Diskussion:Diode/Archiv

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[[Diskussion:Diode/Archiv#Thema 1]]

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Lob an den Artikel

hey alle user von wikipedia. ich schreibe genau morgen eine physik-arbeit und als unterthema ist die diode angegeben.da unser physiklehrer aus unergründlicher weise unfähig ist uns den bgriff richtig und ohne hochkomplizierte umschweifungen zu beschreibn hab ich mich so durchgeklickt und hab endlich eine richtige verständliche erklärung auf dieser seite gefunden. wenn also morgen meine physik arbeit in die hose geht weiss ich zumindest dass es nicht an der diode lag. vielen dank für die klasse hilfe . (nicht signierter Beitrag von 84.172.53.213 (Diskussion) 22:47, 28. Apr. 2005 (CEST))

naja find das alles ziemlich sinnlos...ein monat vor de ferie..

aber es sind nur noch 4 wochen durchzustehen. (nicht signierter Beitrag von 84.173.208.110 (Diskussion) 09:32, 27. Jun. 2005 (CEST))

Undefinierte Begriffe

Im Artikel werden die Begriffe Sperrschichtkapazität und Diffusionskapazität verwendet, ohne sie zu erklären. Auch an anderer Stelle finde ich nichts zu diesen Begriffen. Könnte da mal jemand, der was davon versteht, entsprechende Begriffserklärungen hinzufügen? --jpp 12:21, 22. Jul 2005 (CEST)

Habe die entsprechenden Abschnitte beschrieben. Den Text für die Sperrschichtkapazität habe ich allerdings von Kapazitätsdiode geklaut, man kann es aber sicher noch besser (dh. verständlicher) formulieren...

Fehlen also nur noch ein paar Worte zum Kleinsignalmodell

Anmerkung: habe deine Links korr., hoffentlich ist das ok für dich jpp.

MovGP0 14:33, 24. Jul 2005 (CEST)

Das ist ok für mich. Vielen Dank, dass du diese Begriffe erklärt hast. Ich frage mich allerdings, ob die beiden Begriffe Sperrschichtkapazität und Diffusionskapazität auch für andere elektronische Bauelemente definiert sind. Dann hätten sie meines Erachtens eigene Lemmata verdient. --jpp 17:07, 24. Jul 2005 (CEST)

Wer kann mir verraten, was im Abschnitt "Hochstromeffekt" nach "...der mittleren Ströme auf 2n bei I<" fehlt? --84.167.23.152 20:37, 18. Aug 2005 (CEST)

Schaltzeichen

Nicht nur hier, auch bei anderen Artikeln tauchen Schaltzeichen auf, die nicht den deutschen Normen entsprechen. Sollte n nicht besser die "richtigen" rein? -- Smial 23:33, 16. Jan 2006 (CET)

Nach Möglichkeit schon. Das dargestellte Symbol im Artikel stimmt afaik (allgemeine Gleichrichtung), nur die Beschriftung müsste man überarbeiten. Ein guter Ausgangspunkt dürfte DIN 40900-5; 1988-3 sein. Man sollte aber villeicht vorher einen guten Artikel mit allen in der Ektrotechnik gängigen Symbolen machen.

siehe auch: http://www.igevu.de/

MovGP0 21:10, 17. Jan 2006 (CET)

Aufteilung des Artikels

Im Artikel Bipolartransistor gibt es eine Diskussion darüber ob die Formeln im Artikel in eine getrennte Formelsammlung ausgelagert werden soll. Dies könnte ich mir auch hier vorstellen um den Artikel übersichtlicher zu gestalten. Vorschläge:

1. Diode/Formeln
2. Diode (Formelsammlung)

MovGP0 10:20, 5. Mär 2006 (CET)

Wenn sehr ausführliche mathematische Herleitungen und Zusammenhänge damit erklärt werden finde ich so etwas gut. Das soll in meinen Augen die Lesbarkeit für Laien verbessern. Diese benötigen meist nicht eine möglichst exakte Beschreibung durch Gleichungen sondern gut zu verstehenden Text. Bei der Diode halte ich das Auslagern derzeit NOCH nicht für notwendig. stören würde es aber auch nicht. --Cepheiden 13:58, 5. Mär 2006 (CET)

Innenaufbau einer Diode

Es fehlen meiner Meinung nach noch Einzelheiten zum Innenaufbau und Funktion der Diode. Die Dotierung wird erwähnt, nicht aber was es ist. Es fehlen auch noch Begriffe wie Störstelleneffekt.

Hier mein Vorschlag zur Ergänzung mit kurzer Erklärung zu Dotierung, Störstelleneffekt, n-Leitung und p-Leitung:

Innenaufbau

In einer Diode befindet sich ein Halbleitermaterial, das an einer Seite positiv und an der anderen Seite negativ dotiert ist. Als Halbleitermaterial werden überwiegend Silizium und Germanium verwendet. Die Eigenleitfähigkeit eines Halbleiters ist sehr gering, und daher nur begrenzt technisch nutzbar. Um die Leitfähigkeit des Halbleiters zu erhöhen , wird das reine Material des Halbleiters mit Fremdatomen verunreinigt. Dieses Einpflanzen von Fremdatomen nennt man Dotieren. Beim Dotieren werden Atome mit mehr oder weniger als 4 Elektronen auf der äußeren Schale in den Gitterverband des Halbleiters eingebracht. Meistens werden Elemente aus Gruppe 3 und 5 im Periodensystem verwendet. Diese haben 3 bzw. 5 Elektronen auf ihrer äußeren Schale, man nennt sie Valenzelektronen. Bei der Dotierung nimmt eine Anzahl Fremdatome die Plätze von einigen Germanium- bzw. Siliziumatomen im Gitterverband ein. Die dadurch entstehende Leitfähigkeit nennt man Störstelleneffekt.

Bei den Fremdatomen die zur Dotierung verwendet werden unterscheidet man zwischen Akzeptoren und Donatoren. Akzeptoren sind Elemente aus der Gruppe 3 im Periodensystem und haben 3 Valenzelektronen. Am häufigsten werden Bor, Aluminium, Gallium und Indium verwendet.

Die Donatoren sind aus der Gruppe 5 im Periodensystem und haben 5 Valenzelektronen. Hierführ werden Gewöhnlich Phosphor, Arsen und Antimon verwendet.

Wird bei der Dotierung eines Siliziumkristallgitters ein Atom verwendet, das 1 Elektron mehr auf der Außenschale hat als Silizium, so steht dieses fünfte Elektron nach der Bindung der 4 anderen Elektronen mit dem Siliziumatoms als freier Ladungsträger für den Ladungstransport zur Verfügung. Da Elektronen negativ geladen sind, ist das Siliziumatom nun n-dotiert. Der Leitungsmechanismus in n-dotierten Halbleitern wird durch freie Elektronen hervorgerufen. Man spricht von Elektronenleitung oder n-Leitung.

