Effekt bzw. die Kapazität zwischen Kollektor und Basis. Diese beträgt bei Kleinsignaltransistoren einige wenige Pico-Farrad. Ändert sich das Kollektorpotenzial, fließt ein Umladestrom durch C_CB und die Basis. Dieser Strom wird verstärkt und wirkt der Potentialänderung entgegen. Die Auskopplung des Kollektorstroms einer Emitterschaltung durch eine Basisschaltung vermeidet diesen Effekt, da der Eingangswiderstand der Basisschaltung fast Null ist. Eine Schmalbandige Lösung ist die Parallelkompensation von C_CB mit einer Induktivität.

... Durch Ändern des Basisstromes kann demzufolge der Kollektoremitterstrom gesteuert werden. Es wird durch den kleinen Basisstrom, verursacht durch die Defektelektronen, ein viel größerer Kollektorstrom (Elektronenstrom) gesteuert. Diese Steuerung ist jedoch in ihrem Verhalten asymmetrisch. Während ein Anstieg des Basisstroms schnell den Kollektoremitterstrom ermöglicht, dauert es länger bis die o.g. Vorgänge unterbleiben und das Bauteil zu einem Gleichgewicht mit weniger Strom zurück kehrt. Diese Dauer ist stark vom vorausgegangenen Verhältnis von Basisstrom zu Kollektorstrom abhängig. Stehen mehr Ladungsträger als für den Kollektorstrom nötig sind zur Verfügung (Sättigung), verzögert dies das Abschalten weiter. In Sättigung besteht keine Steuerung des Kollektoremitterstromes, da der Basisstrom nicht der begrenzende Faktor ist. Bei schnellem Abschalten kann für kurze Zeit ein negativer Basisstrom gleichzeitig mit einem abnehmenden Kollektorstrom fließen. Dieses Verhalten gibt es auch bei der pn-Diode, die Sperrverzögerungszeit. Da es bei der pn-Diode ohne Basis nicht zu einem Überangebot an Ladungsträgern kommen kann, schaltet diese viel schneller ab als ein Bipolartransistor. Bei schnellen Änderungen des Basisstromes oder in Sättigung gilt die Näherung der konstanten Stromverstärkung nicht. Diese Abschaltverzögerung ist der wesentliche Grund weshalb die schnellsten diskreten bipolaren NPN Siliziumepitaxialtransistoren bestenfalls eine Grenzfrequenz von 1 GHz erreichen. Eine deutliche Verbesserung ist der Heterojunction bipolar transistor.
--Moritzgedig (Diskussion) 21:03, 12. Mär. 2020 (CET)

Archivierung dieses Abschnittes wurde gewünscht von: Moritzgedig (Diskussion) 10:22, 31. Mär. 2020 (CEST)

Defekter Weblink

Der von GiftBot detektierte Link wurde mittlerweile entfernt. Allerdings gibt es erneut einen toten Link. Ich habe im Aschnitt Weblinks folgenden Eintrag entfernt: * [http://www.learnabout-electronics.org/bipolar_junction_transistors_05.php ''How A Bipolar Transistor Works''] – Animiertes Modell eines Bipolartransistors (engl.) Begründung: Der Link verweist auf eine ungenutzte Domain; die Ursprungsseite konnte nicht gefunden werden. Der Links ist nicht als Beleg/Quelle, sondern nur als weiterführender Weblink genannt. --The Bestseller (Diskussion) 19:00, 16. Mai 2021 (CEST)

Danke, schau aber mal in die Anleitung zu Vorlage:Literatur, wie ein solcher archiv-link gesetzt werden soll. Ich habe es korrigiert. Grüße --Cepheiden (Diskussion) 22:14, 31. Mai 2021 (CEST)