Verwendet man bei der Dotierung ein Atom mit weniger Elektronen auf der Außenschale als bei Silizium, kommt es nicht mehr zu einer vollständigen Bindung des Fremdatoms mit den Nachbaratomen des Siliziums. Da der Akzeptor , zum Beispiel Bor nur 3 Valenzelektronen hat können sich auch nur 3 Elektronen mit den Siliziumatomen verbinden. Ein Elektron eines Siliziumatoms bleibt ohne Partner. An dieser Stelle entsteht nun ein Loch und damit ein freier positiver Ladungsträger. Das Fremdatom der Gruppe 3 (Bor) ist bestrebt , eine vollständige Bindung zu seinem Nachbaratomen zu erreichen. Dieses kann durch freie Elektronen oder mit Elektronen anderer Siliziumatome geschehen. Man spricht von der p-Leitung.

Felippo 25.05 2006 (falsch signierter Beitrag von Felippo (Diskussion | Beiträge) 04:37, 25. Mai 2006 (CEST))

Ich halte es für keine gute Idee die Dotierung an dieser Stelle so ausführlich zu behandeln, sondern besser im entsprechenden Artikel. Sonst müsste man beginnen in sämtlichen Artikeln über Halbleiterbauteilen einen entsprechenden Absatz einzufügen.

Mein Vorschlag ist daher lieber den Artikel Dotierung zu überarbeiten. -- MovGP0 12:18, 25. Mai 2006 (CEST)

Tippfehler im Schaltzeichen-Bild

Hallo, ich würde das ja selbst bearbeiten ich weiß aber nicht wie man hier Bilder hochlädt. Jedenfalls fehlt im Bild bei Kathode das "h". (nicht signierter Beitrag von 217.81.37.181 (Diskussion) 12:40, 22. Jun. 2006 (CEST))

Danke dieser Fehler ist jetzt behoben! Zum Hochladen von Bildern kann ich dir das Bildertutorial empfehlen. ---=Crownmaster=- 23:51, 28. Dez. 2007 (CET)

Schreibfehler behoben

Vorher stand unter 'Mechanisches Ersatzmodell' Flussssrichtung mit vier 's'. (nicht signierter Beitrag von Simon4 (Diskussion | Beiträge) 19:03, 18. Aug. 2006 (CEST))

@Benutzer:Simon4:

der Eintrag hier war aber sicher mehr Änderrung als die Korrektur des Tippfehlers. — MovGP0 08:22, 20. Aug 2006 (CEST)

Ich verstehe nicht, was du sagen willst... Falls ich einen Fehler gemacht haben sollte, einfach sagen. (nicht signierter Beitrag von Simon4 (Diskussion | Beiträge) 14:41, 5. Nov. 2006 (CET))

Durchbruchsspannung

Die Vorwärtsspannung (bsp.: 0,7V) wird doch auch Durchbruchsspannung genannt, oder? Ich hab das mal eingefügt. Falls das nicht stimmen sollte, bitte korrigieren! Ich bin auch blos ein Mensch. Danke! Quark48 18:21, 28. Aug. 2007 (CEST)

Ok, hab's gleich korrigiert. :) Die Begriffe sind nicht ident: Vorwärtsspannung ist jene Spannung welche an der Diode in Flussrichtung abfällt. Sollte bei einer "idealen" Diode null sein, bei klassischen np-Siliziumdioden die bekannten rund 0,7 V, was mit der Ladungsträgerdiffusion in der Raumladungszone des pn-Übergangs zusammenhängt. Die Durchbruchspannung ist jene Spannung welche in Sperrrichtung, also bei "umgekehrter Vorwärtsspannung" an der Diode anliegt und wo die Diode durchbricht: Wo die Spannung so hoch wird, das quasi "der Damm bricht". Bei der idealen Modelldiode ist diese Sperrspannung unendlich, bei realen "Hochspannungs-SI-Dioden" liegen die maximalen Sperrspannungen, je nach Typ verschieden, bei maximal einigen wenigen kV. Bei typischen Kleinsignaldioden, je nach Typ verschieden, so im Bereich von 50V bis 100V.--wdwd 19:51, 28. Aug. 2007 (CEST)

Alles klar. Wir haben, wenn ich mich recht entsinne, in der Arbeit immer Durchbruchsspannung dazu gesagt. Kurz nach dem Verändern des Artikels hab ich dann im Internet gesucht und dann gelesen, dass der Begriff anscheinend manchmal auch fälschlicherweise für die Vorwärtsspannung benutzt wird.

Daheim benutze ich immer die gute alte 1N4007. Sie soll ja 1000V aushalten, und erst drüber gibts den Exitus. Lange Rede, kurzer Sinn: Dann ist das Thema geklärt ;-) Gruß, Quark48 19:59, 28. Aug. 2007 (CEST)

Umgangssprache im Bild

Im Bild "so funktioniert die Diode" sollte doch bitte der Begriff "Glühbirne" in "Glühlampe" oder "Verbraucher" geändert werden. Es gibt kein elektrisches Obst! Gruz, Toni (nicht signierter Beitrag von 134.155.8.95 (Diskussion) 21:50, 12. Sep. 2007 (CEST))

Lass Dich nicht davon abhalten, das zu ändern, wenn es Dir nicht gefällt. Grüße, Timo 82.83.130.88 08:06, 19. Dez. 2007 (CET)

Linearität

Ist der Temperaturverlauf einer Diode mehr oder weniger linear? -- Köf3 22:10, 14. Okt. 2009 (CEST)

Siehe Kapitel Diode#Temperaturabhängigkeit. Da ist die Spannung UT proportional zu T. Wenn man andere Größen betrachtet, geht sie meist mit einer Arrhenius-Gleichung. --PeterFrankfurt 02:27, 15. Okt. 2009 (CEST)

Formel falsch

Nach der Formel: Wenn die Temperatur steigt, wird UT größer, also die Zahl im Exponent kleiner, also sinkt der Strom. Das ist falsch: Der Strom durch eine Diode steigt, wenn es wärmer wird.

Außerdem sollte man den Buchstaben "e" nicht im selben Zusammenhang sowohl für die Eulersche Zahl als auch für die Elementarladung benutzen. (nicht signierter Beitrag von 77.10.111.75 (Diskussion) 11:08, 20. Nov. 2010 (CET))

Genau der Wert des Exponentialterms wird geringer, aber der Strom nimmt zu, denn dort steht noch ein Term ( I_S (T) ) den du offensichtlich übersehen hast. Siehe ein paar Abschnitte weiter unten auf der Seite. --Cepheiden 11:19, 20. Nov. 2010 (CET)

Abgrenzung

"Der Begriff Diode wird im engeren Sinne nur für mit einem p-n-Übergang arbeitende Gleichrichter-Dioden verwendet." – Leuchtdiode, Laserdiode gehören wohl zum "engeren Sinn" (liegt eigentlich Sinn darin, Solarzellen nicht als Dioden zu bezeichnen, oder nur Gewohnheit?). – Rainald62 22:02, 2. Feb. 2011 (CET)

Vermutung: Gewohnheit. Da geht's wohl weniger um Abgrenzung zu LED/Laserdioden, sondern um Abgrenzung zu den Röhrendioden.

Solarzellen sind im Prinzip in Vorwärtsrichtung betriebene Fotodioden. Der Beriff "Zelle" tritt im Zusammenhang auch mit anderen elektr. Quellen wie den Galvanischen Zellen auf..--wdwd 22:16, 2. Feb. 2011 (CET)

"in Vorwärtsrichtung betrieben" – die Polarität der Spannung ist wie an einer Gleichrichterdiode in Vorwärtsrichtung, der Strom jedoch wie ein Sperrstrom orientiert. Nach der Definition von Anode und Kathode (abhängig von der Stromrichtung, nicht der Spannung) müssten die Anschlüsse einer Solarzelle umbenannt werden ;-)

Wenn die Abgrenzung zu LED/Laserdioden nicht beabsichtigt ist, dann ist die Einschränkung "nur Gleichrichter-Dioden" nicht korrekt. Zudem wird, obwohl die Bedingungen "Gleichrichter", "Diode" und "pn-Übergang" sämtlich zutreffen, der Selen-Gleichrichter explizit ausgeschlossen. Aber: 81 Treffer in Google-Books für die Selen-Diode, 99 für den Selen-Gleichrichter (der ja oft aus mehreren Dioden aufgebaut ist). Ich bin dafür, beide Sätze ersatzlos zu streichen. – Rainald62 22:58, 3. Feb. 2011 (CET)

Selen-Gleichrichter

Das ist wirklich ein bisschen eigenartig: Im Artikel wird die Schottky-Diode als einzige Variante neben der pn-Sperrschicht mit aufgeführt, der Selen-Gleichrichter aber nicht. Und in seinem eigenen Artikel wird Letzterer auch nicht als Schottky-Diode bezeichnet, zur Funktion finde ich dort eher gar nichts. Zählt das denn nicht als Schottky-Diode? Ich werde da etwas stutzig, bin aber kein Fachmann für solche Details. --PeterFrankfurt 03:03, 4. Feb. 2011 (CET)

Die Selen-Diode hat einen pn-Übergang, gebildet aus grauem, hexagonalen Selen, das durch Dotierung mit Halogenen p-leitend ist, und n-leitendem CdSe, also keine Schottky-Diode. – Rainald62 11:27, 4. Feb. 2011 (CET)

Ist das denn inzwischen als gesichert anzusehen? Soweit ich gelesen habe, war Schottky selbst der Meinung es sei ein Metall-Halbleiter-Übergang als er im Siemens-Schaltwerk in Berlin Siemensstadt begann Selengleichrichter zu produzieren. Das konnte davor nur die AEG. Schottky bezeichnete die Selengleichrichterherstellung allerdings als Alchemie, denn er benötigte Jahre um die Beschichtung der Eisenbleche für marktfähige Gleichrichter zu schaffen. --Schily 12:09, 4. Feb. 2011 (CET)

Mit welchen Metallen hat Schottky das Selen denn beschichtet? Im Fall von Sn ist es wohl stets ein Schottky-Kontakt. Mit Cd hängt es von der Dicke der CdSe-Schicht und von der Höhe der Sperrspannung ab. Wenn die Tiefe der Raumladungszone die Schichtdicke erreicht, ist die angemessene Beschreibung nicht mehr ein pn-Übergang, sondern eine Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur. – Rainald62 12:04, 5. Feb. 2011 (CET)

Wenn ich mich richtig erinnere, dann kann man das in einer Doktorarbeit über Hebert Mataré nachlesen. Ich bin mir aber relativ sicher, daß er die Eisenbleche zunächst mit einem anderen Material beschichtet hat und bei dieser Beschichtung (mit Cd???) war wohl Alchemie notwendig, damit das spätere Gesamtsystem funktioniert. --Schily 12:22, 5. Feb. 2011 (CET)

Nach allen mir bisher untergekommenen Beschreibungen der Herstellung ist die aktive Struktur an der Oberseite (wenn unten die Seite mit dem Eisen ist) und überwiegend wurde mit CdSe beschichtet oder mit Cd mit nachfolgendem reaktiven Diffundieren zur Bildung von CdSe. Das waren allerdings alles Forschungsarbeiten, überwiegend aus den 70ern. Wie das in der Massenfertigung war, weiß ich nicht. Der Artikel Selen-Gleichrichter spricht von zwei Dioden auf einem Blech als gemeinsamer Kathode, was die aktive Zone an der Unterseite vermuten lässt. Kann das mal jemand nachmessen? (meine Brückengleichrichter-Exemplare sind sämtlich dicht gepackt aus 5 Blechen). Andererseits wird dort von einer Zinnlegierung an der Oberseite gesprochen und Zinnn bildet mit Selen ebenfalls eine (Schottky-)Diode. – Rainald62 14:16, 5. Feb. 2011 (CET)

Ooops, Halbschlaf nach dem Mittagessen! Das Fe als Kathodenanschluss passt doch zu p-Se. – Rainald62 23:47, 5. Feb. 2011 (CET)

Datei:Slen-Fotoelement.png

Selen-Fotoelement

Noch als Zwischenruf, Selen ist von Natur aus ein p-Leiter auch ohne Halogene und Selen ein n-Leiter. Dem schwammigen Pfeil auf dieser Grafik nach sollte ein Selen-Gleichrichter einen pn-Übergang besitzen. Das Selen-Fotoelement basiert jedenfalls definitiv auf einem pn-Übergang.

Doch sprechen Webseiten, wenn eine Zuordnung erfolgt von Metall-Halbleiter-Übergang. Diese Zeichnung spricht auch eher für Metall-Halbeiterübergang, obwohl die Beschichtung mehrlagig aufgebaut sein könnte.

Bei durchschauen von Patenten bin ich häufig auf Zinn-Cadmium-Legierungen als Material für die Gegenelektroden gestoßen (bsp. Patent US2124306.‌. Mein Eindruck ist, das es sich um einen pn-Übergang handelt, obwohl ich einen Metall-n-Übergang nicht ausschließen kann.

~ Stündle (Kontakt) 17:58, 5. Feb. 2011 (CET)

Ja, passt. Zinn für niedrigen Schmelzpunkt, unter dem von Selen bei 220 °C, Cd diffundiert dann aus der Legierung ins Selen um die CdSe-Sperrschicht zu bilden. Wollen wir diesen Abschnitt zum Selen-Gleichrichter verschieben? – Rainald62 23:47, 5. Feb. 2011 (CET)

In diesem Dokument auf (Seite 115ff.) steht, das es sich um einen pn-Übergang handelt und es lange Zeit unklar war, wie der Selengleichrichter überhaupt funktioniert. Nach diesem Dokument bezeichnet "Metal Rectifier" nicht einen Gleichrichter mit einer Schottky-Barriere sondern dient offenbar als Abgrenzung gegenüber Quecksilberdampfgleichrichtern & co. Ich denke damit ist die Quellenlage eindeutig genug, um zu sagen, dass der Selengleichrichter auf einem pn-Übergang beruht. ~ Stündle (Kontakt) 18:36, 8. Feb. 2011 (CET)

Vorschlag: Diese Info unter Selen-Gleichrichter wäre toll. Die diversen Gehäuseabbildungen im Selen-Gl-Artikel sind zwar alle ganz nett, aber vielleicht findet sich noch eine Schnittdarstellung (Schichtdarstellung) zur obigen Erklärung. na, mal schaun.--wdwd 22:17, 8. Feb. 2011 (CET)

Ein erster Schritt wäre die Verschiebung dieser Diskussion auf die dortige Disk (zur Vorbereitung hatte ich hier die Zwischenüberschrift eingeführt ;-) Widerspruch? – Rainald62 14:05, 9. Feb. 2011 (CET)

Habe es dort hin hinkopiert, bitte ggf dort weiter.--wdwd 19:28, 9. Feb. 2011 (CET)

Überarbeitung der Einleitung

Meine Änderungen an der Einleitungen haben keinen Bezug zur aktuellen Diskussion, sondern geschahen zufällig zeitgleich als ich mir vorgenommen habe den Artikel zu verbessern und Korrektur zu lesen. ~ Stündle (Kontakt) 13:07, 4. Feb. 2011 (CET)

Laut Tietze&Schenk bestehen Dioden aus einem pn- oder Metall-n-Übergang, also beides mal ein Halbeiter dabei. In der Praxis sei mit Diode eine Silizium-pn-Diode gemeint und andere Typen werden durch Namenszusätze gekennzeichnet. ~ Stündle (Kontakt) 13:22, 4. Feb. 2011 (CET)

Ja, mit der Formulierung kann ich mich sehr gut anfreunden. --PeterFrankfurt 02:32, 5. Feb. 2011 (CET)

Dieses Fragment ist gut, insgesamt war die vorherige Version der Einleitung aber OmA-tauglicher. Die Beschreibung der Kennlinie gehört gekürzt oder garnicht in die Einleitung, denn Leser, die mit dem Begriff 'Kennlinie' etwas anfangen können, werden die der Diode kennen und sich auch nicht daran stören, wenn statt Gleichrichtung das Rückschlagventil erwähnt wird. – Rainald62 12:04, 5. Feb. 2011 (CET)

Nach der Klärung des Selengleichrichters habe ich mich vorübergehend anderen Dingen gewidmet. Nun steht eine nochmals überarbeitet Einleitung im Artikel, die die gemachte Kritik berücksichtigen soll. ~ Stündle (Kontakt) 09:12, 23. Feb. 2011 (CET)

Alter Beitrag

Auf dieser Seite können Vorschläge zur Änderung des Artikels eingebracht und diskutiert werden: (nicht signierter Beitrag von Freak 1.5 (Diskussion | Beiträge) 09:14, 28. Sep. 2006 (CEST))

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. ~ Stündle (Kontakt) 14:12, 18. Mai 2011 (CEST)

Tietze-Schenk

ich bin gerade drauf gestoßen, dass die Herren Tietze und Schenk auf der Seite zu ihrem Buch das Kapitel Diode als schnupper-Lektüre zum Download anbieten - in welche Kategorie gehört das? Literatur oder Weblinks? http://www.tietze-schenk.de/tsprobe.pdf bzw. http://www.tietze-schenk.de (nicht signierter Beitrag von 91.89.172.74 (Diskussion) 22:40, 8. Mär. 2008 (CET))

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. ~ Stündle (Kontakt) 14:12, 18. Mai 2011 (CEST)

Anwendungen

...von Dioden fehlen bisher und sollten noch ergänzt werden. --212.202.83.153 09:51, 15. Mär 2006 (CET)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. ~ Stündle (Kontakt) 14:12, 18. Mai 2011 (CEST)

Temperaturabhängigkeit

Schöne Formeln, aber wo kommen die her? Ich grübel gerade bzgl. der temp.abhängigkeit des Sättigungsstromes I_S(T) ... Eine Literaturquelle wäre sehr schön! Danke. (nicht signierter Beitrag von 138.246.7.176 (Diskussion) 00:39, 29. Mai 2011 (CEST))

Schöne Formeln, aber welche meinst du denn? Versprich dir von einer Literaturquelle nicht zu viel; die gibt höchstwahrscheinlich auch nur die Formel her. Um die Temperaturabhängigkeit zu erklären, musst du schon sehr tief in die Halbleiterphysik einsteigen. Erst da hat es Sinn zu grübeln. --Saure 12:03, 31. Mai 2011 (CEST)

Widersprüchliche Bezeichnungen

Durchlassspannung, Schleusenspannung, Kniespannung, Schwellenspannung, "notwendige Vörwärtsspannung", engl. forward voltage drop, $U_{S}$

Vorwärtsspannung, Flussspannung, engl. forward voltage, $U_{F}$

Diffusionsspannung, $U_{D}$

Diese Begriffe werden im Artikel nicht klar voneinander abgeggrenzt. So wird im mechanischen Ersatzmodell zuerst von der "Überwindung des Federdrucks" gesprochen und dann mit der Flussspannung verglichen. Das is aber eher die minimale Flussspannung, oder auch Schleusenspannung = Schwellenspannung = Kniespannung etc. Leider haben sich im Laufe der Zeit verschiedene Begriffe herausgebildet, die alle das Gleiche bedeuten.

Weiterhin ist in der Shockley-Gleichung im Artikel die Funktion abhängig von $U_{D}$. Allerdings wird im Kennlinienbild daneben als Spannung $U_{F}$ an die x-Achse angetragen. Das passt nicht zusammen und außerdem wird in der Literatur die Diffusionsspannung mit $U_{D}$ bezeichnet.

Ich habe mir jetzt mal die Mühe gemacht und habe diverse Google Books, andere Wikis (z.B. Roboter Wiki, englisches Wiki) und auch das Meyer Lexikon durchforstet und bin auf folgende gleichwertige Begriffe gestoßen:

Schleusenspannung = Schwellenspannung = Durchlassspannung = Kniespannung = "notwendige Vorwärtsspannung"(hier im Artikel) = engl. forward voltage drop = $U_{S}$

Vorwärtsspannung = Flussspannung = engl. forward voltage = $U_{F}$

Wenn keine Einwände bestehen, würde ich das gerne hier abändern. Das ganze Problem ist wohl dadurch entstanden, dass in der Shockley-Gleichung (aus dem Buch The Transistor aus dem Jahr 1951) für die anliegende Vorwärtsspannung $U_{D}$ verwendet wird und nicht $U_{F}$.

Zur Schleusenspannung habe ich gefunden: Die Schleusenspannung $U_{S}$ ist als diejenige Spannung definiert, bei der der Durchlassstrom I 10% des Maximalwertes $I_{max}$ erreicht. (nicht signierter Beitrag von Cabfdb (Diskussion | Beiträge) 09:55, 15. Aug. 2009 (CEST))

Hallo Cabfdb, ich habe aus Versehen schon einmal mit der Überarbeitung (Systematisierung) begonnen. Kannst es gerne noch weiter verbessern! Zu Schleusen-, Schwellen-, Durchlass-, Knie-, Vorwärts- und Flussspannung sollte man sich noch etwas ausdenken, vieles hängt vom Betrachterstandpunkt ab, weitere Sxstematisierung sinnvoll. Z.B. Kniespannung, weil die Kennlinie einen (makroskopischen) Knick hat, was man bei einem Bein dann "Knie" nennt. So banal sind manche Benennungen! MfG -- BenGeo 02:30, 13. Jan. 2012 (CET)

Das mit dem "knie" kommt meiner Meinung nach vom Knickgerademodell, indem die KL den "Knick" bei der Schwellspannung hat. Ansonsten sollten die Begriffe schon bei minimalen Kenntnissen den jeweiligen Synonymen zugeordnet werden können -- 62.158.122.20 14:52, 19. Mai 2012 (CEST)

Strukturfehler

1). Die Weiterleitung von Halbleiterdiode ist ungeeignet, denn Diode ist Überbegriff aller anderen Unterkategorien von Dioden. In diesem Artikel wird Diode ungenau verwendet, als Halbleiterdiode im ggs. zur Röhrendiode und als Gleichrichterdiode in der Unterkategorie gerade genannter Halbleiterdioden

Beweis:

- Weiterleitung: Halbleiterdiode

- Zeile 9 Gleichrichterdiode

quod erat demonstrandum

In Wikipedia gibt es zu jedem Diodentyp einen Artikel. Wenn hier die Gleichrichter- oder Demodulatordiode behandelt wird, gehört das bereits in die Weiterleitung und nicht nebenbei in den dritten Einleitungsabschnitt.

Der Artikel bedarf einer Klarstellung, Entrümpelung, Fehlerfilterung, Restrukturierung und Befreiung von Meinungen:

2). Der erste Satz ist sowohl halbsatzweise als auch im Ganzen fachlich falsch, und grammatikalisch fraglich:

"Eine Diode ist ein elektrisches Bauelement, das Strom nur in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung als Isolator wirkt."

2.1. erster Halbsatz falsch:

Beweis:

-elektronisch wäre korrekt, denn Elektrik ist das Fachgebiet mit der Hausinstallation.

quod erat demonstrandum

2.2. grammatikalisch unsauber, im Ganzsatz fachlich falsch:

Beweis:

Das gilt nur für Gleichrichter und ist immer noch nicht präzisiert. Es gibt bipolare und unpolare Dioden, sowohl einfachere und kompliziertere als die Gleichrichterdiode:

-Diac und ebenfalls Gehörschutzdioden Selengleichrichter zur Störbegrenzung

- Varaktoren als Hochfrequenz-Dioden zur Frequenz-Vervielfachung

- unpolare Gunn-Diode und polare Tunneldiode zur Schwingungserzeugung, das hat wohl nichts mit Gleichrichtung zu tun!

quod erat demonstrandum

Vorschlag: Im allerersten Satz bereits sofort präzisieren, daß nur Gleichrichterdioden gemeint sind und nicht irgendwo in der Mitte der Einleitung.

Wenn aber alle Dioden irgendwo in Wikipedia gemeint sein sollen, bedarf es einer Struktur, also ganz oben eine Übersicht mit Unterteilung polar/unpolar/bipolar, bei den Unidirektionalen gehört zur Definition Anode und Katode und die Aufzählung der Einsatzgebiete wie:

-Gleichrichtung/ Demodulation

-Stabilisierung

-Begrenzung

-Spannungsabfall

-Frequenzvervielfachung

-Leucht- und Brennzwecke (Laser)

usw.

Die Details der Gleichrichterdiode kann in einem gleichwertigen Unterabschnitt erfolgen oder auch in eigenem Artikel.

3). Der zweite Satz ist falsch:

"Daher wird von Durchlassrichtung und Sperrrichtung gesprochen."

Beweis:

Das gilt nur für Gleichrichter und ist immer noch nicht präzisiert. Es gibt symmetrische Dioden (DIAC, Gehörschutzgleichrichter, Gunn).

quod erat demonstrandum

4). Der dritte Satz ist falsch:

"Bei Wechselstrom bewirken Dioden aufgrund ihrer Eigenschaften eine Gleichrichtung, also eine Umwandlung in Gleichstrom."

Beweis:

Der Varaktor soll beim Vervielfachen die Hochfrequenz nicht gleichrichten, die Esaki- ganz im Gegenteil sogar HF-Wechselstrom erzeugen und die Gunn- kann gar nicht gleichrichten. Die Drei- Vier- Fünfschicht- und PIN-Dioden sind ebenfalls für andere Zwecke gedacht.

quod erat demonstrandum

5)."Der Begriff Diode wird aber im engeren Sinne nur für Gleichrichterdioden verwendet..."

Erst hier Katze aus dem Sack und soll der Sprachgebrauch Struktur und Wissen ersetzen?

Gute Artikel schreiben:

   Schreibe sachlich: Beschreibe den Sachverhalt und nicht deine persönliche Meinung.
   Schreibe mit Belegen: Gib an, aus welchen Werken du dein Wissen hast, damit es nachprüfbar ist.Schreibe mit Belege.

Da sind noch mehr Strukturfehler im Text, z.B. ist Kleinsignaldiode keine systemische Unterkategorie sondern nur ein Gegensatz zur Leistungsdiode.

6). Die Wortherkunft ist auch noch falsch:

Der Begriff Diode stammt aus dem Jahr 1919, vorher gab es Gleichrichter. Di bedeutet griechisch zwei und steht für die Anzahl der Elektroden, (analog Tri für drei bei Triode, Penta fünf bei Pentode usw.) und keinesweg Weg. Das mag es auch bedeuten, ist aber nicht der Fall hier.

Beweis:

http://dictionary.reference.com/browse/diode

quod erat demonstrandum (nicht signierter Beitrag von Grafenberg (Diskussion | Beiträge) 07:47, 16. Jan. 2012 (CET))

zu 1) und mehr. Unter Diode wird allgemein (ob Schüler oder Prof.) die Silizium-Gleichrichterdiode verstanden. Daher wird dem unbedarftem Leser zu liebe auf diese Eigenschaft zu erst eingegangen. Wenn da steht „Diode ist ein Ding mit zwei Anschlüssen, das es in wundersamen Varianten gibt“ ist niemandem geholfen. Änderungen hier also nur, wenn die Allgemeinverständlichkeit der Einleitung nicht verloren geht.

zu 5b) Die Kleinsignaldiode ist in der Tat eine seltsame definiert

zu 6) Das „ode“ steht für Weg. Das „di“ für zwei steht darf noch erwähnt werden. Steht so in deinem Link. Genauer ist da etwa http://www.tech-faq.com/diode.html sprich [:en:William Eccles]] (en hat gerade Blackout).

~ Stündle (Kontakt) 21:13, 18. Jan. 2012 (CET)

All das darf aber nicht dazu führen, dass auch existierende Diodentypen wie die Röhrendioden einfach wegdefiniert werden. Da muss man allgemeingültig bleiben, auch wenn es sonst didaktisch simpler wäre. Andererseits kann ich nicht erkennen, wie durch die allgemeinere Formulierung die Verständlichkeit groß leiden sollte. Wer weiß, wie viele Röhrendioden als Radio-Demodulatordioden womöglich noch in Betrieb sind. Vielleicht auch in Radargeräten oder sowas, alles ist öglich. --PeterFrankfurt 03:55, 19. Jan. 2012 (CET)

Erst die einfache Eigenschaft erklären und dann erweitern, unterschlagen wird nichts. So wie es Beispielsweise en:Diode macht liest kein Mensch mehr die Einleitung, nicht mal ich mit Studium und Interesse für Elektronik. Den ersten Absatz nach hinten rücken und schon wird die Einleitung gelesen. Nebenbei: Tietze/Schenk erwähnt die Röhrendiode nicht mal. ~ Stündle (Kontakt) 10:54, 19. Jan. 2012 (CET)

Tietze/Schenk? Halbleiterschaltungstechnik? Das überrascht mich wenig, dass dort Röhrendioden nicht erwähnt werden. Dieses viel zitierte Standardwerk beinhaltet übrigens nicht mal alle Halbleiterbauelemente. --Cepheiden 15:47, 19. Jan. 2012 (CET)

Evtl. wäre es hier besser, die Seite in eine allgemeine Beschreibung umzubauen, die etwas weiter als eine Begriffsklärungsseite geht. So könnten auch Fehlverknüpfungen besser ausgeschlossen werden. --Cepheiden 18:00, 19. Jan. 2012 (CET)

Das Lemma hier heißt nun mal "Diode" und nicht "Halbleiterdiode". Die Ergänzungen, die sich auf Röhrendioden und noch andere beziehen, sind aber in meinen Augen so minimal, dass es keinen zweiten Artikel braucht. Und ich sehe immer noch nicht, was am ersten Absatz schwer verständlich sein soll. Dort wird doch, wie es alle Richtlinien fordern, als allererstes der Zweck und das Grundprinzip dargestellt, dass Strom nur in einer Richtung durchgelassen wird. Und das nennt man Gleichrichtung. Das nach hinten zu verschieben wäre Frevel. Dann finge das ja mit den geschichtlichen, eher uninteressanten, Details an, die rein gar nichts zum Verständnis des eigentlichen Verhaltens beitragen. --PeterFrankfurt 02:28, 20. Jan. 2012 (CET)

Das ist doch was Benutzer:Grafenberg bemängelt, das Lemma umfasst alle Dioden. warum also hier einen Abschnitt wie Diode#Aufbau und Physik einer Halbleiterdiode aufführen? Sinnvoller wäre es diese nach Halbleiterdiode (derzeit Weiterleitung auf Diode) auszulagern und hier strikt eine allgemeine Beschreibung für Diode im allgemeinen zu geben. Falls nicht sollte man zumindest in der Einleitung noch klarer darstellen, dass dieser Artikel sich mit der Halbleiterdiode beschäftigt. Das ist derzeit nicht ausreichend. --Cepheiden 02:53, 20. Jan. 2012 (CET)

Äh, nein, dieser Artikel beschäftigt sich mit allen Formen von Dioden. Dabei ist aber sehr viel (bis auf die Kennlinienmathematik und den mechanischen Aufbau) für alle Typen gleichermaßen gültig, so dass es in meinen Augen gar keiner weiteren Differenzierung oder eines weiteren Artikels bedarf. Die paar wenigen Unterschiede bei den anderen Ausführungen lassen sich mit ein paar (Neben-)Sätzen abhandeln. Und den genauen Zusammenbau der Elektrodenbleche einer Röhrendiode brauchen wir hier nicht unbedingt zu erläutern, sowas findet man bei Elektronenröhre erschöpfend. --PeterFrankfurt 03:44, 20. Jan. 2012 (CET)

Da meinst also die 23 kB zum elektrischen Verhalten sind für alle Dioden (Leucht- und Zenner- oder Avalange-Dioden sowie für Röhren- und diverse Halbleiterdioden) gültig? Das glaub ich irgendwie nicht. Und wenn du meinst die "Die paar wenigen Unterschiede bei den anderen Ausführungen lassen sich mit ein paar (Neben-)Sätzen abhandeln" lässt bei mir die Frage aufkommen, warum wir denn überhaupt noch Artikel zu speziellen Diodentypen haben. Wenn doch alles fast gleich ist. --Cepheiden 10:09, 20. Jan. 2012 (CET)

Das Diode ein Überbebriff für eine Röhrendiode und Halbleiterdiode darstellt, sehe ich als historisch an. Solche Zeitreisen halte ich nur nach Vorlage einschlägiger aktueller Quellen für akzeptabel. Meine eher kleine Bibliothek kennt nur die (Halbleiter-)Diode. Eventuell gibt es in der DIN noch eine Klassifizierung. ~ Stündle (Kontakt) 18:53, 20. Jan. 2012 (CET)

Lässt sich aus diesem Beinahe-Edit-War auch konstruktiv etwas gewinnen? Denn irgendwie hat jeder recht, doch für eine halbwegs gelungene Darstellung bedarf es vielen guten Willens, keiner Eitelkeit und am besten auch noch eines Ortes in WP, wo jeder Interessierte seine Version des Einleitungsabschnitts aufstellen kann und wo die einzelnen Versionen dann von allen Interessierten begutachtet und von irgendeinem "Admin" auf Lesbarkeit, Verständlichkeit und Konsistenz überprüft werden können. Und diese beste Version (nur des Einleitungsabschnitts, ohne Spezialfälle!) sollte dann in den Artikel eingefügt werden. Gibt's einen solchen Ort in WP? Ist meine Frage an die Admins. U.A. (hier!) w.g. MfG G.B. 79.220.121.7 06:06, 18. Mär. 2012 (CET)

Es gibt die Einrichtung der WP:Dritte Meinung, da reden andere Autoren mit, die mit dem Fachbebiet nicht notwendig was zu tun haben. Allgemein haben wir das Problem, dass hier in der Elektronik nur relativ wenige Autoren aktiv sind. Wenn in diesem engen Kreis Meinungsverschiedenheiten auftreten, wird es zwangsläufig schwierig. --PeterFrankfurt (Diskussion)

Diffusionskapazität

Gibt es für das dort beschriebene Verhalten beim Einschalten, den Anstieg der Spannung über den stationären Wert Belege ? So ganz einleuchtend ist das nicht (bei einer Kapazität erwartet man eher einen langsamen Anstieg der Spannung, keinen Überschwinger), und ich konnte dazu keine Ref. finden. Die Erklärung, die ich zu einer Anfangs höheren Spannung gefunden habe geht über die Erwärmung, nicht über die Diffusionskapazität. --Ulrich67 22:15, 8. Feb. 2012 (CET)

Der Überschwinger bei der Spannung ist tatsächlich durch die Diffusion bedingt, nur passt das Bild einer Diffusionskapazität nicht. Eine mögliche, sogar recht ausführliche Ref. wäre: Baliga, B. J., Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 2008 Springer, Berlin. Das Problem das sich hier etwas ergibt ist die Zuordnung zur Überschrift. Die Diffusionskapazität passt mehr in ein Kleinsignal-Bild, also kleine Abweichungen um einen Arbeitspunkt - die Effekte wie vorwärts und rückwärts Recovery sind aber mehr als "Großsignal"-Effekte zu verstehen, also gerade bei einer schnellen deutlichen Änderung des Arbeitspunktes. Eventuell müsste man hier eher extra Abschnitte zum Schaltverhalten haben. --Ulrich67 (Diskussion) 22:56, 10. Mär. 2012 (CET)

Es spricht wohl nichts gegen zwei getrennte Abschnitte: WP:SM.--wdwd (Diskussion) 23:11, 10. Mär. 2012 (CET)

1N4007 ist keine Schottkydiode

Die Abildung "Halbierte Leistungsdiode (1N4007)..." verweist auf File:Schottky Diode Section.JPG. 1N4007 ist allerdings eine PN-, keine Schottkydiode. --92.229.124.96 03:18, 11. Feb. 2013 (CET)

Richtig, das kann man aber von außen nicht sehen. Im Bild soll ausschließlich der technische Aufbau gezeigt werden.--Herbertweidner (Diskussion) 10:28, 11. Feb. 2013 (CET)

Auch wenn man es auf den ersten Blick nicht sieht, sollen Bild und Text schon zusammenpassen. Also entweder den Text an das Bild anpassen, oder ein neues richtiges Bild machen. Auf die Schnelle geht nur das Anpassen des Textes. --Ulrich67 (Diskussion) 20:38, 11. Feb. 2013 (CET)

Schaltzeichen

Welches Schaltzeichen denn nun? Mit durchgezogenem Strich, oder nicht? Beides ist dargestellt, aber nach DIN sollte es durchgezogen werden. (nicht signierter Beitrag von 79.247.187.4 (Diskussion) 20:06, 20. Jun. 2013 (CEST))

In der Praxis, auch gerade mit internationalen Veröffentlichungen, muss man immer mit allen Varianten rechnen, also muss man sie alle vorstellen. Welche man dann selbst verwendet, ist vor allem vom Ziel-Umfeld abhängig, ob man DIN-konform zeichnen muss oder sich irgendwelchen internationalen Gebräuchen anpassen will. --PeterFrankfurt (Diskussion) 02:51, 21. Jun. 2013 (CEST)

Nachgefragtes Bild

Diese Bild wurde ein der Bilderwerkstatt angefragt

bitteschön --Tavin (Diskussion) 18:44, 6. Dez. 2012 (CET)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. --der Saure 10:21, 14. Dez. 2013 (CET)

Seltsamkeit im Teilchenzoo oder Ethologie ?

!Entdeckt wurde ein derartiges Verhalten" echt so derartig? derartig seltsame Tierchen? ROFL D: erklärnix lachmichkrumm - ich Idiode" --217.251.72.54 02:02, 10. Dez. 2013 (CET)

Hallo Idiode, wo bitte ist da der Witz versteckt?? Und wie trägt dies zur Verbesserung des Artikels bei??? --94.216.75.14 18:50, 10. Dez. 2013 (CET)

Dieser Abschnitt kann archiviert werden. --der Saure 10:21, 14. Dez. 2013 (CET)

Bild zum pn-Übergang

Die Lage der Fermienergie bei der Darstellung im Bändermodell ist falsch eingezeichnet. Die Fermi Energie liegt ZWISCHEN der Energie des Fremdatoms und dem Leiterband bei n-dotierung bzw. Valenzband bei p-dotierung. (nicht signierter Beitrag von 89.12.78.206 (Diskussion) 00:51, 11. Nov. 2013 (CET))

Du hast recht. Ich habe das Bild ausgetauscht. --der Saure 19:44, 19. Dez. 2013 (CET)

Schalterdiode vs. Schaltdiode

Im zugehörigen Hauptartikel (nur EIN Artikel, aber von der Verlinkung hier denkt man, es erwarten einen zwei verschiedene Artikel, unsauber) steht nicht so glasklar, welche von beiden schneller ist, was hier ja als Unterscheidungsmerkmal angeführt wird. Vielleicht sollte man besser die Unterscheidung wie in jenem Artikel vornehmen, dann passt das auch alles zusammen. --PeterFrankfurt (Diskussion) 03:42, 12. Mär. 2012 (CET)

Langsames Schalten und Hochfrequenz passt irgendwie nicht zusammen --Eschubi (Diskussion) 22:28, 5. Apr. 2014 (CEST)

Werte für Transit Zeit

Im Artikel sind Werte für die Transit Zeiten angegeben. Allerdings passen die nicht so gut zu den Werten die man in Spice Modellen findet. Die Modelle nutzen längere Zeiten, bis in den ns Bereich für Schottky-dioden und bis etwa 10 µs für langsame PN Dioden (z.B. 1N4007, [1]). Das passt auch zum beobachteten Verhalten. Der Bereich 1..100 ns passt zu schnellen PN Dioden. Zumindest der Bereich für die Si-Diode sollte also eher 1 ns ... 10 µs sein, bei den Schottkydiode vielleicht auch eher bis 1 ns. Es fehlt mir aber noch eine gute Referenz. --Ulrich67 (Diskussion) 21:20, 17. Okt. 2014 (CEST)

Mechanisches Ersatzmodell

Der Abschnitt "Mechanisches Ersatzmodell der Diode" ist irreführend, denn im Gegensatz zum mechanischen Modell gibt es bei der Diode keine Schwelle, unter welcher der Durchlassstrom Null wird. Außerdem spiegelt das mechanische Modell nicht den exponentiellen Anstieg des Durchlassstroms mit der Spannung wieder. - QuodScripsiScripsi / 26. Okt. 2014 -(falsch signierter Beitrag von QuodScripsiScripsi (Diskussion | Beiträge) 18:30, 26. Okt. 2014 (CET))

Wenn du es so genau nimmst, dann gibt es auch bei dem mechanischen Modell keine „Schwelle“. Das Konzept/Modell (!) der Schwellenspannung bei Dioden ist übrigens in Fachkreisen anerkannt und hilf im Allgemeine Neulingen beim Verständnis. --Cepheiden (Diskussion) 18:59, 26. Okt. 2014 (CET)

Das dargestellte mechanische Modell ist ein Gedankenexperiment mit Schwelle, und damit anschaulich. Leider ist es falsch und sollte deshalb entfernt werden (unabhängig von der Meinung obskurer Fachellipsen). Dass das mechanische Gedankenexperiment ein reales Ventil unzureichend beschreibt, macht die Sache nicht besser. - QuodScripsiScripsi / 29. Okt. 2014 - (13:32, 29. Okt. 2014 (CET), Datum/Uhrzeit nachträglich eingefügt, siehe Hilfe:Signatur)

Ersatzmodell mit dem Ventil ist schon üblich und auch für das Verständnis der echten Diode hilfreich. Natürlich ist so ein Modell nicht bis ins kleinste Detail exakt, das wird auch gar nicht verlangt. Das Konzept mit Schwellspannung ist als erste Näherung schon nicht so schlecht - auch das übliche Kleinsignalmodell ist nur Flussspannung und differentieller Widerstand (ggf. für Wechselspannung noch Kapazität dazu). Vor daher besteht kein Grund das Model zu entfernen. --Ulrich67 (Diskussion) 17:30, 29. Okt. 2014 (CET)

Kleinsignalmodelle sind wegen der Stetigkeit der zugrunde liegenden Funktionen mathematisch einwandfreie Näherungen in einem genügend kleinen Bereich. Diese Tatsache hat jedoch keine Relevanz für obige Argumente zum Ventil-Ersatzmodell. Ob ein Modell üblich ist, sollte in einer wissenschaftlichen Diskussion kein Kriterium für seine Gültigkeit sein. Richtig ist, dass das Ventil-Ersatzmodell anschaulich ist. Unsere Diskussion sollte sich auf die Frage richten, ob ein anschauliches, aber dem Wesen nach falsches Modell angemessen ist. --QuodScripsiScripsi (Diskussion) 23:41, 4. Nov. 2014 (CET)

Die Beschreibung des mechanischen Ersatzmodells ist nicht so konkret, das man wirklich sagen kann wo das Model Fehler hat. Auch bei Mechanischen Aufbau könnte es theoretisch eine ziemlich genau exponentielle Kennlinie, wie bei einer Diode (bzw. dem üblichem Rechenmodell nach Shockley) geben. Von daher ist das Modell nicht vom Wesen her fehlerhaft, sondern einfach nicht sehr konkret ausformuliert - das muss es aber auch nicht wirklich. Das mechanische Modell ist vor allem für ein sehr niedriges Niveau gedacht, etwa um ganz einfachen Funktionen wie einen Brückengleichrichter zu veranschaulichen. Selbst wenn das Modell also Fehler im Detail hätte stört das überhaupt nicht. Keiner wird auch die Idee kommen Schaltungen wie einen Ringmischer an Hand des mechanischen Modells bis ins Detail durchzurechnen. Es ist halt ein anschauliches Modell und kein mathematisches zum rechnen.--Ulrich67 (Diskussion) 17:29, 5. Nov. 2014 (CET)

Wahr ist, dass ein anschauliches Modell die Grundfunktion eines Bauteils, wie der Diode, "für ein sehr niedriges Niveau" (Ulrich67) beschreiben kann. Allerdings ist das im deutschen Wikipedia-Artikel beschriebene mechanische Ersatzmodell der Diode doch recht konkret und dem Wesen nach fehlerhaft, denn die einfache Darstellung des Ventilmodells und die Wortwahl im Artikel ("blockiert" u.s.w.) implizieren fälschlich, dass der Durchlassstrom unterhalb einer "Schwellen"spannung gleich Null sei. Es wäre schon besser, wenn man (mit einem Seitenblick auf die englische Wikipedia-Seite) zumindest die Wortwahl der Modellbeschreibung anpassen würde, so dass der Strom im Durchlassbereich, beziehungsweise der Wasser-(Strom-) des Ventilmodells, mit Abnahme der thermodynamisch treibenden Kraft (elektrische Spannung beziehungsweise Wasserdruck) gegen Null geht (diese aber nicht erreicht).--QuodScripsiScripsi (Diskussion) 14:41, 10. Nov. 2014 (CET)

Diode, u. noch besser, der Transistor, ist gut mit einem Rückschlagventil vgl. bar, mit Nockenwelle gesteuert, denn

1) Denn eine Nocke hat einen (zwar steilen) Anstieg, (Otto- und Dieselmotor- Ventilsteuerung), aber nicht simpel on / off! Genauso ist es bei der gesteuerten Diode, z.B. sprich im Transistor! Gemäß dem Anstieg der Spannung Basis ..., steigt der Durchlass-Strom. Größenordnung [mA]!

• 2) Aber rückwärts ist die Strömung (Wasser oder Luft, Öl) null bei einem Rückschlagventil, u. ja auch bei der Diode (fast), nämlich nur Mikro-Ampere, also 1000 mal weniger, also in der anderen Richtung.
• 3) Bei Otto u. Diesel haben wir freilich in beide Richtungen gleiche große Öffnung (= gleichgroßen Durchlass). Bsp. hinken immer etwas.

6.5.15, Eco-Ing. (nicht signierter Beitrag von 93.104.96.250 (Diskussion) 13:16, 6. Mai 2015 (CEST))

IMHO ein Smørrebrød med ust - (Käse ツ

"Für den Betrieb von Diodengleichrichtern am Netz sind Überspannungsableiter, z. B. Varistoren erforderlich, die die Netz-Überspannung auf ein für die Gleichrichterdioden zulässiges Maß begrenzen."

IMHO versorgten einst Millionen Netzgleichrichter/Flächendioden wie BY 127/BY 133 noch mehr Millionen Röhren ganz frech mit Anodenspannung direkt aus dem 220V-Netz z.B. bei Fernsehgeräten und das ohne irgendwelche Ableiter/Varistoren.

Diese Varistoren kamen erst viel später, als die Röhren durch empfindlichere Halbleiter ersetzt wurden, vor allem die ICs starben an den kurzheftigen Spannungsspitzen durch Blitzeinschlag im Umkreis. Die Netzgleichrichter starben eher selten allein --2003:CC:93C1:7801:38D9:A387:E11E:775B 22:17, 17. Jul. 2016 (CEST)

Ventilwirkung der Diode durch Energieniveau der Elektronen

In der p-Zone haben die Elektronen ein geringes Energieniveau, in der n-Zone ein hohes. Kann sich das Elektron nur entfernt vom Kern aufhalten so ist Energie nötig um das Elektron vom Kern wegzuziehen. Das ist in der n-Zone der Fall, weil Kern-nahe Elektronenschalen des Atoms schon fest besetzt sind und der Platz für bewegliche Ladungsträger weiter entfernt vom Kern liegt.

Bewegt sich ein Elektron von "n" nach "p" dann fällt es im Übergang von einem hohen Energieniveau auf ein niedrigeres. Diese Energie wird bei LEDs als Licht und sonst als Wärme abgegeben. Eine Bewegung von "p" nach "n" ist oft nicht möglich weil Energie fehlt um das Elektron auf das höhere Energienieveau zu heben. Das geht nur bei echten Z-Dioden oder Fotozellen und dort erfolgt Energiezufuhr.

Für exaktes Berechnen wird sowohl das Energieniveau als auch der Impuls (Masse mal Geschwindigkeit) des Ladungsträgers berücksichtigt.

Bitte baut es in den Text ein! 80.147.240.228 09:31, 3. Jan. 2017 (CET)

Anschlussnummern

Gibt es eine genormte Nummerierung für die Anschlüsse, also z.B. 1=Kathode, 2=Anode? Wenn ja, wo wird das beschrieben? Interessant ist das für die automatische Bestückung von Platinen. --Efficiency (Diskussion) 10:14, 4. Jun. 2018 (CEST)
Upps, ich habe es in der IPC 7351 gefunden: "Pin 1 is always the Cathode". Sollte das nicht auch im Artikel stehen? --Efficiency (Diskussion) 10:24, 4. Jun. 2018 (CEST)

    Ist IPC 7351 nicht ausschließlich auf SMD-Bauteile bezogen? Fragt Edgar Wollenweber79.204.161.195 10:08, 8. Jan. 2020 (CET)

Zitat: " ....dann wird der p-n-Übergang leitfähig, oder verstärkt werden, dann bleibt er gesperrt"

Kleine Mängel:

Zweimal "dann"

"Verstärkung" ist hier der falsche Audruck, da es sich um eine (geometrische/ räumliche) Vergrößerung handelt. Im Übrigen gibt es auf WP bereits den "pn-Übergang".

Edgar Wollenweber79.204.161.195 10:05, 8. Jan. 2020 (CET)

Ja, wenn man den Satzgegenstand weglässt, dann wird das Zitat unverständlich. Es gibt die zwei Fälle, in denen die Diffusionsspannung kompensiert oder verstärkt wird (aber nicht geometrisch/räumlich vergrößert), und zu jedem Fall gibt es eine Dann-Konsequenz. --der Saure 18:32, 8. Jan. 2020 (CET)